公开(公告)号：US09570304B2

公开(公告)日：2017-02-14

申请号：US14965255

申请日：2015-12-10

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Min Ju Park ,  Haisub Na ,  Hyojin Yun ,  Kyoungseon Kim ,  Su Min Kim ,  Hyunwoo Kim ,  Su-min Park ,  So-Ra Han

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: Provided is a method of fabricating a semiconductor device. The method includes forming an anti-reflection layer on a lower layer, forming photoresist patterns on the anti-reflection layer, forming protection patterns to cover the photoresist patterns, respectively, etching the anti-reflection layer using the photoresist patterns covered with the protection patterns as an etch mask to form anti-reflection patterns, forming spacers to cover sidewalls of the anti-reflection patterns, and removing the anti-reflection patterns.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括在下层上形成抗反射层，在抗反射层上形成光致抗蚀剂图案，分别形成保护图案以覆盖光致抗蚀剂图案，使用被保护图案覆盖的光刻胶图案蚀刻抗反射层 作为蚀刻掩模以形成抗反射图案，形成隔离物以覆盖抗反射图案的侧壁，以及去除防反射图案。

公开(公告)号：US20160293417A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：US14965255

申请日：2015-12-10

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Min Ju Park ,  Haisub Na ,  Hyojin Yun ,  Kyoungseon Kim ,  Su Min Kim ,  Hyunwoo Kim ,  Su Min Park ,  So-Ra Han

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: Provided is a method of fabricating a semiconductor device. The method includes forming an anti-reflection layer on a lower layer, forming photoresist patterns on the anti-reflection layer, forming protection patterns to cover the photoresist patterns, respectively, etching the anti-reflection layer using the photoresist patterns covered with the protection patterns as an etch mask to form anti-reflection patterns, forming spacers to cover sidewalls of the anti-reflection patterns, and removing the anti-reflection patterns.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括在下层上形成抗反射层，在抗反射层上形成光致抗蚀剂图案，分别形成保护图案以覆盖光致抗蚀剂图案，使用被保护图案覆盖的光刻胶图案蚀刻抗反射层 作为蚀刻掩模以形成抗反射图案，形成隔离物以覆盖抗反射图案的侧壁，以及去除防反射图案。