公开(公告)号：US4794279A

公开(公告)日：1988-12-27

申请号：US50400

申请日：1987-05-18

申请人： Michio Yamamura ,  Hiroshi Terakawa ,  Tetsuro Kumesawa ,  Takashi Fukusyo

发明人： Michio Yamamura ,  Hiroshi Terakawa ,  Tetsuro Kumesawa ,  Takashi Fukusyo

IPC分类号： H01L27/148 ,  H04N5/335 ,  H04N5/359 ,  H04N5/369 ,  H04N5/3728 ,  H03K3/42 ,  H01L27/14 ,  H01L29/78 ,  H04N3/14

CPC分类号： H01L27/14831

摘要： A solid state imager device having a substrate of a first conductivity type, a charge storage area of a second conductivity type formed on the substrate of the first conductivity type, and a forward electrode formed on the charge storage area of the second conductivity type through an insulating layer, and the forward electrode is alternately supplied with a first voltage for accumulating charges of the first conductivity type on a boundary between the charge storage area of the second conductivity type and the insulating layer and a second voltage so as to extend the depletion layer formed beneath the charge storage area of the second conductivity type.

摘要翻译： 一种固态成像装置，具有第一导电类型的基板，形成在第一导电类型的基板上的第二导电类型的电荷存储区域，以及形成在第二导电类型的电荷存储区域上的正电极， 绝缘层，并且正电极交替地被提供有用于在第二导电类型的电荷存储区域和绝缘层之间的边界上积累第一导电类型的电荷的第一电压和第二电压，以便延伸耗尽层 形成在第二导电类型的电荷存储区域下方。