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    Method of manufacturing interconnect
    1.
    发明授权
    Method of manufacturing interconnect 失效
    制造互连的方法

    公开(公告)号：US06218294B1

    公开(公告)日：2001-04-17

    申请号：US09293420

    申请日：1999-04-16

    申请人： Chien-Chih Lin ,  Shu-Jen Chen ,  William Lu

    发明人： Chien-Chih Lin ,  Shu-Jen Chen ,  William Lu

    IPC分类号： H01L2144

    CPC分类号： H01L21/76819 ,  H01L21/76802

    摘要： A method of manufacturing an interconnect. A first conductive layer is formed on the wafer. Portions of the first conductive layer are removed to form a wire in the interior region and to expose the surface of the wafer in the edge region, simultaneously. An insulating layer is formed on the wire and the wafer. An opening is formed to penetrate through the insulating layer and exposes the wire. A second conductive layer is formed on the insulating layer and fills the opening.

    摘要翻译： 制造互连的方法。 在晶片上形成第一导电层。 第一导电层的部分被去除以在内部区域中形成导线并且同时在边缘区域中暴露晶片的表面。 在导线和晶片上形成绝缘层。 形成开口以穿透绝缘层并使线暴露。 在绝缘层上形成第二导电层并填充开口。

    Treatment of antibiotic-resistant bacteria infection
    2.
    发明授权
    Treatment of antibiotic-resistant bacteria infection 有权
    治疗抗生素耐药细菌感染

    公开(公告)号：US08211909B2

    公开(公告)日：2012-07-03

    申请号：US12206060

    申请日：2008-09-08

    申请人： Ming-Chu Hsu ,  Chi-Hsin Richard King ,  Shu-Jen Chen ,  Luke Lin

    发明人： Ming-Chu Hsu ,  Chi-Hsin Richard King ,  Shu-Jen Chen ,  Luke Lin

    IPC分类号： A61K31/47

    CPC分类号： A61K31/4709

    摘要： This invention relates to a method of treating infection by methicillin-nonsusceptibale bacteria, vancomycin-nonsusceptibale bacteria, penicillin-nonsusceptibale bacteria, clarithromycin-nonsusceptibale bacteria, or metronidazole-nonsusceptibale bacteria by administering to a subject in need thereof an effective amount of a compound of the following formula:

    摘要翻译： 本发明涉及一种通过向有需要的受试者施用有效量的化合物的方法来治疗甲氧西林非感染性细菌，万古霉素 - 非感染性细菌，青霉素 - 非吸收性细菌，克拉霉素 - 非吸收性细菌或甲硝唑 - 非吸收性细菌的感染， 以下公式：

    Multi-film capping layer for a salicide process
    6.
    发明授权
    Multi-film capping layer for a salicide process 有权
    用于自杀过程的多层覆盖层

    公开(公告)号：US06462390B1

    公开(公告)日：2002-10-08

    申请号：US09672234

    申请日：2000-09-27

    申请人： Ming-Shing Chen ,  Shu-Jen Chen ,  Jy-Hwang Lin ,  Kuen-Syh Tseng

    发明人： Ming-Shing Chen ,  Shu-Jen Chen ,  Jy-Hwang Lin ,  Kuen-Syh Tseng

    IPC分类号： H01L21336

    CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/28044 ,  H01L29/4933

    摘要： A multi-film capping layer having a cobalt layer, a barrier layer, and a stuffing layer is disclosed, wherein the barrier layer isolates the cobalt layer from the stuffing layer. The multi-film capping layer is formed on a gate transistor and applicable to a self-aligned silicide (salicide) process, so that a sheet resistance of the salicide layer on conductive regions of the gate transistor is significantly reduced. The stuffing layer further prevents entry of oxygen or moisture to the salicide layer, thus no cobalt oxide is formed when RTP is performed. Without formation of the cobalt oxide, the salicide process is free from the bridging issue and the filament issue.

    摘要翻译： 公开了具有钴层，阻挡层和填充层的多层覆盖层，其中阻挡层将钴层与填料层隔离。 多层覆盖层形成在栅极晶体管上并且可应用于自对准硅化物（自对准硅化物）工艺，使得栅极晶体管的导电区域上的自对准硅化物层的薄层电阻显着降低。 填充层进一步防止氧化物或水分进入自对准硅化物层，因此在进行RTP时不会形成氧化钴。 不形成氧化钴，自对准硅化物工艺没有桥接问题和灯丝问题。

    METHOD OF MANUFACTURING CONDUCTIVE LAYER
    8.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING CONDUCTIVE LAYER 审中-公开
    制造导电层的方法

    公开(公告)号：US20070049009A1

    公开(公告)日：2007-03-01

    申请号：US11162119

    申请日：2005-08-30

    申请人： Chia-Lin Hsu ,  Liang-Yuan Fang ,  Shu-Jen Chen

    发明人： Chia-Lin Hsu ,  Liang-Yuan Fang ,  Shu-Jen Chen

    IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/76861

    摘要： A method of manufacturing a conductive layer is described. A substrate having a dielectric layer thereon is provided. The dielectric layer has a patterned structure and the patterned structure exposes a portion of the conductive layer. The surface of the substrate is cleaned in a first cleaning step and a cap layer is formed over the exposed portion of the conductive layer. Thereafter, the surface of the substrate is cleaned again in a second cleaning step to remove the residual cap layer on the surface of the dielectric layer. Finally, a dry cleaning step is performed to clean and dry the surface of the substrate.

    摘要翻译： 对导电层的制造方法进行说明。 提供其上具有介电层的基板。 介电层具有图案化结构，并且图案化结构暴露导电层的一部分。 在第一清洁步骤中清洁基板的表面，并且在导电层的暴露部分上形成盖层。 此后，在第二清洁步骤中再次清洁基板的表面，以去除介电层表面上的剩余盖层。 最后，进行干洗步骤以清洁和干燥基材的表面。

    Method of metallization in the fabrication of integrated circuit devices
    9.
    发明申请
    Method of metallization in the fabrication of integrated circuit devices 审中-公开
    集成电路器件制造中的金属化方法

    公开(公告)号：US20060110917A1

    公开(公告)日：2006-05-25

    申请号：US11163055

    申请日：2005-10-03

    申请人： Shu-Jen Chen ,  Chia-Lin Hsu ,  Kun-Hsien Lin

    发明人： Shu-Jen Chen ,  Chia-Lin Hsu ,  Kun-Hsien Lin

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/76877

    摘要： The method of metallization in the fabrication of an integrated circuit device comprises the steps as follows. First, a dielectric layer overlying a semiconductor substrate is provided. The dielectric layer has a top surface and a plurality of openings. Next, a metal layer is formed on the dielectric layer and filling the openings. Subsequently, a first removing process is performed to partially removing the metal layer. A first annealing process is performed on the metal layer. Finally, a second removing process is performed to remove the metal layer completely to leave the metal layer only within the openings.

    摘要翻译： 集成电路器件制造中的金属化方法包括以下步骤。 首先，提供覆盖在半导体衬底上的电介质层。 电介质层具有顶表面和多个开口。 接下来，在电介质层上形成金属层并填充开口。 随后，执行第一去除处理以部分地去除金属层。 在金属层上进行第一退火处理。 最后，进行第二次去除处理，以完全去除金属层，仅将金属层留在开口内。