公开(公告)号：US20140062530A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13044045

申请日：2011-03-09

Applicant: Guo-Xing Miao ,  Jagadeesh S. Moodera

Inventor： Guo-Xing Miao ,  Jagadeesh S. Moodera

IPC: G11C11/16 ,  H01L43/12

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: A magnetic memory cell is provided that includes a free layer that is pinned on both of its sides to form one or more domain wall structures. The one or more domain wall structures define one or more logic states by controlling the motion of the one or more domain wall structures.

Abstract translation: 提供了一种磁存储器单元，其包括被固定在其两侧上的自由层以形成一个或多个畴壁结构。 一个或多个畴壁结构通过控制一个或多个畴壁结构的运动来定义一个或多个逻辑状态。