公开(公告)号：US06927405B1

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10130125

申请日：2000-11-14

申请人： Laurence Bonnet ,  Danièle Babonneau ,  Rémy Marmoret

发明人： Laurence Bonnet ,  Danièle Babonneau ,  Rémy Marmoret

IPC分类号： G21K5/08 ,  G03F7/20 ,  G21K5/02 ,  G21K7/00 ,  H01L21/027 ,  H05G2/00 ,  G21G4/00 ,  G03B27/54

CPC分类号： H05G2/001 ,  G03F7/70033

摘要： Method for obtaining extreme ultraviolet radiation and a source thereof, application in lithography.According to the invention, at least a solid target (28) is used, emitting extreme ultraviolet radiation by interaction with a laser beam focussed on a face (30) of the target. This target is able to emit a portion of the radiation from the opposite face (37) and this portion is collected and transmitted.

摘要翻译： 获得极紫外线辐射的方法及其来源，应用于光刻技术。 根据本发明，至少使用固体靶（28），通过与聚焦在靶材的面（30）上的激光束相互作用来发射极紫外线辐射。 该目标能够从相对面（37）发射一部分辐射，并且该部分被收集和传送。

公开(公告)号：US06724465B2

公开(公告)日：2004-04-20

申请号：US10130519

申请日：2002-05-20

申请人： Danièle Babonneau ,  Rémy Marmoret ,  Laurence Bonnet

发明人： Danièle Babonneau ,  Rémy Marmoret ,  Laurence Bonnet

IPC分类号： G03B2754

CPC分类号： H05G2/001 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70575

摘要： Lithography device using a source of radiation in the extreme ultraviolet range and multi-layered mirrors with a broad spectral band within this range. Each mirror (24, 26, 29) includes a stack of layers of a first material and layers of a second material alternating with the first material. The first material has an atomic number greater than that of the second material. The thickness of pairs of adjacent layers is a monotonic function of the depth in the stack. The source (22) comprises at least one target (28) which emits the radiation by interAction with a laser beam focused on one of its faces. A part (36) of the radiation emitted from the other face is used. The invention is applicable to the manufacture of integrated circuits with a high degree of integration.

摘要翻译： 使用在极紫外范围内的辐射源的光刻设备和在该范围内具有宽谱带的多层反射镜。每个反射镜（24,26,29）包括第一材料层和第二材料层 与第一种材料交替。 第一种材料的原子数大于第二种材料的原子数。 相邻层对的厚度是堆叠中深度的单调函数。 源（22）包括至少一个目标（28），其通过与聚焦在其一个面上的激光束的相互作用发射辐射。 使用从另一面发射的辐射的一部分（36）。 本发明适用于具有高集成度的集成电路的制造。