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    LITHIUM NIOBITE COMPOSITIONS, SYNTHESES, DEVICES, AND STRUCTURES
    6.
    发明申请
    LITHIUM NIOBITE COMPOSITIONS, SYNTHESES, DEVICES, AND STRUCTURES 审中-公开
    锂离子组合物，合成，器件和结构

    公开(公告)号：US20160010221A1

    公开(公告)日：2016-01-14

    申请号：US14636654

    申请日：2015-03-03

    申请人： Georgia Tech Research Corporation

    发明人： William Alan Doolittle ,  Chloe A. M. Fabien ,  Jordan Douglas Greenlee ,  Brendan Patrick Gunning ,  Joshua C. Shank ,  Marshall B. Tellekamp, JR.

    IPC分类号： C25B1/14 ,  C25B11/04 ,  C01G33/00

    CPC分类号： C25B1/14 ,  C01G33/00 ,  C01P2002/70 ,  C01P2002/85 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  C25B1/00 ,  C25B11/04

    摘要： Metal oxide structures, devices, and fabrication methods are provided. In addition, applications of such structures, devices, and methods are provided. In some embodiments, an oxide material can include a substrate and a single-crystal epitaxial layer of an oxide composition disposed on a surface of the substrate, where the oxide composition is represented by ABO2 such that A is a lithium cation, B is a cation selected from the group consisting of trivalent transition metal cations, trivalent lanthanide cations, trivalent actinide cations, trivalent p-block cations, and combinations thereof, and O is an oxygen anion. The ABO2 can be a high purity ABO2, with less than 1 atom % each of sodium, carbon, boron, and fluorine. The ABO2 can be prepared by a liquid phase electro-epitaxy using a molten solution of a metal oxide and LiBO2.

    摘要翻译： 提供了金属氧化物结构，器件和制造方法。 此外，还提供了这种结构，装置和方法的应用。 在一些实施例中，氧化物材料可以包括衬底和设置在衬底的表面上的氧化物组合物的单晶外延层，其中氧化物组成由ABO 2表示，使得A是锂阳离子，B是阳离子 选自三价过渡金属阳离子，三价镧系阳离子，三价锕系阳离子，三价p-嵌段阳离子及其组合，O为氧阴离子。 ABO2可以是高纯度ABO2，每个钠，碳，硼和氟少于1原子％。 ABO2可以通过使用金属氧化物和LiBO 2的熔融溶液的液相电沉积来制备。

    Systems And Methods For Growing A Non-Phase Separated Group-III Nitride Semiconductor Alloy
    7.
    发明申请
    Systems And Methods For Growing A Non-Phase Separated Group-III Nitride Semiconductor Alloy 有权
    用于生长非相分离III族氮化物半导体合金的系统和方法

    公开(公告)号：US20160009556A1

    公开(公告)日：2016-01-14

    申请号：US14860226

    申请日：2015-09-21

    申请人： GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION

    发明人： Michael William Moseley ,  William Alan Doolittle

    IPC分类号： C01B21/06 ,  H01L29/30 ,  H01L29/20

    CPC分类号： C01B21/0632 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/90 ,  C30B23/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/2056 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/30

    摘要： Systems and methods for MBE growing of group-III Nitride alloys, comprising establishing an average reaction temperature range from about 250 C to about 850 C; introducing a nitrogen flux at a nitrogen flow rate; introducing a first metal flux at a first metal flow rate; and periodically stopping and restarting the first metal flux according to a first flow duty cycle. According to another embodiment, the system comprises a nitrogen source that provides nitrogen at a nitrogen flow rate, and, a first metal source comprising a first metal effusion cell that provides a first metal at a first metal flow rate, and a first metal shutter that periodically opens and closes according to a first flow duty cycle to abate and recommence the flow of the first metal from the first metal source. Produced alloys include AN, InN, GaN, InGaN, and AlInGaN.

    摘要翻译： 包括III-III族氮化物合金的MBE生长的系统和方法，包括建立约250℃至约850℃的平均反应温度范围; 在氮气流速下引入氮气通量; 以第一金属流速引入第一金属焊剂; 并且根据第一流量占空比周期性地停止和重新启动第一金属焊剂。 根据另一个实施方案，该系统包括以氮气流速提供氮气的氮源，以及第一金属源，其包括以第一金属流速提供第一金属的第一金属渗出池和第一金属快门， 根据第一流动占空比周期性地打开和关闭以消除并重新开始来自第一金属源的第一金属的流动。 生产的合金包括AN，InN，GaN，InGaN和AlInGaN。