公开(公告)号：US3883889A

公开(公告)日：1975-05-13

申请号：US46073674

申请日：1974-04-15

申请人： MICRO POWER SYSTEMS INC

发明人： HALL JOHN H

IPC分类号： C23C16/30 ,  H01L21/314 ,  H01L29/00 ,  H01L5/00 ,  H01L3/00

CPC分类号： H01L21/3145 ,  C23C16/308 ,  H01L29/00 ,  Y10S148/043 ,  Y10S148/053 ,  Y10S148/118

摘要： A protective layer for use in the manufacture of semiconductor devices and circuits and for thereafter protecting and passivating the devices comprising a combination of silicon, oxygen and nitrogen in selected atomic proportions.

摘要翻译： 一种保护层，用于制造半导体器件和电路，并用于之后保护和钝化包含选定原子比例的硅，氧和氮组合的器件。