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    Nanoporous structures by reactive ion etching
    2.
    发明授权
    Nanoporous structures by reactive ion etching 有权
    纳米孔结构通过反应离子蚀刻

    公开(公告)号：US09117652B2

    公开(公告)日：2015-08-25

    申请号：US13920125

    申请日：2013-06-18

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Yann Astier ,  Jingwei Bai ,  Robert L. Bruce ,  Aaron D. Franklin ,  Joshua T. Smith

    IPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/02 ,  G01N27/414 ,  B82Y40/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y15/00

    CPC分类号： G01N33/005 ,  B82B3/008 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  C22C1/08 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C14/00 ,  C22C28/00 ,  C23F4/00 ,  G01N27/414 ,  H01L21/02 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/888 ,  Y10T428/12479

    摘要： A method for forming porous metal structures and the resulting structure may include forming a metal structure above a substrate. A masking layer may be formed above the metal structure, and then etched using a reactive ion etching process with a mask etchant and a metal etchant. Etching the masking layer may result in the formation of a plurality of pores in the metal structure. In some embodiments, the metal structure may include a first end region, a second end region, and an intermediate region. Before etching the masking layer, a protective layer may be formed above the first end region and the second end region, so that the plurality of pores is contained within the intermediate region. In some embodiments, the intermediate metal region may be a nanostructure such as a nanowire.

    摘要翻译： 用于形成多孔金属结构的方法和所得到的结构可以包括在基底上形成金属结构。 可以在金属结构上方形成掩模层，然后使用具有掩模蚀刻剂和金属蚀刻剂的反应离子蚀刻工艺进行蚀刻。 蚀刻掩模层可能导致在金属结构中形成多个孔。 在一些实施例中，金属结构可以包括第一端区域，第二端区域和中间区域。 在蚀刻掩模层之前，可以在第一端区域和第二端区域上形成保护层，使得多个孔隙包含在中间区域内。 在一些实施方案中，中间金属区域可以是纳米结构，例如纳米线。

    Nanogap in-between noble metals
    4.
    发明申请
    Nanogap in-between noble metals 有权
    贵金属之间的纳米胶

    公开(公告)号：US20140302675A1

    公开(公告)日：2014-10-09

    申请号：US13856471

    申请日：2013-04-04

    申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

    发明人： Yann Astier ,  Jingwei Bai ,  Michael F. Lofaro ,  Satyavolu S. Papa Rao ,  Joshua T. Smith ,  Chao Wang

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： H01L21/30625 ,  B81B2201/0214 ,  B81C1/00087 ,  G01N33/48721

    摘要： A nanogap of controlled width in-between noble metals is produced using sidewall techniques and chemical-mechanical-polishing. Electrical connections are provided to enable current measurements across the nanogap for analytical purposes. The nanogap in-between noble metals may also be formed inside a Damascene trench. The nanogap in-between noble metals may also be inserted into a crossed slit nanopore framework. A noble metal layer on the side of the nanogap may have sub-layers serving the purpose of multiple simultaneous electrical measurements.

    摘要翻译： 使用侧壁技术和化学机械抛光产生在贵金属之间的受控宽度的纳米隙。 提供电连接以实现跨越纳米隙的电流测量用于分析目的。 贵金属之间的纳米隙也可以形成在镶嵌槽内。 贵金属之间的纳米隙也可以插入交叉的狭缝纳米孔框架中。 在纳米隙侧面上的贵金属层可以具有用于多次同时电测量的子层。

    ELECTRO-FLUIDIC FLOW PROBE
    6.
    发明申请
    ELECTRO-FLUIDIC FLOW PROBE 审中-公开
    电流流动探头

    公开(公告)号：US20150300973A1

    公开(公告)日：2015-10-22

    申请号：US14744099

    申请日：2015-06-19

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Yann Andre Nicolas Astier ,  Jingwei Bai ,  Young Hoon Kwark ,  Stanislav Polonsky ,  Joshua T. Smith

    IPC分类号： G01N27/26

    CPC分类号： B01L3/50273 ,  B01L2400/0421 ,  G01N27/4473 ,  G01N27/44791 ,  G01N27/453 ,  G01R31/2601 ,  H01L22/14

    摘要： An apparatus for an electro-fluidic flow probe includes a body portion including an electro-fluidic bias tee for receiving (i) a fluid electrolyte and (ii) an electrical connection for providing an electrical potential to the fluid electrolyte; a first inlet including a tube extending from the first inlet to an outlet through the electro-fluidic bias tee; and a second inlet including the electrical connection having a wire that extends from the second inlet to the outlet through the electro-fluidic bias tee to transfer the electrical potential to a device under test.

    摘要翻译： 一种用于电流流动探针的装置，包括主体部分，其包括用于接收（i）流体电解质和（ii）用于向流体电解质提供电势的电连接的电流偏压三通管; 第一入口，其包括从第一入口延伸到通过电流偏置三通的出口的管; 以及包括电连接的第二入口，所述电连接具有从所述第二入口延伸到所述出口通过所述电流偏置三通的导线，以将所述电位转移到被测器件。

    Nanochannel process and structure for bio-detection
    9.
    发明授权
    Nanochannel process and structure for bio-detection 有权
    纳米通道工艺和生物检测结构

    公开(公告)号：US09059135B2

    公开(公告)日：2015-06-16

    申请号：US13969595

    申请日：2013-08-18

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Jingwei Bai ,  Evan G. Colgan ,  Christopher V. Jahnes ,  Stanislav Polonsky

    IPC分类号： G01N27/403 ,  H01L29/40 ,  G01N27/414 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238

    CPC分类号： H01L29/401 ,  G01N27/403 ,  G01N27/4148 ,  H01L21/283 ,  H01L21/823871

    摘要： Nanochannel sensors and methods for constructing nanochannel sensors. An example method includes forming a sacrificial line on an insulating layer, forming a dielectric layer, etching a pair of electrode trenches, forming a pair of electrodes, and removing the sacrificial line to form a nanochannel. The dielectric layer may be formed on insulating layer and around the sacrificial line. The pair of electrode trenches may be etched in the dielectric layer on opposite sides of the sacrificial line. The pair of electrodes may be formed by filling the electrode trenches with electrode material. The sacrificial line may be removed by forming a nanochannel between the at least one pair of electrodes.

    摘要翻译： 纳米通道传感器和构造纳米通道传感器的方法。 示例性方法包括在绝缘层上形成牺牲线，形成电介质层，蚀刻一对电极沟槽，形成一对电极，以及去除牺牲线以形成纳米通道。 介电层可以形成在绝缘层上和牺牲线周围。 可以在牺牲线的相对侧上的电介质层中蚀刻该对电极沟槽。 可以通过用电极材料填充电极沟槽来形成该对电极。 可以通过在至少一对电极之间形成纳米通道来去除牺牲线。

    NANOPOROUS STRUCTURES BY REACTIVE ION ETCHING
    10.
    发明申请
    NANOPOROUS STRUCTURES BY REACTIVE ION ETCHING 有权
    通过反应离子蚀刻的纳米结构

    公开(公告)号：US20140370326A1

    公开(公告)日：2014-12-18

    申请号：US13920125

    申请日：2013-06-18

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Yann Astier ,  Jingwei Bai ,  Robert L. Bruce ,  Aaron D. Franklin ,  Joshua T. Smith

    IPC分类号： H01B13/00 ,  H01B5/00

    CPC分类号： G01N33/005 ,  B82B3/008 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  C22C1/08 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C14/00 ,  C22C28/00 ,  C23F4/00 ,  G01N27/414 ,  H01L21/02 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/888 ,  Y10T428/12479

    摘要： A method for forming porous metal structures and the resulting structure may include forming a metal structure above a substrate. A masking layer may be formed above the metal structure, and then etched using a reactive ion etching process with a mask etchant and a metal etchant. Etching the masking layer may result in the formation of a plurality of pores in the metal structure. In some embodiments, the metal structure may include a first end region, a second end region, and an intermediate region. Before etching the masking layer, a protective layer may be formed above the first end region and the second end region, so that the plurality of pores is contained within the intermediate region. In some embodiments, the intermediate metal region may be a nanostructure such as a nanowire.

    摘要翻译： 用于形成多孔金属结构的方法和所得到的结构可以包括在基底上形成金属结构。 可以在金属结构上方形成掩模层，然后使用具有掩模蚀刻剂和金属蚀刻剂的反应离子蚀刻工艺进行蚀刻。 蚀刻掩模层可能导致在金属结构中形成多个孔。 在一些实施例中，金属结构可以包括第一端区域，第二端区域和中间区域。 在蚀刻掩模层之前，可以在第一端区域和第二端区域上形成保护层，使得多个孔隙包含在中间区域内。 在一些实施方案中，中间金属区域可以是纳米结构，例如纳米线。