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    METHOD OF PREPARING SEMICONDUCTOR NANOCRYSTAL COMPOSITIONS
    1.
    发明申请
    METHOD OF PREPARING SEMICONDUCTOR NANOCRYSTAL COMPOSITIONS 有权
    制备半导体纳米复合材料的方法

    公开(公告)号：US20070289491A1

    公开(公告)日：2007-12-20

    申请号：US11680047

    申请日：2007-02-28

    申请人： Adam Peng ,  Margaret Hines ,  Susanthri Perera

    发明人： Adam Peng ,  Margaret Hines ,  Susanthri Perera

    IPC分类号： C09D1/00

    CPC分类号： C01G9/00 ,  B82Y30/00 ,  C01G11/00 ,  C01G13/00 ,  C01G15/00 ,  C01G15/006 ,  C01G21/00 ,  C01G21/21 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/84 ,  C09K11/70

    摘要： A semiconductor nanocrystal composition comprising a Group V to VI semiconductor material and a method of making same. The method includes synthesizing a semiconductor nanocrystal core, where the synthesizing includes dissolving a Group V to VI anion gas in a first solvent to produce a Group V to VI anion precursor, preparing a cation precursor, and reacting the Group V to VI anion precursor with the cation precursor in the presence of a second solvent. The reacting may occur in a high pressure vessel.

    摘要翻译： 包含V-VI族半导体材料的半导体纳米晶体组合物及其制备方法。 该方法包括合成半导体纳米晶核，其中合成包括将V族VI族阴离子气体溶解在第一种溶剂中以产生V族至VI族阴离子前体，制备阳离子前体，并将V族与VI阴离子前体反应， 阳离子前体在第二溶剂存在下进行。 反应可以在高压容器中进行。

    Method of preparing semiconductor nanocrystal compositions
    2.
    发明授权
    Method of preparing semiconductor nanocrystal compositions 有权
    制备半导体纳米晶体组合物的方法

    公开(公告)号：US07850777B2

    公开(公告)日：2010-12-14

    申请号：US11680047

    申请日：2007-02-28

    申请人： Adam Peng ,  Margaret Hines ,  Susanthri Perera

    发明人： Adam Peng ,  Margaret Hines ,  Susanthri Perera

    IPC分类号： C30B9/00

    CPC分类号： C01G9/00 ,  B82Y30/00 ,  C01G11/00 ,  C01G13/00 ,  C01G15/00 ,  C01G15/006 ,  C01G21/00 ,  C01G21/21 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/84 ,  C09K11/70

    摘要： A semiconductor nanocrystal composition comprising a Group V to VI semiconductor material and a method of making same. The method includes synthesizing a semiconductor nanocrystal core, where the synthesizing includes dissolving a Group V to VI anion gas in a first solvent to produce a Group V to VI anion precursor, preparing a cation precursor, and reacting the Group V to VI anion precursor with the cation precursor in the presence of a second solvent. The reacting may occur in a high pressure vessel.

    摘要翻译： 包含V-VI族半导体材料的半导体纳米晶体组合物及其制备方法。 该方法包括合成半导体纳米晶核，其中合成包括将V族VI族阴离子气体溶解在第一种溶剂中以产生V族至VI族阴离子前体，制备阳离子前体，并将V族与VI阴离子前体反应， 阳离子前体在第二溶剂存在下进行。 反应可以在高压容器中进行。

    Semiconductor Nanocrystal Synthesis Using a Catalyst Assisted Two-phase Reaction
    6.
    发明申请
    Semiconductor Nanocrystal Synthesis Using a Catalyst Assisted Two-phase Reaction 失效
    使用催化剂辅助两相反应的半导体纳米晶体合成

    公开(公告)号：US20100226849A1

    公开(公告)日：2010-09-09

    申请号：US12713786

    申请日：2010-02-26

    申请人： Adam Peng

    发明人： Adam Peng

    IPC分类号： C01B19/04

    CPC分类号： C01B19/005 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/64

    摘要： A method for producing a high yield of high quality, low size distribution, and size tunable semiconductor nanocrystals. The method produces III-V, II-VI, II-V, IV-VI, IV, ternary, quarternary, and quinary semiconductor nanocrystals (quantum dots) using a catalyst assisted two-phase reaction.

    摘要翻译： 一种生产高产量的高品质，低尺寸分布和尺寸可调谐的半导体纳米晶体的方法。 该方法使用催化剂辅助的两相反应产生III-V，II-VI，II-V，IV-VI，IV，三元，四元和二价半导体纳米晶体（量子点）。