公开(公告)号：US20160322224A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：US15107710

申请日：2014-12-10

申请人： Dow Global Technologies LLC

发明人： Robert J. WRIGHT ,  Anatoliy N. SOKOLOV ,  George L. ATHENS ,  Peter N. NICKIAS ,  James C. STEVENS ,  Liam L. SPENCER ,  Bruce B. GERHART ,  Anna M. PICKENS

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  C07F9/74 ,  H01L21/324 ,  C09D5/24 ,  C07F9/72

CPC分类号： H01L21/02546 ,  C01G28/00 ,  C07F9/72 ,  C07F9/74 ,  C07F19/00 ,  C09D5/24 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1275 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/3245 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544

摘要： The present invention provides methods for using single source organometallic precursors in the fabrication of polycrystalline Group III-Group V compounds, preferably semiconductor compounds. The present invention teaches how to select organometallic ligands in single-source precursors in order to control the stoichiometry of the corresponding Group III-Group V compounds derived from these precursors. The present invention further teaches how to anneal precursors in the presence of one or more flux agents in order to increase the crystalline grain size of polycrystalline Group III-Group V compounds derived from organometallic precursors. This helps to provide Group III-Group V semiconductors with better electronic properties. The flux layer also helps to control the stoichiometry of the Group III-Group V compounds.

摘要翻译： 本发明提供了在制造多晶III-V族化合物，优选半导体化合物中使用单源有机金属前体的方法。 本发明教导了如何选择单源前体中的有机金属配体以控制衍生自这些前体的相应的第III族V族化合物的化学计量。 本发明进一步教导了如何在一种或多种助熔剂的存在下对前体进行退火，以增加衍生自有机金属前驱体的多晶III-V族化合物的晶粒尺寸。 这有助于提供具有更好电子性能的III-V族半导体。 磁通层还有助于控制III族V族化合物的化学计量。