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    Polymer compound, negative resist composition, and method of forming resist pattern
    11.
    发明授权
    Polymer compound, negative resist composition, and method of forming resist pattern 有权
    高分子化合物，负性抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法

    公开(公告)号：US07820360B2

    公开(公告)日：2010-10-26

    申请号：US12065990

    申请日：2006-08-17

    申请人： Jun Iwashita ,  Ayako Kusaka

    发明人： Jun Iwashita ,  Ayako Kusaka

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  C07C69/52

    CPC分类号： C08F220/28 ,  C08F220/26 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/128 ,  Y10S430/146

    摘要： There are provided a polymer compound which can form a resist pattern with excellent resolution, and a negative resist composition containing the polymer compound and a resist pattern-forming method thereof.The present invention is a polymer compound containing a structural unit (a0) represented by a general formula (a0-1) shown below. (wherein, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group or a halogenated alkyl group; and R0 represents an alkyl group containing a hydroxyl group.) Also, the present invention is a negative resist composition, including: an alkali soluble resin component (A), an acid generator component (B) that generates acid upon exposure, and a cross-linking agent (C), wherein the alkali soluble resin component (A) contains a polymer compound (A1) having a structural unit (a0) represented by the general formula (a0-1) shown above.

    摘要翻译： 提供了可以形成具有优异分辨率的抗蚀剂图案的高分子化合物和含有该高分子化合物的抗蚀剂组合物及其抗蚀剂图案形成方法。 本发明是含有下述通式（a0-1）表示的结构单元（a0）的高分子化合物。 （其中，R表示氢原子，卤素原子，烷基或卤代烷基，R 0表示含有羟基的烷基）。另外，本发明是负极性抗蚀剂组合物，其包含：碱溶性 树脂组分（A），暴露时产生酸的酸产生剂组分（B）和交联剂（C），其中碱溶性树脂组分（A）含有具有结构单元的高分子化合物（A1） a0），由上述通式（a0-1）表示。

    NEGATIVE RESIST COMPOSITION
    12.
    发明申请
    NEGATIVE RESIST COMPOSITION 审中-公开
    负极组成

    公开(公告)号：US20090305163A1

    公开(公告)日：2009-12-10

    申请号：US11719525

    申请日：2005-10-26

    申请人： Jun Iwashita ,  Takeshi Iwai

    发明人： Jun Iwashita ,  Takeshi Iwai

    IPC分类号： G03F7/004

    CPC分类号： G03F7/0048 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382

    摘要： A negative resist composition is used for either a first or second resist layer within a method of forming a resist pattern that includes the following steps (i) and (ii): (i) a step of forming the first resist layer on a substrate using a first resist composition, and then conducting selective exposure that forms a dense pattern in the first resist layer, and (ii) a step of forming the second resist layer on top of the first resist layer using a second resist composition, and then conducting selective exposure that forms a pattern in the second resist layer, wherein the negative resist composition is dissolved in an alcohol-based organic solvent, which functions as an organic solvent (D) that does not dissolve the first or second resist layer that contacts the resist layer formed from the negative resist composition.

    摘要翻译： 在形成包括以下步骤（i）和（ii）的抗蚀剂图案的方法中的第一或第二抗蚀剂层中使用负光刻胶组合物：（i）在基板上形成第一抗蚀剂层的步骤，使用 第一抗蚀剂组合物，然后进行在第一抗蚀剂层中形成致密图案的选择性曝光，以及（ii）使用第二抗蚀剂组合物在第一抗蚀剂层的顶部上形成第二抗蚀剂层，然后进行选择性的步骤 在第二抗蚀剂层中形成图案的曝光，其中负性抗蚀剂组合物溶解在作为不溶解与抗蚀剂层接触的第一或第二抗蚀剂层的有机溶剂（D）的醇类有机溶剂中 由负性抗蚀剂组合物形成。

    METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
    15.
    发明申请
    METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN 审中-公开
    形成电阻图案的方法

    公开(公告)号：US20090098489A1

    公开(公告)日：2009-04-16

    申请号：US11719204

    申请日：2005-11-08

    申请人： Takeshi Iwai ,  Jun Iwashita

    发明人： Takeshi Iwai ,  Jun Iwashita

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397

    摘要： A method for forming a resist pattern that includes the following steps (i) and (ii): (i) a step of forming a first resist layer on a substrate using a positive resist composition, and then conducting selective exposure, thereby forming a latent image of a dense pattern on the first resist layer, and (ii) a step of forming a second resist layer on top of the first resist layer using a negative resist composition, conducting selective exposure, and then developing the first resist layer and the second resist layer simultaneously, thereby exposing a portion of the latent image of the dense pattern, wherein as the negative resist composition, a negative resist composition dissolved in an organic solvent that does not dissolve the first resist layer is used.

    摘要翻译： 一种形成抗蚀剂图案的方法，其包括以下步骤（i）和（ii）：（i）使用正型抗蚀剂组合物在基板上形成第一抗蚀剂层，然后进行选择性曝光，由此形成潜在的 在第一抗蚀剂层上的致密图案的图像，以及（ii）使用负性抗蚀剂组合物在第一抗蚀剂层的顶部上形成第二抗蚀剂层的步骤，进行选择性曝光，然后显影第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层 抗蚀剂层，从而使致密图案的潜像的一部分露出，其中作为负性抗蚀剂组合物，使用溶解在不溶解第一抗蚀剂层的有机溶剂中的负性抗蚀剂组合物。

    COMPOUND, RADICAL POLYMERIZATION INITIATOR, METHOD FOR PRODUCING COMPOUND, POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
    19.
    发明申请
    COMPOUND, RADICAL POLYMERIZATION INITIATOR, METHOD FOR PRODUCING COMPOUND, POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN 有权
    化合物，自由基聚合引发剂，生产化合物的方法，聚合物，电阻组合物和形成电阻图案的方法

    公开(公告)号：US20140141373A1

    公开(公告)日：2014-05-22

    申请号：US14126535

    申请日：2012-06-15

    申请人： Yoshiyuki Utsumi ,  Takahiro Dazai ,  Jun Iwashita ,  Kenri Konno

    发明人： Yoshiyuki Utsumi ,  Takahiro Dazai ,  Jun Iwashita ,  Kenri Konno

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038

    CPC分类号： G03F7/038 ,  C07C25/18 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/74 ,  C08F4/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397

    摘要： A compound represented by formula (I). In the formula, R1 represents a hydrocarbon group of 1 to 10 carbon atoms; Z represents a hydrocarbon group of 1 to 10 carbon atoms or a cyano group; provided that R1 and Z may be mutually bonded to form a ring; X represents a divalent linking group having any one selected from —O—C(═O)—, —NH—C(═O)— and —NH—C(═NH)— on a terminal that comes into contact with Q; p represents an integer of 1 to 3; Q represents a hydrocarbon group having a valency of (p+1), provided that, when p is 1, Q may be a single bond; R2 represents a single bond, an alkylene group which may have a substituent or an arylene group which may have a substituent; q represents 0 or 1; r represents an integer of 0 to 8; and A+ represents a metal cation or an organic cation.

    摘要翻译： 由式（I）表示的化合物。 在该式中，R 1表示1〜10个碳原子的烃基; Z表示1〜10个碳原子的烃基或氰基; 条件是R1和Z可以相互键合形成环; X表示在与Q接触的端子上具有选自-O-C（= O） - ， - NH-C（= O） - 和-NH-C（= NH））中任一个的二价连接基团; p表示1〜3的整数， Q表示具有（p + 1）价的烃基，条件是当p为1时，Q可以是单键; R2表示单键，可以具有取代基的亚烷基或可具有取代基的亚芳基; q表示0或1; r表示0〜8的整数， A +表示金属阳离子或有机阳离子。

    Positive resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound
    20.
    发明授权
    Positive resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound 有权
    正型抗蚀剂组合物，形成抗蚀剂图案的方法，聚合物和化合物

    公开(公告)号：US08268530B2

    公开(公告)日：2012-09-18

    申请号：US12762715

    申请日：2010-04-19

    申请人： Yoshiyuki Utsumi ,  Jun Iwashita

    发明人： Yoshiyuki Utsumi ,  Jun Iwashita

    IPC分类号： C08F24/00 ,  C08F34/02 ,  G03C1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F1/00

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  C07D317/54 ,  C08F12/22 ,  C08F212/14 ,  C08F212/32 ,  G03F7/2041

    摘要： A positive resist composition including a base component (A) which exhibits increased solubility in an alkali developing solution under the action of acid and an acid generator component (B) which generates acid upon exposure, wherein the base component (A) includes a polymeric compound (A1) having a structural unit (a0) containing an acid-dissociable, dissolution-inhibiting group, and the acid-dissociable, dissolution-inhibiting group has a 1,3-dioxole skeleton.

    摘要翻译： 一种正性抗蚀剂组合物，其包含在酸的作用下在碱显影液中显示出增加的溶解性的碱成分（A）和暴露时产生酸的酸产生剂成分（B），其中，所述碱成分（A）含有高分子化合物 （A1）具有含有酸解离性，溶解抑制基团的结构单元（a0），酸解离性溶解抑制基团具有1,3-二氧杂环戊二烯骨架。