公开(公告)号：US09177634B1

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US14172835

申请日：2014-02-04

Applicant: Xilinx, Inc.

Inventor： Steven P. Young ,  Yang Song ,  Nui Chong

IPC: H01L27/11 ,  G11C11/412 ,  G11C11/41 ,  H03K19/177

CPC classification number: H01L27/0207 ,  G11C11/41 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/11807 ,  H03K19/177 ,  H03K19/1776

Abstract: A memory cell includes a first inverter and a second inverter, wherein the first inverter and second inverter are cross-coupled using a storage node and an inverse storage node; a data node and an inverse data node, wherein the data node and inverse data node are next to a first side of the memory cell; and an address line controlling access to the storage node and the inverse storage node by the data and inverse data nodes; wherein the memory cell comprises a two gate pitch memory cell.

Abstract translation: 存储单元包括第一反相器和第二反相器，其中第一反相器和第二反相器使用存储节点和反向存储节点进行交叉耦合; 数据节点和逆数据节点，其中所述数据节点和逆数据节点在所述存储器单元的第一侧旁边; 以及地址线，其通过数据和逆数据节点控制对存储节点和逆存储节点的访问; 其中所述存储单元包括两个门间距存储单元。