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    Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition, actinic-ray- or radiation-sensitive film therefrom and method of forming pattern
    1.
    发明授权
    Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition, actinic-ray- or radiation-sensitive film therefrom and method of forming pattern 有权
    光化学射线或辐射敏感性树脂组合物，其光化学射线或辐射敏感膜及其形成图案的方法

    公开(公告)号：US08865389B2

    公开(公告)日：2014-10-21

    申请号：US13246618

    申请日：2011-09-27

    申请人： Shuji Hirano ,  Hidenori Takahashi ,  Hideaki Tsubaki

    发明人： Shuji Hirano ,  Hidenori Takahashi ,  Hideaki Tsubaki

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004

    CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397

    摘要： Provided is an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition, including a resin comprising a repeating unit (A), the a repeating unit (A) containing a structural moiety (S1) that when acted on by an acid, is decomposed to thereby generate an alkali-soluble group and a structural moiety (S2) that when acted on by an alkali developer, is decomposed to thereby increase its rate of dissolution in the alkali developer, and a repeating unit (B) that when exposed to actinic rays or radiation, generates an acid.

    摘要翻译： 本发明提供一种光化学射线或辐射敏感性树脂组合物，其包含含有重复单元（A）的树脂，含有结构部分（S1）的重复单元（A），其在被酸作用时分解成 从而产生碱溶性基团和结构部分（S2），当被碱显影剂作用时，其分解，从而增加其在碱性显影剂中的溶解速率，以及当暴露于光化射线时的重复单元（B） 或辐射，产生酸。

    Positive resist composition and pattern forming method using the same
    4.
    发明授权
    Positive resist composition and pattern forming method using the same 有权
    正型抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法

    公开(公告)号：US08124310B2

    公开(公告)日：2012-02-28

    申请号：US12239130

    申请日：2008-09-26

    申请人： Shuji Hirano ,  Shinichi Sugiyama

    发明人： Shuji Hirano ,  Shinichi Sugiyama

    IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

    CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/122

    摘要： A positive resist composition includes: (A) a resin containing a repeating unit represented by formula (I) or (I′) as defined in the specification, of which solubility in an alkali developer increases under an action of an acid; and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation: and a pattern forming method uses the positive resist composition.

    摘要翻译： 正型抗蚀剂组合物包括：（A）含有本说明书中定义的式（I）或（I'）表示的重复单元的树脂，其在碱显影剂中的溶解度在酸的作用下增加; 和（B）能够在用光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物，并且图案形成方法使用正性抗蚀剂组合物。

    ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME AND PATTERN FORMING METHOD
    6.
    发明申请
    ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME AND PATTERN FORMING METHOD 有权
    化学敏感性或辐射敏感性树脂组合物，使用它们的抗静电膜和图案形成方法

    公开(公告)号：US20120003586A1

    公开(公告)日：2012-01-05

    申请号：US13257069

    申请日：2010-03-23

    申请人： Kana Fujii ,  Shuji Hirano ,  Shinki Yamada ,  Toru Fujimori

    发明人： Kana Fujii ,  Shuji Hirano ,  Shinki Yamada ,  Toru Fujimori

    IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004

    CPC分类号： C08F212/14 ,  C08F8/12 ,  C08F220/20 ,  C08F2220/1825 ,  C08K5/375 ,  C08K5/41 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  C08F2220/281 ,  C08F220/30

    摘要： Provided are an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition; a resist film using the composition; and a pattern forming method. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition includes (A) a resin capable of increasing the solubility in an alkali developer by the action of an acid, the resin containing a repeating unit represented by formula (I), a repeating unit represented by formula (II) and a repeating unit represented by formula (III), and (B) a compound capable of generating a fluorine atom-containing acid upon irradiation with an actinic ray or radiation: wherein each of R1 and R11 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent, and R12 represents a phenyl group which may have a substituent.

    摘要翻译： 提供光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物; 使用该组合物的抗蚀剂膜; 和图案形成方法。 光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物包含（A）能够通过酸的作用增加在碱性显影剂中的溶解性的树脂，含有式（I）表示的重复单元的树脂，表示的重复单元 通过式（II）表示的重复单元和式（III）表示的重复单元，和（B）能够在用光化学射线或辐射照射时能够产生含氟原子的酸的化合物：其中R 1和R 11各自独立地表示氢 原子或可以具有取代基的烷基，R12表示可以具有取代基的苯基。

    Positive resist composition and pattern forming method using the same
    8.
    发明授权
    Positive resist composition and pattern forming method using the same 有权
    正型抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法

    公开(公告)号：US07923196B2

    公开(公告)日：2011-04-12

    申请号：US12672329

    申请日：2008-08-01

    申请人： Toru Tsuchihashi ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Shuji Hirano ,  Jiro Yokoyama ,  Shinichi Sugiyama

    发明人： Toru Tsuchihashi ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Shuji Hirano ,  Jiro Yokoyama ,  Shinichi Sugiyama

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F8/12 ,  C08F12/22 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08F2800/10 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/146 ,  C08F220/18 ,  C08F2220/1825 ,  C08F220/14

    摘要： A positive resist composition comprising (A) a resin which contains all of the repeating units represented by formulae (I) to (III), and becomes soluble in an alkali developer by the action of an acid, and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation; and a pattern forming method using the composition. A represents a group capable of decomposing and leaving by the action of an acid, each R1 independently represents hydrogen or a methyl group, R2 represents a phenyl group or a cyclohexyl group, m represents 1 or 2, and n represents an integer of 0 to 2. By virtue of this construction, a resist composition ensuring high resolution, good pattern profile, sufficient depth of focus, little defects after development, and sufficiently high plasma etching resistance is provided.

    摘要翻译： 一种正型抗蚀剂组合物，其包含（A）含有由式（I）至（III）表示的所有重复单元的树脂，并且通过酸的作用变得可溶于碱性显影剂，和（B）能够 在用光化射线或辐射照射时产生酸; 以及使用该组合物的图案形成方法。 A表示能够通过酸的分解和离去的基团，每个R 1独立地表示氢或甲基，R 2表示苯基或环己基，m表示1或2，n表示0〜 通过这种结构，提供了确保高分辨率，良好的图案轮廓，足够的焦深，显影后的小缺陷以及足够高的耐等离子体耐蚀刻性的抗蚀剂组合物。

    POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME
    9.
    发明申请
    POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME 有权
    正极性组合物和使用其的图案形成方法

    公开(公告)号：US20090087776A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：US12240250

    申请日：2008-09-29

    申请人： Shuji HIRANO ,  Shinichi SUGIYAMA

    发明人： Shuji HIRANO ,  Shinichi SUGIYAMA

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106

    摘要： A positive resist composition includes: (A) a resin containing a repeating unit represented by formula (I) as defined in the specification, of which solubility in an alkali developer increases under an action of an acid; and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation: and a pattern forming method uses the positive resist composition.

    摘要翻译： 正型抗蚀剂组合物包括：（A）含有本说明书中定义的式（I）表示的重复单元的树脂，其在碱显影剂中的溶解度在酸的作用下增加; 和（B）能够在用光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物，并且图案形成方法使用正性抗蚀剂组合物。