公开(公告)号：US20100246092A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12727549

申请日：2010-03-19

申请人： Akira SHIBUE ,  Yoshihiko Yano ,  Hitoshi Saita ,  Kenji Horino

发明人： Akira SHIBUE ,  Yoshihiko Yano ,  Hitoshi Saita ,  Kenji Horino

IPC分类号： H01G4/06

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H01L28/40

摘要： A thin-film device comprises a base electrode made of a metal, a first dielectric layer, a first inner electrode, a second dielectric layer, a second inner electrode, and a third dielectric layer. Letting T1 be the thickness of the lowermost first dielectric layer in contact with the base electrode in the plurality of dielectric layers, and Tmin be the thickness of the thinnest dielectric layer in the plurality of dielectric layers excluding the first dielectric layer, T1>Tmin. Making the first dielectric layer thicker than the thinnest, dielectric layer in the other dielectric layers can increase the distance between a metal part projecting from a metal surface because of the surface roughness of the base electrode and the inner electrode mounted on the lowermost dielectric layer, thereby reducing leakage currents.

摘要翻译： 薄膜器件包括由金属制成的基极，第一介电层，第一内部电极，第二电介质层，第二内部电极和第三电介质层。 设T1为与多个电介质层中的基极接触的最低的第一电介质层的厚度，Tmin为除了第一电介质层之外的多个电介质层中最薄的电介质层的厚度，T1> Tmin。 由于基极的表面粗糙度和安装在最下层电介质层上的内电极的表面粗糙度，使得第一电介质层比其他电介质层中最薄的电介质层的电介质层增加了从金属表面突出的金属部分之间的距离， 从而减少漏电流。

公开(公告)号：US08218287B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US12727549

申请日：2010-03-19

申请人： Akira Shibue ,  Yoshihiko Yano ,  Hitoshi Saita ,  Kenji Horino

发明人： Akira Shibue ,  Yoshihiko Yano ,  Hitoshi Saita ,  Kenji Horino

IPC分类号： H01G4/06

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H01L28/40

摘要： A thin-film device comprises a base electrode made of a metal, a first dielectric layer, a first inner electrode, a second dielectric layer, a second inner electrode, and a third dielectric layer. Letting T1 be the thickness of the lowermost first dielectric layer in contact with the base electrode in the plurality of dielectric layers, and Tmin be the thickness of the thinnest dielectric layer in the plurality of dielectric layers excluding the first dielectric layer, T1>Tmin. Making the first dielectric layer thicker than the thinnest, dielectric layer in the other dielectric layers can increase the distance between a metal part projecting from a metal surface because of the surface roughness of the base electrode and the inner electrode mounted on the lowermost dielectric layer, thereby reducing leakage currents.

摘要翻译： 薄膜器件包括由金属制成的基极，第一介电层，第一内部电极，第二电介质层，第二内部电极和第三电介质层。 设T1为与多个电介质层中的基极接触的最低的第一电介质层的厚度，Tmin为除了第一电介质层之外的多个电介质层中最薄的电介质层的厚度，T1> Tmin。 由于基极的表面粗糙度和安装在最下层电介质层上的内电极的表面粗糙度，使得第一电介质层比其他电介质层中最薄的电介质层的电介质层增加了从金属表面突出的金属部分之间的距离， 从而减少漏电流。

公开(公告)号：US08315038B2

公开(公告)日：2012-11-20

申请号：US12756520

申请日：2010-04-08

申请人： Hitoshi Saita ,  Naoto Tsukamoto ,  Akira Shibue ,  Kenji Horino

发明人： Hitoshi Saita ,  Naoto Tsukamoto ,  Akira Shibue ,  Kenji Horino

IPC分类号： H01G9/02 ,  C04B35/00

CPC分类号： H01G4/33 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/1227 ,  H01L27/016 ,  H01L28/40 ,  H05K1/185

摘要： A thin-film capacitor has a high insulation resistance value with high reliability. The thin-film capacitor includes a dielectric thin film and electrodes opposing each other through the dielectric thin film, the dielectric thin film containing a perovskite-type composite oxide having a composition expressed by (1), Mn, and at least one kind of element M selected from V, Nb, and Ta; wherein the dielectric thin film has an Mn content of 0.05 to 0.45 mol with respect to 100 mol of the composite oxide; and wherein the dielectric thin film has a total element M content of 0.05 to 0.5 mol with respect to 100 mol of the composite oxide: AyBO3  (1) where A is at least one kind of element selected from Ba, Sr, Ca, and Pb, B is at least one kind of element selected from Ti, Zr, Hf, and Sn, and 0.97≦y≦0.995.

摘要翻译： 薄膜电容器具有高可靠性的绝缘电阻值高。 薄膜电容器包括电介质薄膜和通过电介质薄膜彼此相对的电极，该电介质薄膜含有具有由（1）表示的组成的钙钛矿型复合氧化物，Mn和至少一种元素 M选自V，Nb和Ta; 其中所述电介质薄膜相对于所述复合氧化物100摩尔的Mn含量为0.05〜0.45摩尔; 相对于100摩尔的复合氧化物，电介质薄膜的总成分M含量为0.05〜0.5摩尔，AyBO 3（1）其中A为选自Ba，Sr，Ca，Pb中的至少一种元素 ，B是选自Ti，Zr，Hf和Sn中的至少一种元素，以及0.97和nlE; y＆nlE; 0.995。

公开(公告)号：US08498095B2

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：US12956060

申请日：2010-11-30

申请人： Yoshihiko Yano ,  Yasunobu Oikawa ,  Kenji Horino ,  Hitoshi Saita

发明人： Yoshihiko Yano ,  Yasunobu Oikawa ,  Kenji Horino ,  Hitoshi Saita

IPC分类号： H01G4/005 ,  H01G4/20 ,  H01G4/33 ,  H01G4/012

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/005 ,  H01G4/012 ,  H01G4/20

摘要： A thin-film capacitor that is less prone to generation of internal cracking or peeling is provided. In a thin-film capacitor according to the present embodiment, because through holes H are formed in internal electrodes containing Ni as a principal component in a lamination direction, a surface area of at least some of the through holes H is in the range of 0.19 μm2 to 7.0 μm2, and a ratio of a surface area of the through holes H to a surface area of an entire main surface of the internal electrodes is in the range of 0.05% to 5%, peeling or cracking is suppressed from occurring at the boundaries between the internal electrodes and dielectric layers, and as a result, the yield is enhanced.

摘要翻译： 提供了不容易产生内部开裂或剥离的薄膜电容器。 在本实施方式的薄膜电容器中，由于在层叠方向上以Ni为主要成分的内部电极形成贯通孔H，所以贯通孔H的至少一部分的表面积为0.19 m 2〜7.0mum 2，通孔H的表面积与内部电极整个表面的表面积的比例在0.05〜5％的范围内，可以抑制剥离或开裂 内部电极和电介质层之间的边界，结果提高了产率。

公开(公告)号：US07883905B2

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：US11989600

申请日：2006-07-28

申请人： Hitoshi Saita ,  Kiyoshi Uchida ,  Kenji Horino ,  Eri Aizawa

发明人： Hitoshi Saita ,  Kiyoshi Uchida ,  Kenji Horino ,  Eri Aizawa

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1279 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/016 ,  H01L28/55

摘要： It is an object of the invention to provide a process for production of a thin-film capacitor that can simultaneously achieve improved capacity density and reduced leakage current density for barium strontium titanate thin-films. There is provided a process for production of thin-film capacitors that includes a metal oxide thin-film forming step in which an organic dielectric starting material is fired to form a barium strontium titanate thin-film, wherein the firing atmosphere used is an oxygen-containing inert gas atmosphere, and the barium strontium titanate thin-film formed by the process has a larger capacity density than the capacity density of the barium strontium titanate thin-film fired in an oxygen atmosphere.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种可以同时实现钛酸锶钡薄膜的容量密度提高和漏电流密度降低的薄膜电容器的制造方法。 提供一种制造薄膜电容器的方法，其包括金属氧化物薄膜形成步骤，其中将有机介电起始材料烧制以形成钛酸钡锶钡薄膜，其中所用的烧成气氛为氧 - 并且通过该方法形成的钛酸钡锶薄膜的电容密度比在氧气氛中烧制的钛酸钡锶薄膜的容量密度大。

公开(公告)号：US20070230086A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11730154

申请日：2007-03-29

申请人： Hitoshi Saita ,  Yuko Saya ,  Kiyoshi Uchida ,  Kenji Horino

发明人： Hitoshi Saita ,  Yuko Saya ,  Kiyoshi Uchida ,  Kenji Horino

IPC分类号： H01G4/008

CPC分类号： H01G4/008 ,  H01G4/33 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0682 ,  H01L27/0802 ,  H01L27/0811 ,  H01L28/55 ,  H05K1/09 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0355 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/435

摘要： A thin film capacitor with high capacity and low leak current is provided. The thin film capacitor includes a nickel substrate with nickel (Ni) purity of 99.99 weight percent or above, and a dielectric layer and an electrode layer disposed in this order on the nickel substrate. The thin film capacitor is typically manufactured as follows. A precursor dielectric layer is formed on a nickel substrate with nickel purity of 99.99 weight percent or above, and is subjected to annealing to form a dielectric layer. The diffusion of impurities from the nickel substrate to the precursor dielectric layer during annealing is suppressed.

摘要翻译： 提供了具有高容量和低漏电流的薄膜电容器。 薄膜电容器包括镍（Ni）纯度为99.99重量％以上的镍基板，以及依次设置在镍基板上的电介质层和电极层。 薄膜电容器通常如下制造。 在镍基底上形成前体电介质层，其镍纯度为99.99重量％以上，并进行退火以形成电介质层。 抑制了退火时的杂质从镍基体向前体电介质层的扩散。

公开(公告)号：US20060071263A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：US11236724

申请日：2005-09-28

申请人： Kiyoshi Uchida ,  Kenji Horino ,  Hitoshi Saita

发明人： Kiyoshi Uchida ,  Kenji Horino ,  Hitoshi Saita

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L21/02197 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： To provide a dielectric thin with a high dielectric constant, a low leakage current, and stable physical properties and electrical properties and to provide a thin film capacitor or other thin film dielectric device with a high capacitance and high reliability and a method of production of the same, a dielectric thin film containing oxides such as barium strontium titanate expressed by the formula (BaxSr(1-x))aTiO3 (0.5

摘要翻译： 为了提供具有高介电常数，低漏电流和稳定物理性能和电性能的电介质薄膜，并提供具有高电容和高可靠性的薄膜电容器或其它薄膜电介质器件，以及生产的方法 相同的是，含有氧化物如钛酸锶钡的氧化物的电介质薄膜由式（Ba> Sr Sr>>（（（（））TiO TiO TiO TiO TiO TiO TiO TiO TiO TiO TiO TiO TiO TiO TiO TiO TiO TiO TiO （0.5

公开(公告)号：US20060072282A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：US11235051

申请日：2005-09-27

申请人： Kiyoshi Uchida ,  Kenji Horino ,  Hitoshi Saita

发明人： Kiyoshi Uchida ,  Kenji Horino ,  Hitoshi Saita

IPC分类号： H01G4/20

CPC分类号： H01L21/02197 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/016 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： The present invention provides a dielectric thin film whose composition is expressed by the formula (Ba1-xSrx)yTiO3 (0.18≦x≦0.45, 0.96≦y≦1.04), and whose peak intensity ratio I(100)I(110) is from 0.02 to 2.0 when I(100) is the peak intensity of the diffraction line of the (100) plane, and I(110) is the peak intensity of the diffraction line of the (110) plane in an X-ray diffraction chart of the dielectric thin film.

摘要翻译： 本发明提供了一种电介质薄膜，其组成由式（Ba x 1-x x Sr x）y TiO 2 3 （100≤I≤1.0），并且当I（100）为峰强度时，峰强度比I（100）I（110）为0.02〜2.0， （100）面的衍射线和I（110）是电介质薄膜的X射线衍射图中的（110）面的衍射线的峰值强度。

公开(公告)号：US20090176345A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：US11989600

申请日：2006-07-28

申请人： Hitoshi Saita ,  Kiyoshi Uchida ,  Kenji Horino ,  Eri Aizawa

发明人： Hitoshi Saita ,  Kiyoshi Uchida ,  Kenji Horino ,  Eri Aizawa

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1279 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/016 ,  H01L28/55

摘要： It is an object of the invention to provide a process for production of a thin-film capacitor that can simultaneously achieve improved capacity density and reduced leakage current density for barium strontium titanate thin-films. There is provided a process for production of thin-film capacitors that includes a metal oxide thin-film forming step in which an organic dielectric starting material is fired to form a barium strontium titanate thin-film, wherein the firing atmosphere used is an oxygen-containing inert gas atmosphere, and the barium strontium titanate thin-film formed by the process has a larger capacity density than the capacity density of the barium strontium titanate thin-film fired in an oxygen atmosphere.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种可以同时实现钛酸锶钡薄膜的容量密度提高和漏电流密度降低的薄膜电容器的制造方法。 提供一种制造薄膜电容器的方法，其包括金属氧化物薄膜形成步骤，其中将有机介电起始材料烧制以形成钛酸钡锶钡薄膜，其中所用的烧成气氛为氧 - 并且通过该方法形成的钛酸钡锶薄膜的电容密度比在氧气氛中烧制的钛酸钡锶薄膜的容量密度大。

公开(公告)号：US20070278627A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11806824

申请日：2007-06-04

申请人： Shinichiro Kakei ,  Hitoshi Saita ,  Kuniji Koike ,  Kenji Horino

发明人： Shinichiro Kakei ,  Hitoshi Saita ,  Kuniji Koike ,  Kenji Horino

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01G4/005 ,  H01G4/1209

摘要： A dielectric device comprises a dielectric layer and first to nth metal layers (where n is an integer of 2 or greater) in contact with the dielectric layer. At least one of the first to nth metal layers contains a base metal. Interfaces between the first to nth metal layers and the dielectric layer have respective arithmetic mean roughnesses of Ra1 to Ran (nm), while an average value Ram (nm) of the arithmetic mean roughnesses of Ra1 to Ran (nm) and a thickness T (nm) of the dielectric layer satisfy T/Ram≧1.3.

摘要翻译： 电介质器件包括电介质层和与电介质层接触的第一至第n金属层（其中n为2或更大的整数）。 第一至第n金属层中的至少一个含有贱金属。 第一至第n金属层与电介质层之间的接口具有相对于Ra 1至N n（nm）的算术平均粗糙度，而平均值Ram（nm） Ra 1至Ra（nm）的算术平均粗糙度和介电层的厚度T（nm）满足T / Ram> = 1.3。