公开(公告)号：US20070057308A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：US11484676

申请日：2006-07-12

申请人： Chung-Ki Min ,  Yong-Sun Ko ,  Kyung-Hyun Kim

发明人： Chung-Ki Min ,  Yong-Sun Ko ,  Kyung-Hyun Kim

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L45/143 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

摘要： Example embodiments of the present invention relate to an electrode structure, a method of manufacturing the electrode structure, a phase-change memory device having the electrode structure and a method of manufacturing the phase-change memory device. The electrode structure may include a pad, a first insulation layer pattern, a second insulation layer pattern and/or an electrode. The first insulation layer pattern may be formed on the pad. The first insulation layer pattern may have a first opening that partially exposes the pad. The second insulation layer pattern may be formed on the first insulation layer pattern. The second insulation layer pattern may have a second opening connected to the first opening. The electrode may be formed on the pad and filling the first and the second openings.

摘要翻译： 本发明的示例性实施例涉及电极结构，制造电极结构的方法，具有电极结构的相变存储器件和制造相变存储器件的方法。 电极结构可以包括焊盘，第一绝缘层图案，第二绝缘层图案和/或电极。 第一绝缘层图案可以形成在垫上。 第一绝缘层图案可以具有部分地暴露垫的第一开口。 第二绝缘层图案可以形成在第一绝缘层图案上。 第二绝缘层图案可以具有连接到第一开口的第二开口。 电极可以形成在垫上并填充第一和第二开口。

公开(公告)号：US07156722B2

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：US11260902

申请日：2005-10-28

申请人： Chung-Ki Min ,  Yong-Sun Ko ,  Kyung-Hyun Kim

发明人： Chung-Ki Min ,  Yong-Sun Ko ,  Kyung-Hyun Kim

IPC分类号： B24B1/00

CPC分类号： B24B37/16

摘要： A platen structure of a polishing apparatus for semiconductor wafer and a method for exchanging a polishing pad affixed to the same are provided in which the polishing pad supported by the platen is exchanged with convenience within a short time. The platen structure of the polishing apparatus in which the polishing pad attached to the platen of the polishing apparatus comprises a pad plate to which the polishing pad for polishing a wafer is attached, and a platen body combined with the pad plate and having at least one vacuum hole formed thereto to provide a vacuum passage.

摘要翻译： 提供了一种用于半导体晶片的抛光装置的压板结构和用于更换固定在其上的抛光垫的方法，其中在短时间内方便地更换由压板支撑的抛光垫。 抛光装置的压板结构，其中安装在抛光装置的压板上的抛光垫包括一个垫板，用于抛光晶片的抛光垫被安装到该垫板上，以及压板体与该焊盘板组合并具有至少一个 形成真空孔以提供真空通道。

公开(公告)号：US07144301B2

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：US10947458

申请日：2004-09-22

申请人： Kwang-Bok Kim ,  Jae-Kwang Choi ,  Yong-Sun Ko ,  Chang-Ki Hong ,  Kyung-Hyun Kim ,  Jae-Dong Lee

发明人： Kwang-Bok Kim ,  Jae-Kwang Choi ,  Yong-Sun Ko ,  Chang-Ki Hong ,  Kyung-Hyun Kim ,  Jae-Dong Lee

IPC分类号： B24B7/22

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  B24B49/16 ,  B24B57/02

摘要： For planarizing an IC (integrate circuit) material, a first slurry is dispensed for a first planarization of the IC material using the first slurry, and a second slurry is dispensed for a second planarization of the IC material using the second slurry. The first and second slurries are different. For example, the first slurry is silica based for faster planarization during the first planarization. Thereafter, the second planarization is performed with the second slurry that is ceria based with higher planarity for attaining sufficient planarization of the IC material.

摘要翻译： 为了平坦化IC（集成电路）材料，使用第一浆料分配第一浆料以使IC材料的第一平面化，并且使用第二浆料分配第二浆料以进行IC材料的第二平面化。 第一和第二种浆料是不同的。 例如，第一浆料是二氧化硅基，用于在第一平面化期间更快的平坦化。 此后，利用二氧化铈为基础，以更高的平面度进行第二平坦化，以获得IC材料的充分平坦化。

公开(公告)号：US20060263971A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：US11436582

申请日：2006-05-19

申请人： Kwang-Wook Lee ,  Cheol-Woo Park ,  Yong-Sun Ko ,  Byoung-Moon Yoon ,  Kyung-Hyun Kim

发明人： Kwang-Wook Lee ,  Cheol-Woo Park ,  Yong-Sun Ko ,  Byoung-Moon Yoon ,  Kyung-Hyun Kim

IPC分类号： B32B3/10 ,  B32B3/00 ,  H01L21/8244 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/24479

摘要： A semiconductor device and a method thereof are disclosed. In the example method, a mold layer having an opening may be formed on a substrate. A conductive etchable pattern (e.g., a preliminary conductive pattern, a lower electrode pattern, etc.) may be formed within the opening. The mold layer may be reduced so as to expose a portion of the conductive etchable pattern and less than all of the exposed portion of the conductive etchable pattern may be etched such that the etched conductive etchable pattern has a reduced thickness. The example semiconductor device may include the etched conductive etchable pattern as above-described with respect to the example method.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件及其方法。 在示例性方法中，可以在基板上形成具有开口的模具层。 可以在开口内形成导电刻蚀图案（例如，初步导电图案，下电极图案等）。 可以减小模具层，以便露出导电可蚀刻图案的一部分，并且可以蚀刻少于导电可蚀刻图案的全部暴露部分，使得蚀刻的导电可蚀刻图案具有减小的厚度。 示例性半导体器件可以包括如上面关于示例性方法的蚀刻的导电可蚀刻图案。

公开(公告)号：US20060189152A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11323356

申请日：2005-12-29

申请人： Ki-Hoon Jang ,  Yong-Sun Ko ,  Kyung-Hyun Kim

发明人： Ki-Hoon Jang ,  Yong-Sun Ko ,  Kyung-Hyun Kim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： In a slurry composition preventing damage to an insulation layer, and uniformly polishing a metal layer, the slurry composition includes an acidic aqueous solution having a first pH and an anionic surfactant having a second pH lower than or equal to the first pH. Irregular polishing of the metal layer relative to a pattern density may be prevented and a contact having a uniform thickness may be formed using the slurry composition.

摘要翻译： 在防止对绝缘层的损伤并均匀研磨金属层的浆料组合物中，浆料组合物包括具有第一pH的酸性水溶液和具有低于或等于第一pH的第二pH的阴离子表面活性剂。 可以防止金属层相对于图案密度的不规则抛光，并且可以使用浆料组合物形成具有均匀厚度的接触。

公开(公告)号：US20060113590A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US11285558

申请日：2005-11-22

申请人： Ji-Hae Kim ,  Ji-Young Kim ,  Jong-Chul Park ,  Yong-Sun Ko ,  Sang-Sup Jeong

发明人： Ji-Hae Kim ,  Ji-Young Kim ,  Jong-Chul Park ,  Yong-Sun Ko ,  Sang-Sup Jeong

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L29/7834

摘要： An isolation layer having a first depth is formed from an upper face of a substrate. Source/drain regions including junctions are formed in the substrate. Each of the junctions has a second depth substantially smaller than the first depth. A first recess is formed in the substrate by a first etching process. A protection layer pattern is formed on a sidewall of the first recess. A second recess is formed beneath the first recess. The second recess has a width substantially larger than that of the first recess. The second recess is formed by a second etching process using an etching gas containing an SF6 gas, a Cl2 gas and an O2 gas. A gate insulation layer is formed on surfaces of the first and the second recesses. The second recess having an enlarged shape may reduce a width of the junction between the gate electrode and the isolation layer so that a leakage current generated through the junction may decrease.

摘要翻译： 具有第一深度的隔离层由衬底的上表面形成。 在衬底中形成包括结的源/漏区。 每个结点具有比第一深度基本上小的第二深度。 通过第一蚀刻工艺在衬底中形成第一凹部。 在第一凹部的侧壁上形成保护层图案。 在第一凹部下面形成第二凹部。 第二凹部的宽度显着大于第一凹部的宽度。 第二凹槽通过使用含有SF 6气体，Cl 2气体和O 2气体的蚀刻气体的第二蚀刻工艺形成 。 在第一和第二凹部的表面上形成栅极绝缘层。 具有放大形状的第二凹部可以减小栅电极和隔离层之间的结的宽度，使得通过结可以产生的漏电流可能减小。

公开(公告)号：US20060014390A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US11168412

申请日：2005-06-29

申请人： Hyo-Jin Lee ,  Kyung-Hyun Kim ,  Yong-Sun Ko

发明人： Hyo-Jin Lee ,  Kyung-Hyun Kim ,  Yong-Sun Ko

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/3212

摘要： A slurry composition includes about 4.25 to about 18.5 weight percent of an abrasive, about 80 to about 95 weight percent of deionized water, and about 0.05 to about 1.5 weight percent of an additive. The slurry composition may further include a surfactant. In a polishing method using the slurry composition, a polysilicon layer may be rapidly polished, and also dishing and erosion of the polysilicon layer may be suppressed.

摘要翻译： 浆料组合物包括约4.25至约18.5重量％的研磨剂，约80至约95重量％的去离子水和约0.05至约1.5重量％的添加剂。 浆料组合物还可以包括表面活性剂。 在使用浆料组合物的抛光方法中，可以快速抛光多晶硅层，并且可以抑制多晶硅层的凹陷和侵蚀。

公开(公告)号：US20050261151A1

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：US11030258

申请日：2005-01-06

申请人： Kwang-Wook Lee ,  In-Seak Hwang ,  Keum-Joo Lee ,  Chang-Lyong Song ,  Yong-Sun Ko ,  Kui-Jong Baek ,  Woong Han

发明人： Kwang-Wook Lee ,  In-Seak Hwang ,  Keum-Joo Lee ,  Chang-Lyong Song ,  Yong-Sun Ko ,  Kui-Jong Baek ,  Woong Han

IPC分类号： C11D7/08 ,  C11D1/00 ,  C11D3/02 ,  C11D7/10 ,  C11D7/18 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/36 ,  C11D11/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C11D3/0084 ,  C11D7/3281 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/106

摘要： A corrosion-inhibiting cleaning composition for semiconductor wafer processing includes hydrogen peroxide at a concentration in a range from about 0.5 wt % to about 5 wt %, sulfuric acid at a concentration in a range from about 1 wt % to about 10 wt %, hydrogen fluoride at a concentration in a range from about 0.01 wt % to about 1 wt %; an azole at a concentration in a range from about 0.1 wt % to about 5 wt % and deionized water. The azole operates to inhibit corrosion of a metal layer being cleaned by chelating with a surface of the metal layer during a cleaning process.

摘要翻译： 用于半导体晶片处理的腐蚀抑制清洁组合物包括浓度在约0.5重量％至约5重量％范围内的浓度在约1重量％至约10重量％范围内的硫酸，氢气 浓度在约0.01重量％至约1重量％范围内的氟化物; 浓度在约0.1重量％至约5重量％范围内的唑类和去离子水。 在清洁过程中，唑类用于通过与金属层的表面螯合来抑制被清洁的金属层的腐蚀。

公开(公告)号：US06946431B2

公开(公告)日：2005-09-20

申请号：US10655421

申请日：2003-09-04

申请人： In-Joon Yeo ,  Yong-Sun Ko ,  In-Seak Hwang ,  Byoung-Moon Yoon ,  Dae-Hyuk Chung ,  Kyung-Hyun Kim

发明人： In-Joon Yeo ,  Yong-Sun Ko ,  In-Seak Hwang ,  Byoung-Moon Yoon ,  Dae-Hyuk Chung ,  Kyung-Hyun Kim

IPC分类号： H01L21/304 ,  C11D7/06 ,  C11D7/26 ,  C11D11/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/06 ,  C11D7/265

摘要： Cleaning solutions for integrated circuit devices and methods of cleaning integrated circuit devices using the same are disclosed. The cleaning solution includes about 30% aqueous ammonia solution, acetic acid by a volume percent higher then a volume percent of the aqueous ammonia solution, and deionized water by a volume percent higher then the volume percent of the acetic acid. Additionally, disclosed are methods wherein the cleaning solution is formed on integrated circuit substrates having an exposed metal pattern formed thereon, and further providing mega-sonic energy to the film of the cleaning solution.

摘要翻译： 公开了用于集成电路器件的清洁解决方案和使用其的集成电路器件的清洁方法。 清洗溶液包括约30％氨水溶液，乙酸的体积百分数高于氨水溶液的体积百分比，去离子水的体积百分数高于乙酸的体积百分数。 此外，公开了一种方法，其中清洁溶液形成在其上形成有暴露的金属图案的集成电路基板上，并且还向清洗溶液的膜提供大的声能。

公开(公告)号：US20050170603A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11024981

申请日：2004-12-30

申请人： Wook Lee ,  In-Seak Hwang ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Hyun Hwang

发明人： Wook Lee ,  In-Seak Hwang ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Hyun Hwang

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/84 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： A method for forming a capacitor for use in a semiconductor device having electrode plugs surrounded by an insulating film and connected to underlying contact pads, includes sequentially forming an etch stop film and a mold oxide film on the insulating film and the electrode plugs, forming recesses in portions of the mold oxide film and the etching stopper film, the recesses exposing the electrode plugs, forming storage node electrodes in the recesses, filling the recesses in which the storage node electrodes are formed with an artificial oxide film, planarizing the storage node electrodes and the artificial oxide film so that the storage node electrodes are separated from one another, and selectively removing the mold oxide film and the artificial oxide film using a diluted hydrofluoric acid solution containing substantially no ammonium bifluoride.

摘要翻译： 一种用于形成用于半导体器件的电容器的方法，所述半导体器件具有由绝缘膜包围并连接到下面的接触焊盘的电极塞，包括在所述绝缘膜和所述电极插塞上顺序地形成蚀刻停止膜和模制氧化物膜， 在模具氧化膜和蚀刻停止膜的部分中，露出电极塞的凹部，在凹部中形成存储节点电极，用存储节点电极填充形成有人造氧化膜的凹部，使存储节点电极平坦化 和人造氧化物膜，使得储存节点电极彼此分离，并且使用基本上不含氟化二氢铵的稀释的氢氟酸溶液选择性地除去模制氧化物膜和人造氧化物膜。