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    Acoustically coupled thin-film resonators
    1.
    发明申请
    Acoustically coupled thin-film resonators 有权
    声耦合薄膜谐振器

    公开(公告)号：US20060091978A1

    公开(公告)日：2006-05-04

    申请号：US10980562

    申请日：2004-11-03

    申请人： Kun Wang ,  Paul Bradley ,  Richard Ruby ,  Hongjun Feng

    发明人： Kun Wang ,  Paul Bradley ,  Richard Ruby ,  Hongjun Feng

    IPC分类号： H03H9/58

    CPC分类号： H03H9/564 ,  H03H9/02228 ,  H03H9/13 ,  H03H9/60 ,  H03H9/605 ,  H03H9/706

    摘要： Acoustically coupled resonators include a first and a second acoustic resonator. Both the first and second acoustic resonators include a first electrode, a layer of piezoelectric material, and a second electrode. The first electrode is adjacent a first surface of the layer of piezoelectric material. The second electrode is adjacent a second surface of the layer of piezoelectric material. At least the second electrode has an edge that is tapered.

    摘要翻译： 声耦合谐振器包括第一和第二声谐振器。 第一和第二声谐振器都包括第一电极，压电材料层和第二电极。 第一电极邻近压电材料层的第一表面。 第二电极邻近压电材料层的第二表面。 至少第二电极具有渐缩的边缘。

    Thin film bulk acoustic resonator with a mass loaded perimeter
    2.
    发明授权
    Thin film bulk acoustic resonator with a mass loaded perimeter 有权
    具有质量负载周长的薄膜体声波谐振器

    公开(公告)号：US07280007B2

    公开(公告)日：2007-10-09

    申请号：US10990201

    申请日：2004-11-15

    申请人： Hongjun Feng ,  R. Shane Fazzio ,  Richard Ruby ,  Paul Bradley

    发明人： Hongjun Feng ,  R. Shane Fazzio ,  Richard Ruby ,  Paul Bradley

    IPC分类号： H03H9/00 ,  H03H9/09

    CPC分类号： H03H9/02118 ,  H03H9/173 ,  H03H9/177

    摘要： A resonator structure (FBAR) made of electrodes sandwich a piezoelectric material. The intersection of the two conducting electrodes defines the active area of the acoustic resonator. The active area is divided into two concentric areas; a perimeter or frame, and a central region. An annulus is added to one of the two conducting electrodes to improve the electrical performance (in terms of Q).

    摘要翻译： 由电极制成的谐振器结构（FBAR）夹着压电材料。 两个导电电极的交点定义了声谐振器的有效面积。 活动区域分为两个同心区域; 周边或框架，以及中央区域。 在两个导电电极中的一个上添加环，以改善电性能（以Q为单位）。

    Thin film bulk acoustic resonator with a mass loaded perimeter
    3.
    发明申请
    Thin film bulk acoustic resonator with a mass loaded perimeter 有权
    具有质量负载周长的薄膜体声波谐振器

    公开(公告)号：US20060103492A1

    公开(公告)日：2006-05-18

    申请号：US10990201

    申请日：2004-11-15

    申请人： Hongjun Feng ,  R. Fazzio ,  Richard Ruby ,  Paul Bradley

    发明人： Hongjun Feng ,  R. Fazzio ,  Richard Ruby ,  Paul Bradley

    IPC分类号： H03H9/54

    CPC分类号： H03H9/02118 ,  H03H9/173 ,  H03H9/177

    摘要： A resonator structure (FBAR) made of electrodes sandwich a piezoelectric material. The intersection of the two conducting electrodes defines the active area of the acoustic resonator. The active area is divided into two concentric areas; a perimeter or frame, and a central region. An annulus is added to one of the two conducting electrodes to improve the electrical performance (in terms of Q).

    摘要翻译： 由电极制成的谐振器结构（FBAR）夹着压电材料。 两个导电电极的交点定义了声谐振器的有效面积。 活动区域分为两个同心区域; 周边或框架，以及中央区域。 在两个导电电极中的一个上添加环，以改善电性能（以Q为单位）。

    Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
    4.
    发明申请
    Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure 有权
    使用交替框架结构的声谐振器性能提升

    公开(公告)号：US20060071736A1

    公开(公告)日：2006-04-06

    申请号：US11159753

    申请日：2005-06-23

    申请人： Richard Ruby ,  Ronald Fazzio ,  Hongjun Feng ,  Paul Bradley

    发明人： Richard Ruby ,  Ronald Fazzio ,  Hongjun Feng ,  Paul Bradley

    IPC分类号： H03H9/54

    CPC分类号： H03H9/02086 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02149 ,  H03H9/13 ,  H03H9/132 ,  H03H9/173 ,  H03H2003/0428

    摘要： Disclosed is an acoustic resonator that includes a substrate, a first electrode, a layer of piezoelectric material, a second electrode, and an alternating frame region. The first electrode is adjacent the substrate, and the first electrode has an outer perimeter. The piezoelectric layer is adjacent the first electrode. The second electrode is adjacent the piezoelectric layer and the second electrode has an outer perimeter. The alternating frame region is on one of the first and second electrodes.

    摘要翻译： 公开了一种包括基板，第一电极，压电材料层，第二电极和交替框架区域的声共振器。 第一电极与衬底相邻，并且第一电极具有外周边。 压电层与第一电极相邻。 第二电极邻近压电层，第二电极具有外周。 交替的框架区域在第一和第二电极之一上。

    Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch
    6.
    发明申请
    Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch 有权
    使用选择性金属蚀刻的声谐振器性能提升

    公开(公告)号：US20060132262A1

    公开(公告)日：2006-06-22

    申请号：US11021085

    申请日：2004-12-22

    申请人： Ronald Fazzio ,  Hongjun Feng

    发明人： Ronald Fazzio ,  Hongjun Feng

    IPC分类号： H03H9/54

    CPC分类号： H03H9/173

    摘要： An acoustic resonator that includes a substrate, a first electrode, a layer of piezoelectric material, and a second electrode. The substrate has a first surface and the first electrode is adjacent the first surface of the substrate. The layer of piezoelectric material is adjacent the first electrode. The second electrode is adjacent the layer of piezoelectric material, and the second electrode lies in a first plane and has an edge. The layer of piezoelectric material has a recessed feature adjacent the edge of the second electrode.

    摘要翻译： 包括基板，第一电极，压电材料层和第二电极的声谐振器。 衬底具有第一表面，并且第一电极邻近衬底的第一表面。 压电材料层与第一电极相邻。 第二电极与压电材料层相邻，第二电极位于第一平面中并且具有边缘。 压电材料层具有邻近第二电极边缘的凹陷特征。

    Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch
    10.
    发明授权
    Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch 有权
    使用选择性金属蚀刻的声谐振器性能提升

    公开(公告)号：US08188810B2

    公开(公告)日：2012-05-29

    申请号：US12838657

    申请日：2010-07-19

    申请人： Ronald S. Fazzio ,  Hongjun Feng

    发明人： Ronald S. Fazzio ,  Hongjun Feng

    IPC分类号： H03H9/15 ,  H03H9/54

    CPC分类号： H03H9/173

    摘要： An acoustic resonator comprises: a substrate; a first electrode adjacent the substrate; a layer of piezoelectric material adjacent the first electrode; a second electrode adjacent the layer of piezoelectric material; and a passivation layer adjacent the layer of piezoelectric material. The passivation layer includes a recessed feature. Fill material is provided in the recessed feature of the passivation layer.

    摘要翻译： 声谐振器包括：基板; 邻近衬底的第一电极; 邻近第一电极的压电材料层; 邻近所述压电材料层的第二电极; 以及与压电材料层相邻的钝化层。 钝化层包括凹陷特征。 在钝化层的凹陷特征中提供填充材料。