公开(公告)号：US5968610A

公开(公告)日：1999-10-19

申请号：US959407

申请日：1997-10-28

申请人： Chih-Chien Liu ,  Kuen-Jian Chen ,  Yu-Hao Chen ,  J. Y. Wu ,  Water Lur ,  Shih-Wei Sun

发明人： Chih-Chien Liu ,  Kuen-Jian Chen ,  Yu-Hao Chen ,  J. Y. Wu ,  Water Lur ,  Shih-Wei Sun

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/762 ,  B05D3/06 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/02112 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76224

摘要： A method for depositing dielectric material into gaps between wiring lines in the formation of a semiconductor device includes the deposition of three oxide layers using high density plasma chemical vapor deposition (HDPCVD). A first HDPCVD step is carried out while keeping the substrate unbiased to form an oxide layer over the lines and in the gap. A second HDPCVD step in which the substrate is biased deposits a second oxide layer over the first oxide layer. During the second HDPCVD step some etching occurs and a portion of the first oxide layer is removed. A third HDPCVD step is carried out at a greater etch and sputtering rate than the second step to complete filling of the gap with dielectric material. The first oxide layer acts to protect the underlying structures from etching damage during the third step. Gaps between wiring lines can be filled with dielectric material without forming voids, even for high aspect ratio gaps.

摘要翻译： 在形成半导体器件时，将介电材料沉积在布线之间的间隙中的方法包括使用高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）沉积三个氧化物层。 进行第一HDPCVD步骤，同时保持衬底不偏差以在线和间隙中形成氧化物层。 衬底被偏置的第二HDPCVD步骤在第一氧化物层上沉积第二氧化物层。 在第二HDPCVD步骤期间，发生一些蚀刻，并且去除第一氧化物层的一部分。 以比用第二步骤更大的蚀刻和溅射速率进行第三HDPCVD步骤，以完成用电介质材料填充间隙。 第一氧化物层用于在第三步骤期间保护下面的结构免受蚀刻损伤。 布线之间的间隙可以填充介电材料，而不会形成空隙，即使对于高纵横比的间隙也是如此。

公开(公告)号：US6123776A

公开(公告)日：2000-09-26

申请号：US64386

申请日：1998-04-22

申请人： Kuen-Jian Chen ,  Horng-Bor Lu

发明人： Kuen-Jian Chen ,  Horng-Bor Lu

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45563 ,  C23C16/455

摘要： A gas delivering apparatus useful for improving the level of uniformity of thin film deposited over a silicon wafer in a chemical vapor deposition. By reshaping the injector from a conventional straight hollow tube to a funnel-shaped profile, the opening of the injector is widened. With a wider injector opening, the gas flow rate becomes slower and hence more capable of spreading over a wider wafer surface area. Consequently, a uniform gas flow pattern is established resulting in the deposition of a uniform layer.

摘要翻译： 一种用于提高在化学气相沉积中沉积在硅晶片上的薄膜的均匀性水平的气体输送装置。 通过将喷射器从传统的直的中空管重塑成漏斗形轮廓，喷射器的开口变宽。 通过更宽的喷射器开口，气体流速变慢，因此能够在更宽的晶片表面积上扩散。 因此，建立均匀的气体流动模式，导致沉积均匀的层。

公开(公告)号：US06609954B1

公开(公告)日：2003-08-26

申请号：US09182968

申请日：1998-10-29

申请人： Ming-Sheng Yang ,  Kuen-Jian Chen ,  Juan-Yuan Wu ,  Water Lur

发明人： Ming-Sheng Yang ,  Kuen-Jian Chen ,  Juan-Yuan Wu ,  Water Lur

IPC分类号： B24B100

CPC分类号： B24B37/042 ,  B24B57/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： A polarization method that utilizes a chemical-mechanical polishing operation. In the polishing operation, slurry for polishing a metallic layer is first employed to remove a greater portion of the metallic layer. Next, slurry for polishing a dielectric layer and having properties very similar to the metal-polishing slurry is added and mixed together with the slurry for polishing a metallic layer so that the polishing rate for the dielectric layer is increased. Consequently, metallic residues remaining on the dielectric layer are removed and a planar dielectric layer is obtained at the same time.

摘要翻译： 利用化学机械抛光操作的极化方法。 在抛光操作中，首先使用用于抛光金属层的浆料去除大部分金属层。 接下来，添加用于抛光电介质层并且具有与金属抛光浆料非常相似的性质的浆料，并与用于抛光金属层的浆料混合在一起，使得电介质层的抛光速率增加。 因此，除去残留在电介质层上的金属残留物，同时获得平面介电层。