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公开(公告)号：CN118919584A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411422144.6
申请日：2024-10-12
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/08 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种平面型光导开关及其制作方法，在平面型光导开关的内部引入电阻相对较低的导电区或导电层，将电流由表面输运转变为体内输运，可有效缓解电极边缘处的电流集中现象，从而显著降低了表面闪络放电现象的发生，提高了平面型光导开关的耐压性能和使用寿命。此外，导通态下，引入导电区或导电层的平面型光导开关的光电流明显大于未引入导电区或导电层的平面型光导开关，表明导电区或导电层的引入降低了导通电阻。
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公开(公告)号：CN118888618A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410918436.2
申请日：2024-07-10
申请人： 山东第一医科大学(山东省医学科学院)
IPC分类号： H01L31/032 , C30B29/12 , C30B11/00 , H01L31/08
摘要： 本发明公开了一种混阳离子混卤全无机钙钛矿单晶X射线探测器，所述混阳离子混卤全无机钙钛矿单晶包括Cs、Rb两种A位阳离子和Br、I两种卤素离子，结构式为Cs1‑mRbmPbBr3‑nIn，其中，0≤m≤1、0≤n≤3，本发明涉及X射线探测技术领域。该混阳离子混卤全无机钙钛矿单晶X射线探测器，使用混阳离子混卤全无机钙钛矿单晶制备X射线探测器，其中，混阳离子混卤全无机钙钛矿单晶具有大的电阻率，高的离子激活能，可实现对高通量硬X射线(120keV)大的响应灵敏度，小的暗电流，低的最低检测限和好的稳定性。
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公开(公告)号：CN112868107B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201980068105.1
申请日：2019-10-16
申请人： 德州仪器公司
摘要： 所描述实例包含一种传感器装置，其具有定位在半导体衬底上方的第一导体层(110)的中央垫上的至少一个导电细长第一柱(140)，所述第一柱(140)在正交于所述第一导体层(110)的表面的平面的第一方向上延伸。导电细长第二柱(150)以正交定向定位在所述半导体衬底上方的第二导体层(120)上，所述导电细长第二柱(150)处在与所述第一导体层(110)中的通孔开口重合的位置处。所述第二导体层(120)平行于所述第一导体层(110)并通过至少绝缘体层(130)与所述第一导体层(110)间隔，所述导电细长第二柱(150)在所述第一方向上延伸通过所述通孔开口中的相应一者。所述至少一个导电细长第一柱(140)通过间隙与环绕导电细长第二柱(150)间隔。
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公开(公告)号：CN111146298B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010045297.9
申请日：2020-01-16
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/08 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种六边形互扣式电极三维硅探测器，包括六棱柱状的隔离硅体，隔离硅体的中心轴向设有中心电极，隔离硅体的六个侧面设有上下拼接的第一沟槽电极和第二沟槽电极，第一沟槽电极由两块C形沟槽电极卡扣而成，第一沟槽电极和中心电极的顶部设有金属接触层，金属接触层之间的隔离硅体顶部设有二氧化硅保护层，第二沟槽电极、中心电极和隔离硅体的底部设有二氧化硅保护层；本发明制备的六边形互扣式电极三维硅探测器死区小、内部电场分布均匀、电荷收集性能好，探测单元之间的单元独立性良好，探测效率高，对硅晶圆的利用率高。
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公开(公告)号：CN118737863A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310342225.4
申请日：2023-03-31
摘要： 一种测试结构及测试方法，结构包括：基底，基底包括阵列排布的曝光区以及位于相邻曝光区之间的非曝光区；光敏元件，位于曝光区和非曝光区的基底中，光敏元件具有阳极连接端和阴极连接端，阳极连接端用于连接第一测试信号加载端，阴极连接端用于连接第二测试信号加载端；介电层，位于光敏元件的顶部和基底的顶部；遮光层，位于非曝光区的介电层的顶部，且遮光层露出曝光区的光敏元件的顶部。获取非曝光区的光敏元件在感光环境下的电流值，从而表征出非曝光区的光敏元件受到环境光的串扰程度，相较于现有需要提供暗室、高端示波器、整套光电测试平台等测试设备，本发明实施例降低了工艺成本，提高了工艺效率。
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公开(公告)号：CN116199253B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310173169.6
申请日：2023-02-24
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了一种硒基钙钛矿及其制备方法和应用，涉及发光材料技术领域。本发明的硒基钙钛矿的制备方法，包括如下步骤：在惰性气体氛围下，CsBr乙醇饱和溶液中逐滴滴入SnBr2乙醇溶液，混合均匀，SnBr2乙醇溶液全部滴完后，静置悬浊液至产物颗粒全部沉降，产物颗粒干燥即得硒基钙钛矿。本发明的硒基钙钛矿的制备方法显著区别与现有的热注射法，无需高温加热过程，更重要的是，CsBr乙醇饱和溶液和SnBr2乙醇溶液通过共沉淀制备得到硒基钙钛矿，共沉淀过程中乙醇还可以吸附在产物颗粒硒基钙钛矿表面，综合提高了硒基钙钛矿的稳定性，具有优异的抗氧化性能，可以在空气中稳定放置6天以上。
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公开(公告)号：CN111937163B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201880091974.1
申请日：2018-09-14
申请人： JX金属株式会社
摘要： 本发明提供一种放射线检测元件，在由包含碲化镉或碲化锌镉的化合物半导体晶体构成的基板(200)的表面具备多个电极部(202)和电极部间的绝缘部(201)，在所述多个电极部(202)与基板(200)之间存在包含碲的氧化物的中间层(204)，将距离所述电极部间的绝缘部(201)的端部500nm内侧的碲氧化物层的厚度设为100nm以下，电极的密合性高，即使在为了得到高清晰的放射线描绘图像而制成电极间的间隔窄的放射线检测元件的情况下，也不会产生由多个电极部间的绝缘不充分引起的性能不良。
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公开(公告)号：CN118471991A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410712909.3
申请日：2024-06-04
申请人： 知光量芯(苏州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/0224 , H01L31/08
摘要： 本发明公开了一种光电探测器，包括衬底以及衬底一侧的第一放大单元和第二放大单元；第一放大单元包括第一基极、第一发射区和第一集电区，所述第二放大单元包括第二基极、两个第二发射区和第二集电区；第一集电区复用为所述第二集电区，第一集电区位于衬底一侧，第一集电区包括第一集电分部和第二集电分部；第二基极位于第二集电分部远离衬底一侧，第二基极包括第一基极分部和两个第二基极分部；两个第二发射区分别位于第二基极分部远离第二集电分部一侧；第一发射区位于第二发射区远离第二基极一侧；第一基极位于第一发射区远离第二发射区一侧。采用本发明提供的光电探测器，可以对输入至光电探测器的光电信号进行两次放大，提升整体的探测效果。
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公开(公告)号：CN118136725A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410201618.8
申请日：2024-02-22
申请人： 天芯互联科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0203 , H01L31/02 , H01L31/08
摘要： 本申请公开了一种光子探测器及其制备方法，其中，光子探测器的制备方法包括：获取到转接板，在转接板的一侧倒装贴附至少一个芯片并固定连接多个第一连接件；通过多个第一连接件将转接板的一侧与探测电路板的第一侧进行连接固定，以实现芯片与探测电路板之间的连接；将光电转换件固定连接在转接板远离探测电路板的一侧，以得到光子探测器。通过上述方式，本申请能够可以通过转接板实现光电转换件、芯片以及探测电路板之间的连接，从而实现光子探测器的探测功能，降低了光子探测器的制作门槛，减少光子探测器的成本。
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公开(公告)号：CN118117005A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410151418.6
申请日：2024-02-02
申请人： 天津大学
摘要： 本发明属于光电探测技术领域，公开了一种半金属ZrTe3改性方法及其偏振光电探测器，将半金属ZrTe3晶体平铺在蓝膜胶带上并按压；将蓝膜胶带反复撕开‑粘贴3‑5次；将薄膜粘贴在载玻片；将蓝膜胶带对准薄膜并粘贴；快速撕下蓝膜胶带；将薄膜粘贴在硅片上并加热；缓慢抬起薄膜；355nm调Q激光辐照基底上的ZrTe3纳米薄晶体，获得改性的半金属ZrTe3；在二氧化硅基底上制备铬/金电极，获得基底Ⅰ；将改性的ZrTe3纳米薄晶体和基底Ⅰ结合，获得偏振光电探测器。本发明的制备工艺简单，且光电性能提升显著，暗电流降低2个数量级，制备偏振光电探测器在紫外‑太赫兹范围内均可实现高的响应度和低的暗电流。
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