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    Semiconductor device
    1.
    发明授权
    Semiconductor device 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US09171773B2

    公开(公告)日：2015-10-27

    申请号：US14245261

    申请日：2014-04-04

    申请人： Mitsubishi Electric Corporation

    发明人： Kiyoshi Arai ,  Osamu Usui

    IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42 ,  H01L23/492 ,  H01L23/373 ,  H01L23/433 ,  H01L23/498 ,  H01L23/24 ,  H01L23/053

    CPC分类号： H01L23/3675 ,  H01L23/053 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/42 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor device according to the present invention includes a base plate, an insulating layer provided on an upper surface of the base plate, a metal pattern provided on an upper surface of the insulating layer, a semiconductor element bonded to the metal pattern, and an insulating substrate disposed to be in contact with an upper surface of the semiconductor element. An end of the insulating substrate is located outside the semiconductor element in plan view. The end of the insulating substrate and the metal pattern are directly or indirectly bonded. The semiconductor element includes an electrode on the upper surface. A portion of the insulating substrate, in which the electrode on the upper surface of the semiconductor element overlaps in plan view, is provided with a through-hole.

    摘要翻译： 根据本发明的半导体器件包括基板，设置在基板的上表面上的绝缘层，设置在绝缘层的上表面上的金属图案，接合到金属图案的半导体元件，以及 绝缘基板，设置成与半导体元件的上表面接触。 在平面图中，绝缘基板的一端位于半导体元件的外侧。 绝缘基板的端部和金属图案直接或间接地结合。 半导体元件包括在上表面上的电极。 在半导体元件的上表面上的电极在平面图中重叠的绝缘基板的一部分设置有通孔。