公开(公告)号：US09196641B2

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：US13633816

申请日：2012-10-02

申请人： Thin Film Electronics ASA

发明人： Arvind Kamath ,  James Montague Cleeves ,  Joerg Rockenberger ,  Patrick Smith ,  Fabio Zurcher

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L27/1292 ,  H01L29/66757

摘要： A method for making an electronic device, such as a MOS transistor, including the steps of forming a plurality of semiconductor islands on an electrically functional substrate, printing a first dielectric layer on or over a first subset of the semiconductor islands and optionally a second dielectric layer on or over a second subset of the semiconductor islands, and annealing. The first dielectric layer contains a first dopant, and the (optional) second dielectric layer contains a second dopant different from the first dopant. The dielectric layer(s), semiconductor islands and substrate are annealed sufficiently to diffuse the first dopant into the first subset of semiconductor islands and, when present, the second dopant into the second subset of semiconductor islands.

摘要翻译： 一种用于制造诸如MOS晶体管的电子器件的方法，包括以下步骤：在电功能衬底上形成多个半导体岛，在第一半导体岛子集上或第二子体上印刷第一介电层， 在半导体岛的第二子集上或上方，以及退火。 第一介电层包含第一掺杂剂，并且（任选的）第二介电层包含不同于第一掺杂剂的第二掺杂剂。 电介质层，半导体岛和衬底被充分退火以将第一掺杂剂扩散到半导体岛的第一子集中，并且当存在时将第二掺杂剂扩散到半导体岛的第二子集中。

公开(公告)号：US09400953B1

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：US14285469

申请日：2014-05-22

申请人： Thin Film Electronics ASA

发明人： Criswell Choi ,  Joerg Rockenberger ,  Christopher Gudeman ,  J. Devin Mackenzie ,  Partick Smith ,  James Montague Cleeves

IPC分类号： G03F7/00 ,  G01S13/74 ,  G06K19/077 ,  G08B13/24

CPC分类号： G06K19/07773 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/2055 ,  G06K19/07749 ,  G08B13/2402 ,  G08B13/2417 ,  G08B13/244 ,  G08B13/2468

摘要： Methods, algorithms, processes, circuits, and/or structures for laser patterning suitable for customized RFID designs are disclosed. In one embodiment, a method of laser patterning of an identification device can include the steps of: (i) depositing a patternable resist formulation on a substrate having configurable elements and/or materials thereon; (ii) irradiating the resist formulation with a laser tool sufficiently to change the solubility characteristics of the resist in a developer; and (iii) developing exposed areas of the resist using the developer. Embodiments of the present invention can advantageously provide a relatively low cost and high throughput approach for customized RFID devices.

摘要翻译： 公开了适用于定制RFID设计的用于激光图案的方法，算法，过程，电路和/或结构。 在一个实施例中，识别装置的激光图案化的方法可以包括以下步骤：（i）在其上具有可配置元件和/或材料的衬底上沉积可图案化的抗蚀剂制剂; （ii）用激光工具照射抗蚀剂制剂，足以改变显影剂中抗蚀剂的溶解度特性; 和（iii）使用显影剂显影抗蚀剂的曝光区域。 本发明的实施例可以有利地为定制的RFID设备提供相对低成本和高吞吐量的方法。