公开(公告)号：US20130240957A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13494288

申请日：2012-06-12

申请人： Seung-Mi LEE ,  Yun Hyuck JI ,  Beom-Yong KIM ,  Bong-Seok JEON

发明人： Seung-Mi LEE ,  Yun Hyuck JI ,  Beom-Yong KIM ,  Bong-Seok JEON

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7833

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes ion-implanting germanium into a monocrystalline silicon-containing substrate; forming a gate oxide layer over a surface of the monocrystalline silicon-containing substrate and forming, under the gate oxide layer, a germanium-rich region in which the germanium is concentrated, by performing a plasma oxidation process; and crystallizing the germanium-rich region by performing an annealing process.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括将锗离子注入到单晶硅的衬底中; 在所述单晶含硅衬底的表面上形成栅极氧化物层，并且在所述栅极氧化物层下，通过进行等离子体氧化处理，形成锗浓缩的锗富集区; 并通过进行退火处理使富锗的区域结晶。

公开(公告)号：US20130244394A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13494400

申请日：2012-06-12

申请人： Beom-Yong KIM ,  Kee-Jeung LEE ,  Yun-Hyuck JI ,  Seung-Mi LEE ,  Jae-Hyoung KOO ,  Kwan-Woo DO ,  Kyung-Woong PARK ,  Ji-Hoon AHN ,  Woo-Young PARK

发明人： Beom-Yong KIM ,  Kee-Jeung LEE ,  Yun-Hyuck JI ,  Seung-Mi LEE ,  Jae-Hyoung KOO ,  Kwan-Woo DO ,  Kyung-Woong PARK ,  Ji-Hoon AHN ,  Woo-Young PARK

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

摘要： A method for fabricating a capacitor includes: forming a first silicon layer over a semiconductor substrate, where the first silicon layer is doped with a dopant; forming an undoped second silicon layer over the first silicon layer; forming an opening by etching the second silicon layer and the first silicon layer; forming a storage node in the opening; and removing the first silicon layer and the second silicon layer.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括：在半导体衬底上形成第一硅层，其中所述第一硅层掺杂有掺杂剂; 在所述第一硅层上形成未掺杂的第二硅层; 通过蚀刻第二硅层和第一硅层形成开口; 在开口中形成存储节点; 以及去除所述第一硅层和所述第二硅层。

公开(公告)号：US20120261748A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13534516

申请日：2012-06-27

申请人： Seung-Mi LEE ,  Yun-Hyuck Ji ,  Tae-Kyun Kim ,  Jin-Yul Lee

发明人： Seung-Mi LEE ,  Yun-Hyuck Ji ,  Tae-Kyun Kim ,  Jin-Yul Lee

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor device includes a substrate with a recess pattern, a gate electrode filling the recess pattern, a threshold voltage adjusting layer formed in the substrate under the recess pattern, a source/drain region formed in the substrate on both sides of the gate electrode and a gate insulation layer, with the recess pattern being disposed between the gate electrode and the substrate, wherein the thickness of the gate insulation layer formed in a region adjacent to the source/drain region is greater than the thickness of the gate insulation layer formed in a region adjacent to the threshold voltage adjusting layer.

摘要翻译： 半导体器件包括具有凹陷图案的衬底，填充凹陷图案的栅电极，在凹槽图案下形成在衬底中的阈值电压调节层，形成在栅电极两侧的衬底中的源/漏区，以及 栅极绝缘层，其中凹部图案设置在栅电极和衬底之间，其中形成在与源极/漏极区相邻的区域中的栅极绝缘层的厚度大于形成在栅极绝缘层中的栅极绝缘层的厚度 与阈值电压调整层相邻的区域。

公开(公告)号：US20120025327A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13027379

申请日：2011-02-15

申请人： Yun-Hyuck JI ,  Tae-Yoon KIM ,  Seung-Mi LEE ,  Woo-Young PARK

发明人： Yun-Hyuck JI ,  Tae-Yoon KIM ,  Seung-Mi LEE ,  Woo-Young PARK

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A semiconductor device includes a gate insulation layer formed over a substrate and having a high dielectric constant, a gate electrode formed over the gate insulation layer and a work function control layer formed between the substrate and the gate insulation layer and inducing a work function shift of the gate electrode.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上并具有高介电常数的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的栅极电极和形成在衬底和栅极绝缘层之间的功函数控制层，并且引起功函数偏移 栅电极。