公开(公告)号：US20090194026A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12023572

申请日：2008-01-31

申请人： BRIAN H. BURROWS ,  Lori D. Washington ,  Ronald Stevens ,  Kenric T. Choi ,  Anthony F. White ,  Roger N. Anderson ,  Sandeep Nijhawan ,  Joshua J. Podesta ,  Alexander Tam

发明人： BRIAN H. BURROWS ,  Lori D. Washington ,  Ronald Stevens ,  Kenric T. Choi ,  Anthony F. White ,  Roger N. Anderson ,  Sandeep Nijhawan ,  Joshua J. Podesta ,  Alexander Tam

IPC分类号： C23C16/54

CPC分类号： C23C16/54 ,  C30B25/08 ,  C30B29/403 ,  C30B35/00 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： One embodiment of a processing system for fabricating compound nitride semiconductor devices comprises one or more processing chamber operable with form a compound nitride semiconductor layer on a substrate, a transfer chamber coupled with the processing chamber, a loadlock chamber coupled with the transfer chamber, and a load station coupled with the loadlock chamber, wherein the load station comprises a conveyor tray movable to convey a carrier plate loaded with one or more substrates into the loadlock chamber. Compared to a single chamber reactor, the multi-chamber processing system expands the potential complexity and variety of compound structures. Additionally, the system can achieve higher quality and yield by specialization of individual chambers for specific epitaxial growth processes. Throughput is increased by simultaneous processing in multiple chambers.

摘要翻译： 用于制造复合氮化物半导体器件的处理系统的一个实施例包括可在衬底上形成复合氮化物半导体层的可操作的一个或多个处理室，与处理室耦合的传送室，与传送室耦合的负载锁定室，以及 加载站与负载锁定室耦合，其中装载站包括可移动以将装载有一个或多个基板的承载板输送到负载锁定室中的输送器托盘。 与单室反应器相比，多室处理系统扩大了复合结构的潜在复杂性和多样性。 此外，该系统可以通过专用于特定外延生长工艺的各个室来实现更高的质量和产量。 通过在多个室中同时处理来提高吞吐量。

公开(公告)号：US20090194024A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12023520

申请日：2008-01-31

申请人： Brian H. Burrows ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Joshua J. Podesta ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington ,  Alexander Tam ,  Sumedh Acharya

发明人： Brian H. Burrows ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Joshua J. Podesta ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington ,  Alexander Tam ,  Sumedh Acharya

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/46

CPC分类号： C23C16/452 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： Embodiments of the present invention generally relate to methods and apparatus for chemical vapor deposition (CVD) on a substrate, and, in particular, to a process chamber and components for use in metal organic chemical vapor deposition. The apparatus comprises a chamber body defining a process volume. A showerhead in a first plane defines a top portion of the process volume. A carrier plate extends across the process volume in a second plane forming an upper process volume between the showerhead and the susceptor plate. A transparent material in a third plane defines a bottom portion of the process volume forming a lower process volume between the carrier plate and the transparent material. A plurality of lamps forms one or more zones located below the transparent material. The apparatus provides uniform precursor flow and mixing while maintaining a uniform temperature over larger substrates thus yielding a corresponding increase in throughput.

摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及用于基板上的化学气相沉积（CVD）的方法和装置，特别涉及用于金属有机化学气相沉积中的处理室和组件。 该装置包括限定处理量的室主体。 第一平面中的喷头定义了处理量的顶部。 载体板在第二平面中延伸过程体积，形成在喷头和基座板之间的上过程体积。 在第三平面中的透明材料限定了处理体积的底部，其在承载板和透明材料之间形成较低的处理体积。 多个灯形成位于透明材料下方的一个或多个区域。 该装置提供均匀的前体流动和混合，同时在较大的底物上保持均匀的温度，从而产生相应的生产量的增加。

公开(公告)号：US20110121503A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12850738

申请日：2010-08-05

申请人： BRIAN H. BURROWS ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Joshua J. Podesta ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington ,  Alexander Tam ,  Sumedh Acharya

发明人： BRIAN H. BURROWS ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Joshua J. Podesta ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington ,  Alexander Tam ,  Sumedh Acharya

IPC分类号： B23Q3/00

CPC分类号： H01L21/67115 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

摘要： Embodiments of the present invention generally relate to methods and apparatus for chemical vapor deposition (CVD) on a substrate, and, in particular, to a process chamber and components for use in metal organic chemical vapor deposition. The apparatus comprises a chamber body defining a process volume. A showerhead in a first plane defines a top portion of the process volume. A carrier plate extends across the process volume in a second plane forming an upper process volume between the showerhead and the susceptor plate. A transparent material in a third plane defines a bottom portion of the process volume forming a lower process volume between the carrier plate and the transparent material. A plurality of lamps forms one or more zones located below the transparent material. The apparatus provides uniform precursor flow and mixing while maintaining a uniform temperature over larger substrates thus yielding a corresponding increase in throughput.

摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及用于基板上的化学气相沉积（CVD）的方法和装置，特别涉及用于金属有机化学气相沉积中的处理室和组件。 该装置包括限定处理量的室主体。 第一平面中的喷头定义了处理量的顶部。 载体板在第二平面中延伸过程体积，形成在喷头和基座板之间的上过程体积。 在第三平面中的透明材料限定了处理体积的底部，其在承载板和透明材料之间形成较低的处理体积。 多个灯形成位于透明材料下方的一个或多个区域。 该装置提供均匀的前体流动和混合，同时在较大的底物上保持均匀的温度，从而产生相应的生产量的增加。