公开(公告)号：US07803673B2

公开(公告)日：2010-09-28

申请号：US11871457

申请日：2007-10-12

申请人： Duck-Jung Lee ,  Dae-Ho Song ,  Kyung-Seop Kim ,  Yong-Eui Lee

发明人： Duck-Jung Lee ,  Dae-Ho Song ,  Kyung-Seop Kim ,  Yong-Eui Lee

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733

摘要： A method of manufacturing a thin film transistor (“TFT”) substrate includes forming a gate insulating film and an active layer on a substrate, forming a data metal layer including a first, second, and third metal layers on the active layer, forming a first photoresist pattern on the data metal layer, dry-etching the third metal layer by using the first photoresist pattern, simultaneously dry-etching the second and first metal layers by using the first photoresist pattern, dry-etching the active layer by using the first photoresist pattern, etching the first photoresist pattern to form a second photoresist pattern by which the channel region is removed and forming a source electrode and a drain electrode by dry-etching the channel region of the data metal layer by using the second photoresist pattern.

摘要翻译： 一种制造薄膜晶体管（“TFT”）基板的方法包括在基板上形成栅绝缘膜和有源层，在有源层上形成包括第一，第二和第三金属层的数据金属层，形成 在数据金属层上的第一光致抗蚀剂图案，通过使用第一光致抗蚀剂图案对第三金属层进行干蚀刻，同时使用第一光致抗蚀剂图案对第二和第一金属层进行干蚀刻，使用第一光致抗蚀剂图案 蚀刻第一光致抗蚀剂图案以形成除去沟道区的第二光致抗蚀剂图案，并通过使用第二光致抗蚀剂图案干蚀刻数据金属层的沟道区，形成源电极和漏电极。

公开(公告)号：US20080090342A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11871457

申请日：2007-10-12

申请人： Duck-Jung Lee ,  Dae-Ho Song ,  Kyung-Seop Kim ,  Yong-Eui Lee

发明人： Duck-Jung Lee ,  Dae-Ho Song ,  Kyung-Seop Kim ,  Yong-Eui Lee

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733

摘要： A method of manufacturing a thin film transistor (“TFT”) substrate includes forming a gate insulating film and an active layer on a substrate, forming a data metal layer including a first, second, and third metal layers on the active layer, forming a first photoresist pattern on the data metal layer, dry-etching the third metal layer by using the first photoresist pattern, simultaneously dry-etching the second and first metal layers by using the first photoresist pattern, dry-etching the active layer by using the first photoresist pattern, etching the first photoresist pattern to form a second photoresist pattern by which the channel region is removed and forming a source electrode and a drain electrode by dry-etching the channel region of the data metal layer by using the second photoresist pattern.

摘要翻译： 一种制造薄膜晶体管（“TFT”）基板的方法包括在基板上形成栅绝缘膜和有源层，在有源层上形成包括第一，第二和第三金属层的数据金属层，形成 在数据金属层上的第一光致抗蚀剂图案，通过使用第一光致抗蚀剂图案对第三金属层进行干蚀刻，同时使用第一光致抗蚀剂图案对第二和第一金属层进行干蚀刻，使用第一光致抗蚀剂图案 蚀刻第一光致抗蚀剂图案以形成除去沟道区的第二光致抗蚀剂图案，并通过使用第二光致抗蚀剂图案干蚀刻数据金属层的沟道区，形成源电极和漏电极。

公开(公告)号：US20070064166A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11516227

申请日：2006-09-06

申请人： Han-Ju Lee ,  Kook-Hyun Choi ,  Kyung-Seop Kim ,  Yong-Eui Lee ,  Duck-Jung Lee ,  Jae-Hong Jeon ,  Yeong-Beom Lee ,  Jae-Hun Chung ,  Jang-Bog Ju

发明人： Han-Ju Lee ,  Kook-Hyun Choi ,  Kyung-Seop Kim ,  Yong-Eui Lee ,  Duck-Jung Lee ,  Jae-Hong Jeon ,  Yeong-Beom Lee ,  Jae-Hun Chung ,  Jang-Bog Ju

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： G02F1/136227

摘要： An array substrate including a plurality of pixel regions transmitting light includes a switching element disposed in each of the pixel regions defined by gate and source lines, wherein the switching element is electrically connected to the gate and source lines, a pixel electrode electrically connected to the switching element, a first insulating layer disposed on the switching element, and a second insulating layer disposed under the first insulating layer, wherein a thickness of the second insulating layer is dependent on a peak wavelength of red light.

摘要翻译： 包括透射光的多个像素区域的阵列基板包括设置在由栅极和源极线限定的每个像素区域中的开关元件，其中开关元件电连接到栅极和源极线，像素电极电连接到 开关元件，设置在开关元件上的第一绝缘层和设置在第一绝缘层下的第二绝缘层，其中第二绝缘层的厚度取决于红光的峰值波长。

公开(公告)号：US07675590B2

公开(公告)日：2010-03-09

申请号：US11516227

申请日：2006-09-06

申请人： Han-Ju Lee ,  Kook-Hyun Choi ,  Kyung-Seop Kim ,  Yong-Eui Lee ,  Duck-Jung Lee ,  Jae-Hong Jeon ,  Yeong-Beom Lee ,  Jae-Hun Chung ,  Jang-Bog Ju

发明人： Han-Ju Lee ,  Kook-Hyun Choi ,  Kyung-Seop Kim ,  Yong-Eui Lee ,  Duck-Jung Lee ,  Jae-Hong Jeon ,  Yeong-Beom Lee ,  Jae-Hun Chung ,  Jang-Bog Ju

IPC分类号： G02F1/1335

CPC分类号： G02F1/136227

摘要： An array substrate including a plurality of pixel regions transmitting light includes a switching element disposed in each of the pixel regions defined by gate and source lines, wherein the switching element is electrically connected to the gate and source lines, a pixel electrode electrically connected to the switching element, a first insulating layer disposed on the switching element, and a second insulating layer disposed under the first insulating layer, wherein a thickness of the second insulating layer is dependent on a peak wavelength of red light.

摘要翻译： 包括透射光的多个像素区域的阵列基板包括设置在由栅极和源极线限定的每个像素区域中的开关元件，其中开关元件电连接到栅极和源极线，像素电极电连接到 开关元件，设置在开关元件上的第一绝缘层和设置在第一绝缘层下的第二绝缘层，其中第二绝缘层的厚度取决于红光的峰值波长。