公开(公告)号：US07803673B2

公开(公告)日：2010-09-28

申请号：US11871457

申请日：2007-10-12

申请人： Duck-Jung Lee ,  Dae-Ho Song ,  Kyung-Seop Kim ,  Yong-Eui Lee

发明人： Duck-Jung Lee ,  Dae-Ho Song ,  Kyung-Seop Kim ,  Yong-Eui Lee

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733

摘要： A method of manufacturing a thin film transistor (“TFT”) substrate includes forming a gate insulating film and an active layer on a substrate, forming a data metal layer including a first, second, and third metal layers on the active layer, forming a first photoresist pattern on the data metal layer, dry-etching the third metal layer by using the first photoresist pattern, simultaneously dry-etching the second and first metal layers by using the first photoresist pattern, dry-etching the active layer by using the first photoresist pattern, etching the first photoresist pattern to form a second photoresist pattern by which the channel region is removed and forming a source electrode and a drain electrode by dry-etching the channel region of the data metal layer by using the second photoresist pattern.

摘要翻译： 一种制造薄膜晶体管（“TFT”）基板的方法包括在基板上形成栅绝缘膜和有源层，在有源层上形成包括第一，第二和第三金属层的数据金属层，形成 在数据金属层上的第一光致抗蚀剂图案，通过使用第一光致抗蚀剂图案对第三金属层进行干蚀刻，同时使用第一光致抗蚀剂图案对第二和第一金属层进行干蚀刻，使用第一光致抗蚀剂图案 蚀刻第一光致抗蚀剂图案以形成除去沟道区的第二光致抗蚀剂图案，并通过使用第二光致抗蚀剂图案干蚀刻数据金属层的沟道区，形成源电极和漏电极。

公开(公告)号：US20130208222A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：US13587443

申请日：2012-08-16

申请人： Dae-Ho SONG ,  Young-Jin PARK ,  Gyeong-Eun EOH ,  Sung-Chan JO ,  Sang-Wan SO

发明人： Dae-Ho SONG ,  Young-Jin PARK ,  Gyeong-Eun EOH ,  Sung-Chan JO ,  Sang-Wan SO

IPC分类号： C07D333/24 ,  B29D11/00 ,  C07D409/04 ,  G02F1/1337 ,  C09K19/34 ,  C07D333/32

CPC分类号： C07D333/16 ,  C07D333/32 ,  C09K19/3491 ,  C09K2019/0448 ,  G02F1/133703 ,  G02F2202/023

摘要： A reactive mesogen compound, a liquid crystal composition including the reactive mesogen compound, a method of manufacturing a display panel, and a display panel are disclosed. The reactive mesogen compound may be activated by light having a wavelength between about 300 nm and about 700 nm.

摘要翻译： 公开了一种反应性液晶元素化合物，包含反​​应性液晶组合物的液晶组合物，显示面板的制造方法和显示面板。 反应性介晶化合物可以由波长在约300nm至约700nm之间的光激活。

公开(公告)号：US20080090342A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11871457

申请日：2007-10-12

申请人： Duck-Jung Lee ,  Dae-Ho Song ,  Kyung-Seop Kim ,  Yong-Eui Lee

发明人： Duck-Jung Lee ,  Dae-Ho Song ,  Kyung-Seop Kim ,  Yong-Eui Lee

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733

摘要： A method of manufacturing a thin film transistor (“TFT”) substrate includes forming a gate insulating film and an active layer on a substrate, forming a data metal layer including a first, second, and third metal layers on the active layer, forming a first photoresist pattern on the data metal layer, dry-etching the third metal layer by using the first photoresist pattern, simultaneously dry-etching the second and first metal layers by using the first photoresist pattern, dry-etching the active layer by using the first photoresist pattern, etching the first photoresist pattern to form a second photoresist pattern by which the channel region is removed and forming a source electrode and a drain electrode by dry-etching the channel region of the data metal layer by using the second photoresist pattern.

摘要翻译： 一种制造薄膜晶体管（“TFT”）基板的方法包括在基板上形成栅绝缘膜和有源层，在有源层上形成包括第一，第二和第三金属层的数据金属层，形成 在数据金属层上的第一光致抗蚀剂图案，通过使用第一光致抗蚀剂图案对第三金属层进行干蚀刻，同时使用第一光致抗蚀剂图案对第二和第一金属层进行干蚀刻，使用第一光致抗蚀剂图案 蚀刻第一光致抗蚀剂图案以形成除去沟道区的第二光致抗蚀剂图案，并通过使用第二光致抗蚀剂图案干蚀刻数据金属层的沟道区，形成源电极和漏电极。