公开(公告)号：US08222669B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US12934488

申请日：2009-03-27

申请人： Asif Khan ,  Qhalid Fareed

发明人： Asif Khan ,  Qhalid Fareed

IPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C23C16/4488 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

摘要： A device for forming a Group III-V semiconductor on a substrate. The device has a primary chamber comprising a substrate and a heat source for heating the substrate to a first temperature. A secondary chamber comprises a metal source and a second heat source for heating the secondary chamber to a second temperature. A first source is provided which is capable of providing HCl to the secondary chamber wherein the HCl and the metal form metal chloride. A metal-organic source is provided. A metal chloride source is provided which comprises a metal chloride. At least one of the metal chloride, the metal-organic and the second metal chloride react with the nitrogen containing compound to form a Group III-V semiconductor on the substrate.

摘要翻译： 一种用于在衬底上形成III-V族半导体的器件。 该装置具有主室，其包括基板和用于将基板加热至第一温度的热源。 次级室包括金属源和用于将次室加热至第二温度的第二热源。 提供能够向次级室提供HCl的第一来源，其中HCl和金属形成金属氯化物。 提供了一种金属有机源。 提供了包含金属氯化物的金属氯化物源。 金属氯化物，金属有机物和第二金属氯化物中的至少一种与含氮化合物反应，在衬底上形成III-V族半导体。

公开(公告)号：US08563995B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US12934651

申请日：2009-03-27

申请人： Asif Khan ,  Qhalid Fareed

发明人： Asif Khan ,  Qhalid Fareed

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

摘要： A light emitting device with a template comprising a substrate and a nested superlattice. The superlattice has Al1-x-yInyGaxN wherein 0≦x≦α and 0≦y≦1 with x increasing with distance from said substrate. An ultraviolet light-emitting structure on the template has a first layer with a first conductivity comprising Al1-x-yInyGaxN wherein α≦x; a light emitting quantum well region above the first layer comprising Al1-x-yInyGaxN wherein α≦x≦b; and a second layer over the light emitting quantum well with a second conductivity comprising Al1-x-yInyGaxN wherein b≦x. The light emitting device also has a first electrical contact in electrical connection with the first layer, a second electrical contact in electrical connection with the second layer; and the device emits ultraviolet light.

摘要翻译： 一种具有模板的发光器件，包括衬底和嵌套超晶格。 超晶格具有Al1-x-yInyGaxN，其中随着距离所述衬底的距离而增加x，其中0≤x≤α和0≤y≤1。 模板上的紫外发光结构具有包含Al 1-x-y In y Gax N的第一导电性的第一层，其中α1 x; 包括Al1-x-yInyGaxN的第一层之上的发光量子阱区，其中α@ x @ b; 以及在所述发光量子阱上的第二层，其具有包含Al 1-x-y In y G x N N的第二导电，其中b @ x。 发光器件还具有与第一层电连接的第一电触头，与第二层电连接的第二电触点; 并且该装置发射紫外线。

公开(公告)号：US20110220867A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US12934652

申请日：2009-03-27

申请人： Asif Khan ,  Qhalid Fareed

发明人： Asif Khan ,  Qhalid Fareed

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32

摘要： A light emitting device with an ultraviolet light-emitting structure having a first layer with a first conductivity, a second layer with a second conductivity; and a light emitting quantum well region between the first layer and second layer. A first electrical contact is in electrical connection with the first layer and a second electrical contact is in electrical connection with the second layer. A template serves as a platform for the light-emitting structure. The template has a micro-undulated buffer layer with AlxInyGa1-x-yN, wherein 0

摘要翻译： 一种具有紫外发光结构的发光器件，具有具有第一导电性的第一层，具有第二导电性的第二层; 以及在第一层和第二层之间的发光量子阱区。 第一电触头与第一层电连接，第二电接触与第二层电连接。 模板作为发光结构的平台。 该模板具有Al x In y Ga 1-x-y N的微凹凸缓冲层，其中0

公开(公告)号：US20070141258A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11671784

申请日：2007-02-06

申请人： Qhalid Fareed ,  Remigijus Gaska ,  Michael Shur

发明人： Qhalid Fareed ,  Remigijus Gaska ,  Michael Shur

IPC分类号： C23C16/00 ,  C08J7/18

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

摘要： Nitride-based film is grown using multiple precursor fluxes. Each precursor flux is pulsed one or more times to add a desired element to the nitride-based film at a desired time. The quantity, duration, timing, and/or shape of the pulses is customized for each element to assist in generating a high quality nitride-based film.

摘要翻译： 使用多种前体助熔剂生长氮化物基膜。 每个前体通量被脉冲一次或多次，以在期望的时间向氮化物基膜添加所需的元素。 针对每个元件定制脉冲的数量，持续时间，定时和/或形状，以帮助产生高质量的基于氮化物的膜。

公开(公告)号：US20060186422A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11358303

申请日：2006-02-21

申请人： Remigijus Gaska ,  Xuhong Hu ,  Qhalid Fareed ,  Michael Shur

发明人： Remigijus Gaska ,  Xuhong Hu ,  Qhalid Fareed ,  Michael Shur

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/30621 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/34333 ,  Y10S438/924 ,  Y10S977/755

摘要： An improved solution for producing nitride-based heterostructure(s), heterostructure device(s), integrated circuit(s) and/or Micro-Electro-Mechanical System(s) is provided. A nitride-based etch stop layer that includes Indium (In) is included in a heterostructure. An adjacent layer of the heterostructure is selectively etched to expose at least a portion of the etch stop layer. The etch stop layer also can be selectively etched. In one embodiment, the adjacent layer can be etched using reactive ion etching (RIE) and the etch stop layer is selectively etched using a wet chemical etch. In any event, the selectively etched area can be used to generate a contact or the like for a device.

摘要翻译： 提供了用于生产氮化物基异质结构，异质结构器件，集成电路和/或微机电系统的改进的解决方案。 包括铟（In）的氮化物基蚀刻停止层包括在异质结构中。 选择性地蚀刻异相结构的相邻层以露出蚀刻停止层的至少一部分。 也可以选择性地蚀刻蚀刻停止层。 在一个实施例中，可以使用反应离子蚀刻（RIE）蚀刻相邻层，并且使用湿化学蚀刻来选择性地蚀刻蚀刻停止层。 在任何情况下，可以使用选择性蚀刻的区域来为器件产生接触等。

公开(公告)号：US06841809B2

公开(公告)日：2005-01-11

申请号：US10659183

申请日：2003-09-10

申请人： Qhalid Fareed ,  Remigijus Gaska ,  Michael Shur

发明人： Qhalid Fareed ,  Remigijus Gaska ,  Michael Shur

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/20 ,  H01L31/0328

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003

摘要： A heterostructure semiconductor device that includes a composite layer between an active layer and a gate. The composite layer includes a strain matching layer and a barrier layer. The strain matching layer reduces the strain between the barrier layer and the active layer. The device can incorporate various additional layers as well as gate and/or contact configurations to obtain desired device performance characteristics.

摘要翻译： 一种异质结构半导体器件，包括有源层和栅极之间的复合层。 复合层包括应变匹配层和阻挡层。 应变匹配层减小了阻挡层和有源层之间的应变。 该器件可以并入各种附加层以及栅极和/或接触配置以获得期望的器件性能特征。

公开(公告)号：US08227322B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US11671784

申请日：2007-02-06

申请人： Qhalid Fareed ,  Remigijus Gaska ,  Michael Shur

发明人： Qhalid Fareed ,  Remigijus Gaska ,  Michael Shur

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

摘要： Nitride-based film is grown using multiple precursor fluxes. Each precursor flux is pulsed one or more times to add a desired element to the nitride-based film at a desired time. The quantity, duration, timing, and/or shape of the pulses is customized for each element to assist in generating a high quality nitride-based film.

摘要翻译： 使用多种前体助熔剂生长氮化物基膜。 每个前体通量被脉冲一次或多次，以在期望的时间向氮化物基膜添加所需的元素。 针对每个元件定制脉冲的数量，持续时间，定时和/或形状，以帮助产生高质量的基于氮化物的膜。

公开(公告)号：US07429534B2

公开(公告)日：2008-09-30

申请号：US11358303

申请日：2006-02-21

申请人： Remigijus Gaska ,  Xuhong Hu ,  Qhalid Fareed ,  Michael Shur

发明人： Remigijus Gaska ,  Xuhong Hu ,  Qhalid Fareed ,  Michael Shur

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L21/30621 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/34333 ,  Y10S438/924 ,  Y10S977/755

摘要： An improved solution for producing nitride-based heterostructure(s), heterostructure device(s), integrated circuit(s) and/or Micro-Electro-Mechanical System(s) is provided. A nitride-based etch stop layer that includes Indium (In) is included in a heterostructure. An adjacent layer of the heterostructure is selectively etched to expose at least a portion of the etch stop layer. The etch stop layer also can be selectively etched. In one embodiment, the adjacent layer can be etched using reactive ion etching (RIE) and the etch stop layer is selectively etched using a wet chemical etch. In any event, the selectively etched area can be used to generate a contact or the like for a device.

摘要翻译： 提供了用于生产氮化物基异质结构，异质结构器件，集成电路和/或微机电系统的改进的解决方案。 包括铟（In）的氮化物基蚀刻停止层包括在异质结构中。 选择性地蚀刻异相结构的相邻层以露出蚀刻停止层的至少一部分。 也可以选择性地蚀刻蚀刻停止层。 在一个实施例中，可以使用反应离子蚀刻（RIE）蚀刻相邻层，并且使用湿化学蚀刻来选择性地蚀刻蚀刻停止层。 在任何情况下，可以使用选择性蚀刻的区域来为器件产生接触等。

公开(公告)号：US07192849B2

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：US10713326

申请日：2003-11-14

申请人： Qhalid Fareed ,  Remigijus Gaska ,  Michael Shur

发明人： Qhalid Fareed ,  Remigijus Gaska ,  Michael Shur

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

摘要： Nitride-based film is grown using multiple precursor fluxes. Each precursor flux is pulsed one or more times to add a desired element to the nitride-based film at a desired time. The quantity, duration, timing, and/or shape of the pulses is customized for each element to assist in generating a high quality nitride-based film.

摘要翻译： 使用多种前体助熔剂生长氮化物基膜。 每个前体通量被脉冲一次或多次，以在期望的时间向氮化物基膜添加所需的元素。 针对每个元件定制脉冲的数量，持续时间，定时和/或形状，以帮助产生高质量的基于氮化物的膜。