公开(公告)号：US08922956B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US13152860

申请日：2011-06-03

申请人： Bin Lu ,  Qing He ,  Mark Covington ,  Yunhao Xu ,  Wei Tian

发明人： Bin Lu ,  Qing He ,  Mark Covington ,  Yunhao Xu ,  Wei Tian

IPC分类号： G11B5/39 ,  G01R33/09

CPC分类号： H01L43/08 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/02

摘要： In certain embodiments, a tunneling magneto-resistive (TMR) sensor includes a sensor stack positioned between a seed layer and a cap layer. The seed layer includes a first buffer layer that includes a non-magnetic nickel alloy.In certain embodiments, a sensor stack includes a top and bottom shield and a seed layer positioned adjacent to the bottom shield. The seed layer has a first buffer layer that includes a nickel alloy.

摘要翻译： 在某些实施例中，隧道磁阻（TMR）传感器包括位于种子层和覆盖层之间的传感器堆叠。 种子层包括包含非磁性镍合金的第一缓冲层。 在某些实施例中，传感器堆叠包括顶部和底部屏蔽以及邻近底部屏蔽定位的种子层。 种子层具有包括镍合金的第一缓冲层。

公开(公告)号：US20110298456A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：US13152860

申请日：2011-06-03

申请人： BIN Lu ,  Qing He ,  Mark Covington ,  Yunhao Xu ,  Wei Tian

发明人： BIN Lu ,  Qing He ,  Mark Covington ,  Yunhao Xu ,  Wei Tian

IPC分类号： G01R33/02

CPC分类号： H01L43/08 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/02

摘要： In certain embodiments, a tunneling magneto-resistive (TMR) sensor includes a sensor stack positioned between a seed layer and a cap layer. The seed layer includes a first buffer layer that includes a non-magnetic nickel alloy.In certain embodiments, a sensor stack includes a top and bottom shield and a seed layer positioned adjacent to the bottom shield. The seed layer has a first buffer layer that includes a nickel alloy.

摘要翻译： 在某些实施例中，隧道磁阻（TMR）传感器包括位于种子层和覆盖层之间的传感器堆叠。 种子层包括包含非磁性镍合金的第一缓冲层。 在某些实施例中，传感器堆叠包括顶部和底部屏蔽以及邻近底部屏蔽定位的种子层。 种子层具有包括镍合金的第一缓冲层。