公开(公告)号：US20140127115A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：US14129222

申请日：2012-06-25

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B31/36 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6586

摘要： A method of fabricating silicon carbide powder according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a silicon source comprising silicon with a carbon source comprising a solid carbon source or an organic carbon compound; reacting the mixture; and controlling the reacting of the mixture, wherein the step of controlling the reacting comprises a step of supplying process gas or reaction product gas.

摘要翻译： 根据实施例的制造碳化硅粉末的方法包括以下步骤：通过将包含硅的硅源与包含固体碳源或有机碳化合物的碳源混合来制备混合物; 使混合物反应; 并控制混合物的反应，其中控制反应的步骤包括提供工艺气体或反应产物气体的步骤。

公开(公告)号：US20130129599A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13813026

申请日：2011-07-28

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han ,  Sang Myung Kim

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han ,  Sang Myung Kim

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B32/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/956 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/22 ,  C01B2202/36

摘要： Disclosed are a silicon carbide and a method for manufacturing the same. The method for manufacturing silicon carbide includes mixing a silicon source with a carbon source, and heating a mixture of the silicon and carbon sources to form the silicon carbide. At least one of the silicon source and the carbon source has an average grain size of about 10 nm to about 100 nm.

摘要翻译： 公开了一种碳化硅及其制造方法。 制造碳化硅的方法包括将硅源与碳源混合，并加热硅和碳源的混合物以形成碳化硅。 硅源和碳源中的至少一个具有约10nm至约100nm的平均晶粒尺寸。

公开(公告)号：US20130129598A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13812763

申请日：2011-07-25

申请人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim

发明人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B32/956 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/48

摘要： Provided is a method for manufacturing silicon carbide. The method includes mixing a dry silicon source, a solid carbon source, and a binder with each other and heating the mixed source to form silicon carbide.

摘要翻译： 提供一种制造碳化硅的方法。 该方法包括将干硅源，固体碳源和粘合剂彼此混合并加热混合源以形成碳化硅。

公开(公告)号：US20130095442A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13519050

申请日：2010-12-24

申请人： Byung Sook Kim ,  Min Sung Kim ,  Kyoung Hoon Chai

发明人： Byung Sook Kim ,  Min Sung Kim ,  Kyoung Hoon Chai

IPC分类号： F27D7/06

CPC分类号： F27D7/06 ,  C01B32/956 ,  F27B5/04 ,  F27B5/16

摘要： Provided is a heat treatment container for a vacuum heat treatment apparatus. The heat treatment container includes a bottom and a sidewall. An exhaust passage is defined in an upper portion of the sidewall.

摘要翻译： 本发明提供一种真空热处理装置用热处理容器。 热处理容器包括底部和侧壁。 排气通道限定在侧壁的上部。

公开(公告)号：US10267564B2

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：US13813270

申请日：2011-02-01

申请人： Byung Sook Kim ,  Min Sung Kim ,  Kyoung Hoon Chai

发明人： Byung Sook Kim ,  Min Sung Kim ,  Kyoung Hoon Chai

IPC分类号： F27B14/04 ,  F27B5/04 ,  F27B5/06 ,  F27D5/00 ,  F27B14/10

摘要： A heat treatment container for a vacuum heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment includes a bottom portion and a sidewall, and a support protruding inward.

公开(公告)号：US09102543B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US14236813

申请日：2012-08-01

申请人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim

发明人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B31/36 ,  C01B32/956 ,  C04B2235/3826

摘要： A method of fabricating silicon carbide according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a dry silicon source with a carbon source comprising an organic carbon compound; and reacting the mixture, wherein a viscosity of the carbon source is in a range of 20 cps to 1000 cps.

摘要翻译： 根据实施例的制造碳化硅的方法包括以下步骤：通过将干硅源与包含有机碳化合物的碳源混合来制备混合物; 并使所述混合物反应，其中所述碳源的粘度在20cps至1000cps的范围内。

公开(公告)号：US20140209838A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：US14241934

申请日：2012-08-08

申请人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim ,  Gun Young Gil

发明人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim ,  Gun Young Gil

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B32/956 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/573 ,  C04B35/626 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/6267 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63456 ,  C04B35/63476 ,  C04B35/63488 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6586

摘要： A method of fabricating silicon carbide according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a silicon source comprising silicon with a solid carbon source or a carbon source comprising an organic carbon compound; supplying binder into the mixture to granulate the mixture; and reacting the granulated mixture.

摘要翻译： 根据实施例的制造碳化硅的方法包括通过将包含硅的硅源与固体碳源或包含有机碳化合物的碳源混合来制备混合物的步骤; 向混合物中供应粘合剂以使混合物成粒; 并使造粒的混合物反应。

公开(公告)号：US20130196278A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13813270

申请日：2011-02-01

申请人： Byung Sook Kim ,  Min Sung Kim ,  Kyoung Hoon Chai

发明人： Byung Sook Kim ,  Min Sung Kim ,  Kyoung Hoon Chai

IPC分类号： F27B14/04 ,  F27B14/10

CPC分类号： F27B14/04 ,  F27B5/04 ,  F27B5/06 ,  F27B14/10 ,  F27D5/0068

摘要： A heat treatment container for a vacuum heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment includes a bottom portion and a sidewall, and a support protruding inward.

摘要翻译： 根据示例性实施例的用于真空热处理设备的热处理容器包括底部和侧壁以及向内突出的支撑件。

公开(公告)号：US09846084B2

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：US14130251

申请日：2012-06-28

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

IPC分类号： F27D7/06 ,  G01K1/12 ,  C21D1/74 ,  C21D1/773 ,  F27B5/04 ,  F27B5/06 ,  F27B17/00 ,  F27D21/00 ,  F27B5/14 ,  F27D19/00

CPC分类号： G01K1/12 ,  C21D1/74 ,  C21D1/773 ,  F27B5/04 ,  F27B5/06 ,  F27B17/0016 ,  F27B2005/143 ,  F27D7/06 ,  F27D21/0014 ,  F27D2019/0025

摘要： A vacuum heat treatment apparatus according to the embodiment comprises a chamber; a thermal insulator in the chamber; a reaction container in the thermal insulator; a heating member between the reaction container and the the thermal insulator for heating the reaction container; and a temperature measuring member in or on a surface of the reaction container, wherein the temperature measuring member comprises a thermocouple and a protective tube surrounding the thermocouple, and the protective tube comprises tungsten (W), tantalum (Ta), or silicon carbide (SiC).