公开(公告)号：US09563738B2

公开(公告)日：2017-02-07

申请号：US14690481

申请日：2015-04-20

Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： Yen-Hung Chen ,  Chin-Lung Lin ,  Kuan-Wen Fang ,  Po-Ching Su ,  Hung-Wei Lin ,  Sheng-Lung Teng ,  Lun-Wen Yeh

IPC: G06F17/50 ,  G03F1/36 ,  H01L21/768

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G03F1/36 ,  H01L21/76807

Abstract: An optical proximity correction (OPC) process is provided. The method comprising receiving a first pattern corresponding to a first structure of a semiconductor structure, and a second pattern corresponding to a second structure of said semiconductor structure. Next, a first OPC process is performed for the first pattern to obtain a revised first pattern, wherein the revised first pattern has a first shift regarding to the first pattern. A second OPC process is performed for the second pattern to obtain a revised second pattern, wherein the second OPC process comprises moving the second pattern according to the first shift.

Abstract translation: 提供光学邻近校正（OPC）过程。 该方法包括接收对应于半导体结构的第一结构的第一图案，以及对应于所述半导体结构的第二结构的第二图案。 接下来，对第一图案执行第一OPC处理以获得修改的第一图案，其中修改的第一图案具有关于第一图案的第一移位。 对第二图案执行第二OPC处理以获得修订的第二图案，其中第二OPC处理包括根据第一移位移动第二图案。

公开(公告)号：US20160306912A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：US14690481

申请日：2015-04-20

Applicant: United Microelectronics Corp.

Inventor： Yen-Hung Chen ,  Chin-Lung Lin ,  Kuan-Wen Fang ,  Po-Ching Su ,  Hung-Wei Lin ,  Sheng-Lung Teng ,  Lun-Wen Yeh

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/768 ,  G03F1/36

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G03F1/36 ,  H01L21/76807

Abstract: An optical proximity correction (OPC) process is provided. The method comprising receiving a first pattern corresponding to a first structure of a semiconductor structure, and a second pattern corresponding to a second structure of said semiconductor structure. Next, a first OPC process is performed for the first pattern to obtain a revised first pattern, wherein the revised first pattern has a first shift regarding to the first pattern. A second OPC process is performed for the second pattern to obtain a revised second pattern, wherein the second OPC process comprises moving the second pattern according to the first shift.

Abstract translation: 提供光学邻近校正（OPC）过程。 该方法包括接收对应于半导体结构的第一结构的第一图案，以及对应于所述半导体结构的第二结构的第二图案。 接下来，对第一图案执行第一OPC处理以获得修改的第一图案，其中修改的第一图案具有关于第一图案的第一移位。 对第二图案执行第二OPC处理以获得修订的第二图案，其中第二OPC处理包括根据第一移位移动第二图案。