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    Silicon rich nitride CMOS-compatible light sources and Si-based laser structures
    1.
    发明申请
    Silicon rich nitride CMOS-compatible light sources and Si-based laser structures 审中-公开
    富硅氮化物CMOS兼容光源和Si基激光器结构

    公开(公告)号：US20060140239A1

    公开(公告)日：2006-06-29

    申请号：US11113542

    申请日：2005-04-25

    申请人： Luca Negro ,  Jae Yi ,  Jurgen Michel ,  Lionel Kimerling

    发明人： Luca Negro ,  Jae Yi ,  Jurgen Michel ,  Lionel Kimerling

    IPC分类号： H01S3/07 ,  H01S3/083

    CPC分类号： H01S3/0627 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3144 ,  H01L33/46 ,  H01S3/0604 ,  H01S3/0632 ,  H01S3/0637 ,  H01S3/083 ,  H01S3/0933 ,  H01S3/0941 ,  H01S3/16 ,  H01S3/1603 ,  H01S3/1628 ,  H01S3/169 ,  H01S5/105 ,  H01S5/183

    摘要： A fabrication method produces Si compatible light-emitting materials showing sizeable optical gain by thermally annealing thin film layers of Si-rich nitride (SiNx) By utilizing the Si compatible light-emitting material, light emitting devices can be fabricated that are compatible with CMOS processes. The Si compatible light-emitting material is a high index (refractive index ranging from 1.6 to 2.3) material allowing flexible design of high confinements photonic devices with strong structural stability with respect to annealing treatments. The Si compatible light-emitting material realizes broad band light emission by allowing resonant coupling with rare earth atoms and other infrared emitting quantum dots and better electrical conduction properties with respect to SiO2 systems. The Si compatible light-emitting material also realizes high transparency (low pumping and modal losses) in the visible range.

    摘要翻译： 制造方法通过热退火富Si氮化物（SiN x x）的薄膜层产生显示出相当大的光学增益的Si兼容的发光材料。通过利用Si兼容的发光材料，发光器件可以 与CMOS工艺兼容。 Si兼容的发光材料是高折射率（折射率范围为1.6至2.3）的材料，允许灵活设计具有相对于退火处理的强结构稳定性的高约束光子器件。 Si兼容的发光材料通过与稀土元素和其它红外发射量子点的谐振耦合以及相对于SiO 2系统的更好的导电性能来实现宽带发光。 Si兼容的发光材料在可见光范围内也实现了高透明度（低抽运和模态损耗）。

    Energy coupled superlattice structures for silicon based lasers and modulators
    3.
    发明申请
    Energy coupled superlattice structures for silicon based lasers and modulators 有权
    用于硅基激光器和调制器的能量耦合超晶格结构

    公开(公告)号：US20070069332A1

    公开(公告)日：2007-03-29

    申请号：US11490961

    申请日：2006-07-21

    申请人： Luca Negro ,  Jae Yi ,  Lionel Kimerling

    发明人： Luca Negro ,  Jae Yi ,  Lionel Kimerling

    IPC分类号： H01L29/00

    CPC分类号： H01S3/0632 ,  G02B6/12004 ,  H01S3/0637 ,  H01S3/1603 ,  H01S3/1608 ,  H01S3/1628 ,  H01S3/17

    摘要： A waveguide structure includes a SOI substrate. A core structure is formed on the SOI substrate comprising a plurality of multilayers having alternating or aperiodically distributed thin layers of either Si-rich oxide (SRO), Si-rich nitride (SRN) or Si-rich oxynitride (SRON). The multilayers are doped with a rare earth material so as to extend the emission range of the waveguide structure to the near infrared region. A low index cladding includes conductive oxides to act as electrodes.

    摘要翻译： 波导结构包括SOI衬底。 在包括多个具有富Si氧化物（SRO），富Si的氮化物（SRN）或富Si氧氮化物（SRON）的交替或非周期分布的薄层的多层的SOI衬底上形成芯结构。 多层掺杂有稀土材料，以将波导结构的发射范围扩展到近红外区域。 低折射率包层包括用作电极的导电氧化物。