公开(公告)号：US4806497A

公开(公告)日：1989-02-21

申请号：US95118

申请日：1987-09-11

申请人： Bruno Adam ,  Andre Jaecklin ,  Thomas Vlasak

发明人： Bruno Adam ,  Andre Jaecklin ,  Thomas Vlasak

IPC分类号： C30B31/22 ,  H01L21/261 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L29/10 ,  H01L29/74 ,  H01L29/744 ,  H01L21/423 ,  H01L21/425 ,  H01L21/428

CPC分类号： H01L29/1012 ,  H01L21/261 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/744 ,  Y10S438/904

摘要： A method for producing large-area power semiconductor components, wherein at least two irradiation processes (neutron irridiation, ion implantation electron, .gamma.or proton irradiation) are used to produce the basic doping, to introduce deep pn junctions and to introduce recombination centers. It is precisely for the critical process steps (p-base, n-type stop layer) that the improved homogeneity of the layers signifies a higher yield and improved limit data for the finished components.

摘要翻译： 一种制造大面积功率半导体元件的方法，其中使用至少两个照射过程（中子注入，离子注入电子，γ或质子照射）来产生基本掺杂，以引入深pn结并引入复合中心。 正是关键的工艺步骤（p型，n型停止层），这些层的改进的均匀性意味着较高的产量和改进的成品部件的限制数据。