公开(公告)号：US09385134B2

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：US14340710

申请日：2014-07-25

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Jae-Ho Min ,  Ki-Jeong Kim ,  Kyoung-Sub Shin ,  Dong-Hyun Kim

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L27/115 ,  H01L27/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/11517 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/3276

摘要： In a semiconductor device, parallel first and second conductive lines having a unit width extend from a memory cell region into a connection region. A trim region in the connection region includes pads respectively connected to the first and second conductive lines but are separated by a width much greater than the unit width.

摘要翻译： 在半导体器件中，具有单位宽度的并行的第一和第二导线从存储单元区域延伸到连接区域。 连接区域中的修剪区域包括分别连接到第一和第二导电线但是被分开的宽度远大于单位宽度的焊盘。