知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

88 条记录 (耗时 0.031 秒)

    Moisture-free sog process
    51.
    发明授权
    Moisture-free sog process 失效
    无水浸泡过程

    公开(公告)号：US5470798A

    公开(公告)日：1995-11-28

    申请号：US965264

    申请日：1993-01-26

    申请人： Luc Ouellet

    发明人： Luc Ouellet

    IPC分类号： B05C11/08 ,  C04B41/85 ,  H01L21/00 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/469

    CPC分类号： H01L21/67173 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67207 ,  Y10S148/133

    摘要： In a method of planarizing a semiconductor wafer having aluminum interconnect tracks formed thereon, a method is disclosed for applying inorganic spin-on glass which comprises applying the spin-on glass to the wafer in a coating and spinning chamber in a moisture-free environment, transferring the wafer in a moisture-free environment to a curing station, curing the spin-on glass at a temperature in the range of about 80.degree. to 250.degree. C. in the moisture-free environment at the curing station, and returning the wafers to the coating and spinning chamber. The above steps are repeated until a sufficient film thickness has been achieved without in the interim exposing the wafer to moisture conditions such that reverse hydrolysis si minimized during the planarization process. In this way crack-free inorganic SOG films can be produced.

    摘要翻译： PCT No.PCT / CA91 / 00176 Sec。 371日期：1993年1月26日 102（e）日期1993年1月26日PCT提交1991年5月28日PCT公布。 WO91 / 19316 PCT出版物 日本1991年12月12日，在平面化具有形成在其上的铝互连轨道的半导体晶片的方法中，公开了一种用于施加无机旋涂玻璃的方法，该方法包括将涂布玻璃施加到涂层和纺丝室中的晶片上 在无湿度的环境中，将晶片在无湿度的环境中转移到固化站，在无湿度的环境中将旋转玻璃固化在约80℃至250℃的温度范围内 固化站，并将晶片返回到涂布和纺丝室。 重复上述步骤直到达到足够的膜厚，而不会使晶片临时暴露于水分条件，使得在平坦化过程中反向水解si最小化。 以这种方式可以生产无裂纹的无机SOG膜。

    Spin-on glass processing technique for the fabrication of semiconductor devices
    52.
    发明授权
    Spin-on glass processing technique for the fabrication of semiconductor devices 失效
    用于制造半导体器件的旋转玻璃加工技术

    公开(公告)号：US5320983A

    公开(公告)日：1994-06-14

    申请号：US930615

    申请日：1992-09-30

    申请人： Luc Ouellet

    发明人： Luc Ouellet

    IPC分类号： B05D7/24 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/29 ,  H01L21/465

    CPC分类号： H01L21/02129 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L23/296 ,  H01L2924/0002

    摘要： A method of applying a spin-on glass layer to a substrate is disclosed characterized in that the spin-on glass is applied as a plurality of contiguous thin layers that together form a composite layer. Each thin layer is cured prior to the application of the next layer at a temperature of at least about 300.degree. C., preferably 350.degree. C., for a time sufficient to permit catalyst connection and substantially eliminate volatile residual solvents contained therein. In this way cracking in organic SOGs can be substantially eliminated, and beneficial results can also be achieved with quasi-organic SOGs.

    摘要翻译： PCT No.PCT / CA91 / 00041 Sec。 371日期：1992年9月30日 102（e）日期1992年9月30日PCT 1991年2月6日PCT PCT。 WO91 / 12630BC出版物 日本1991年8月22日。公开了一种将旋涂玻璃层施加到基底上的方法，其特征在于，所述旋涂玻璃作为多个连续的薄层施加在一起形成复合层。 在将下一层施加至少约300℃，优选350℃的温度之前，将每个薄层固化一段足以允许催化剂连接并基本上消除其中所含的挥发性残余溶剂的时间。 这样就可以大大消除有机SOG的开裂，也可以用准有机SOG实现有利的结果。

    Method of reducing stress-induced mechanical problems in optical components
    56.
    发明授权
    Method of reducing stress-induced mechanical problems in optical components 有权
    降低光学元件应力引起的机械问题的方法

    公开(公告)号：US07614253B2

    公开(公告)日：2009-11-10

    申请号：US11561044

    申请日：2006-11-17

    申请人： Luc Ouellet ,  Jonathan Lachance

    发明人： Luc Ouellet ,  Jonathan Lachance

    IPC分类号： C03B37/07

    CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/56 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/124 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12176

    摘要： A method of making optical quality films is described. A silica film is deposited on a wafer by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). The deposited film is then subjected to a first heat treatment to reduce optical absorption, wafer warp, and compressive stress. A second film is deposited. This step is then followed by a second heat treatment to reduce optical absorption, wafer warp and tensile stress. The two heat treatments have similar temperature profiles.

    摘要翻译： 描述制造光学质量膜的方法。 通过PECVD（等离子体增强化学气相沉积）将二氧化硅膜沉积在晶片上。 然后对沉积的膜进行第一次热处理以减少光学吸收，晶片翘曲和压缩应力。 存放第二部电影。 该步骤之后进行第二次热处理以减少光学吸收，晶片翘曲和拉伸应力。 两种热处理具有相似的温度曲线。

    Method of making high-voltage bipolar/CMOS/DMOS (BCD) devices
    58.
    发明授权
    Method of making high-voltage bipolar/CMOS/DMOS (BCD) devices 有权
    制造高压双极/ CMOS / DMOS（BCD）器件的方法

    公开(公告)号：US07341905B2

    公开(公告)日：2008-03-11

    申请号：US11020217

    申请日：2004-12-27

    申请人： Stephane Martel ,  Yan Riopel ,  Sebastien Michel ,  Luc Ouellet

    发明人： Stephane Martel ,  Yan Riopel ,  Sebastien Michel ,  Luc Ouellet

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/8238

    CPC分类号： H01L21/8249

    摘要： A process for making an integrated circuit is described wherein sequence of mask steps is applied to a substrate or epitaxial layer of p-type material. The sequence consists of sixteen specific mask steps that permit a variety of bipolar/CMOS/DMOS devices to be fabricated. The mask steps include (1) forming at least one N-well in the p-type material, (2) forming an active region, forming a p-type field region, (4) forming a gate oxide, (5) carrying out a p-type implantation, (6) forming polysilicon gate regions, (7) forming a p-base region, (8) forming a N-extended region, (9) forming a p-top region, 10) carrying out an N+ implant, (11) carrying out a P+ implant, (12) forming contacts, (13) depositing a metal layer, (14) forming vias, (15) depositing a metal layer therethrough, and (16) forming a passivation layer. Up to any three of mask steps (4), (7), (8), and (9) may be omitted depending on the type of integrated circuit.

    摘要翻译： 描述了制造集成电路的方法，其中掩模步骤的顺序被施加到p型材料的衬底或外延层。 该序列由16个特定的掩模步骤组成，允许制造各种双极/ CMOS / DMOS器件。 掩模步骤包括（1）在p型材料中形成至少一个N阱，（2）形成有源区，形成p型场区，（4）形成栅极氧化物，（5） （6）形成多晶硅栅极区，（7）形成p基区，（8）形成N延伸区，（9）形成p顶区，10）进行N + （11）进行P +注入，（12）形成触点，（13）沉积金属层，（14）形成通孔，（15）沉积金属层，以及（16）形成钝化层。 根据集成电路的类型，可以省略任何三个掩模步骤（4），（7），（8）和（9）。

    METHOD OF REDUCING STRESS-INDUCED MECHANICAL PROBLEMS IN OPTICAL COMPONENTS
    60.
    发明申请
    METHOD OF REDUCING STRESS-INDUCED MECHANICAL PROBLEMS IN OPTICAL COMPONENTS 有权
    减少光学元件中应力诱导机械问题的方法

    公开(公告)号：US20070130996A1

    公开(公告)日：2007-06-14

    申请号：US11561044

    申请日：2006-11-17

    申请人： Luc Ouellet ,  Jonathan Lachance

    发明人： Luc Ouellet ,  Jonathan Lachance

    IPC分类号： C03B37/07 ,  C03B37/018

    CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/56 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/124 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12176

    摘要： A method of making optical quality films is described. A silica film is deposited on a wafer by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). The deposited film is then subjected to a first heat treatment to reduce optical absorption, wafer warp, and compressive stress. A second film is deposited. This step is then followed by a second heat treatment to reduce optical absorption, wafer warp and tensile stress. The two heat treatments have similar temperature profiles.

    摘要翻译： 描述制造光学质量膜的方法。 通过PECVD（等离子体增强化学气相沉积）将二氧化硅膜沉积在晶片上。 然后对沉积的膜进行第一次热处理以减少光学吸收，晶片翘曲和压缩应力。 存放第二部电影。 该步骤之后进行第二次热处理以减少光学吸收，晶片翘曲和拉伸应力。 两种热处理具有相似的温度曲线。