公开(公告)号：CN118867010A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410886711.7

申请日：2024-07-03

申请人： 华南师范大学

发明人： 陈心满 ,  林金文 ,  陈运凯 ,  孟瑶 ,  章勇

IPC分类号： H01L31/0336 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  G06N3/084 ,  G06F17/16

摘要： 本发明提供了一种具有双向光调制的光电突触器件、制备方法及其应用，所述器件基于γ‑石墨二炔和ZnO异质结构成，可实现正光电响应和负光电响应，包括一个铺设在云母衬底上的ZnO薄膜，该硅衬底表面覆盖一层γ‑石墨二炔薄膜，在γ‑石墨二炔薄膜导电层上，覆盖有两个电极，其中第一电极作为供能电极，第二电极作为输出电极，在这两个电极之间施加一个恒定的偏压，并通过照射不同波长的激光光束到沟道上，来操控器件的性能，使器件呈现正向和反向光电响应。该视觉传感器在紫外、可见光、红外波段范围内均有着较好的光响应度，扩宽了光波的响应范围。基于此，本发明实现了光电突出器件在光学逻辑门、图像处理、神经形态计算等方面的应用。

公开(公告)号：CN117936648B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410113370.X

申请日：2024-01-26

申请人： 西北大学

发明人： 高荣荣 ,  焦杨

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/102 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00

摘要： 本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及钒氧化物纳米带/硅异质结及其制备方法和在光电探测器中的应用。具体为：采用水热法得到钒氧化物纳米带分散液；将单面抛光硅进行清洗干燥处理，得到处理单面抛光硅；将钒氧化物纳米带分散液滴涂于处理单面抛光硅的抛光面上，烘干至恒重后，重复滴涂干燥操作，然后经退火处理，得到钒氧化物纳米带/硅异质结。二维的钒氧化物纳米带在硅片表面铺展开，通过范德瓦尔斯力与硅片紧密结合。钒氧化物纳米带/硅异质结构的设计和制造同时克服了当前五氧化二钒/硅异质结光电探测性能和制备技术方面存在的缺陷，为制造高性能光电探测器提供了解决方案。

公开(公告)号：CN118619199A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202310257372.1

申请日：2023-03-09

申请人： 中国科学院理化技术研究所

发明人： 权迪 ,  孔祥玉 ,  朱微微 ,  江雷

IPC分类号： B81C1/00 ,  B01D63/08 ,  B82Y30/00 ,  B81B1/00 ,  H01L31/0336 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00

摘要： 本发明公开一种MoS2/Ti3C2Tx平面异质膜，制备及其应用。所述MoS2/Ti3C2Tx平面异质膜是通过双流体过滤装置制备得到的；具体制备过程包括如下步骤：将等浓度的MoS2纳米片水分散液和Ti3C2Tx纳米片水分散液分别逐滴加到双流体过滤装置的过滤杯的A、B室内，控制所述MoS2纳米片水分散液和Ti3C2Tx纳米片水分散液滴加的速率和体积相同，滴加完毕后打开真空抽滤系统，进行真空抽滤，抽滤结束后经烘干得到完整的MoS2/Ti3C2Tx平面异质膜。该制备方法操作简便，制备条件温和，得到异质膜兼具MoS2优异的光电性能和Ti3C2Tx光热性能，有望广泛应用于离子输运、能量转换、太阳能利用等方面。

公开(公告)号：CN118380500B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410814136.X

申请日：2024-06-24

申请人： 华中科技大学

发明人： 刘璐 ,  蒋伟超 ,  徐静平

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种铁电增强的砷化镓基异质结光电探测器及其制备方法，包括衬底层、下电极层、半导体层、铁电功能层和上电极层，下电极层位于衬底层一侧，半导体层、上电极层由下至上依次设置于衬底层远离下电极层的一侧，铁电功能层位于上电极层远离半导体层的一侧或衬底层与半导体层之间，通过施加外部电压控制铁电功能层的极化方向，当铁电功能层极化产生的铁电电场与内建电场的方向一致时，光电探测器的光电流呈开态；反之，光电探测器的光电流呈关态。本发明的光电探测器能通过控制铁电功能层的极化状态，可实现器件的开态/关态切换，在不同的极化状态下调节器件的光电性能，实现光电探测器的灵活控制和优化。

公开(公告)号：CN114284375B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202111599331.8

申请日：2021-12-24

申请人： 广东省科学院微生物研究所(广东省微生物分析检测中心)

发明人： 崔银花 ,  张少辉 ,  施庆珊 ,  谢小保

IPC分类号： H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明公开了一种自供电异质结深紫外光电探测器及其制备方法。所述的探测器从下而上依次为基板、ε相Ga2O3薄膜、ZnO薄膜光敏层、顶电极和侧电极，其中，顶电极形成在光敏层上，侧电极形成在所述光敏层之外的ε相Ga2O3薄膜上，当侧电极形成在所述光敏层之外的ε相Ga2O3薄上时，光敏层与ε相Ga2O3薄膜之间形成异质结。该光电探测器的ε相Ga2O3薄膜与光敏层形成的异质结对深紫外光具有很高的选择性，并且在无电压施加的情况下，器件仍然有稳定的深紫外光探测能力。

公开(公告)号：CN118553808A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410695779.7

申请日：2024-05-31

申请人： 南京理工大学

发明人： 陈哲生 ,  许纪元 ,  周刚强 ,  王益飞 ,  相恒阳 ,  张再兰

IPC分类号： H01L31/111 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/032 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种具有高偏振敏感的自驱动光电探测器及其制备方法。所述的光电探测器包含衬底、单层MoS2、TiS3薄片、石墨薄片I、石墨薄片II和源漏电极，石墨薄片I的一端与源电极相连，另一端与单层MoS2部分堆叠，石墨薄片II的一端与漏电极相连，另一端与TiS3薄片部分堆叠，TiS3薄片位于单层MoS2上且部分相堆叠。本发明采用PC薄膜转移的方法，制得的器件具有良好的光响应，同时石墨与电极、MoS2以及TiS3之间形成理想的欧姆接触，可以实现低的接触电阻从而获得更大的输出电流。由于TiS3‐MoS2异质结处发生了能带弯曲，器件具有自驱动特性，由于TiS3的各向异性，使得异质结处光电流具有高偏振敏感的可调控性。

公开(公告)号：CN117276367B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202311250059.1

申请日：2023-09-26

申请人： 北京邮电大学

发明人： 赵雅琪 ,  关晓宁 ,  贾宝楠 ,  王坤 ,  周峰

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

摘要： 本申请提供一种中波红外探测器、探测器探测方法及制备方法，所述中波红外探测器的器件结构包括：依次相连的衬底、缓冲层、第一接触层、吸收层、势垒层、第二接触层和盖层；第一接触层和吸收层分别包含有多个依次叠设的第一材料层，第一材料层包括依次叠设的第一InAs材料层和第一GaSb材料层；势垒层和第二接触层分别包含有多个依次叠设的第二材料层，第二材料层包括依次叠设的第二InAs材料层、第二GaSb材料层、AlSb材料层和第三GaSb材料层。本申请中的中波红外探测器经测试在77K时拥有较好的量子效率，同时在保证量子效率的前提下有效抑制了暗电流水平，进而提升探测器的工作性能。

公开(公告)号：CN118507576A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410574025.6

申请日：2024-05-10

申请人： 厦门大学

发明人： 张洪良 ,  贺雅欣 ,  徐翔宇 ,  石崛立

IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种基于n+‑Ga2O3/i‑Ga2O3/SnO异质结深紫外高速光电探测器，其外延结构由下至上包括衬底、n+‑Ga2O3层、i‑Ga2O3层和SnO层，外延结构通过台面蚀刻至裸露n+‑Ga2O3层，n型欧姆接触电极和p型欧姆接触电极分别设于n+‑Ga2O3层上和SnO层上。本发明采用高电子浓度的n+‑Ga2O3层和高空穴浓度的p‑型SnO层协同可为i‑Ga2O3层提供大的内建电场从而增强耗尽层区域厚度，不需要施加外部偏压，将光生载流子快速扫出结区，实现光生电荷的快速、高效收集。本发明还提供了其制备方法。本发明日盲紫外光电探测器具有自供电、探测灵敏度高、响应速度快的优异性能，有利于生产和应用推广。

公开(公告)号：CN118016768B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410415087.2

申请日：2024-04-08

申请人： 国科大杭州高等研究院

发明人： 李宁 ,  王嘉成 ,  贺婷 ,  胡伟达

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/108 ,  H01L31/109 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0232 ,  G02B6/12

摘要： 本发明的一种波导集成的范德华异质结器件制备方法，衬底为覆盖二氧化硅的硅衬底，其上设有硅脊型波导、硅脊型波导的表面覆盖二氧化硅层，二氧化硅层上设有氮化硼层，氮化硼层上设有石墨烯层和黑磷层，黑磷层部分层叠在石墨烯层的上表面；第二金属电极仅与石墨烯层接触连接形成导电沟道，第一金属电极仅与黑磷层接触连接形成导电沟道；硅脊型波导、氮化硼层、石墨烯层和黑磷层依次层叠，且第一金属电极与黑磷层的接触边界覆盖在硅脊型波导上方的黑磷层上，该接触边界延伸至整个黑磷与石墨烯肖特基结区域。本发明记载了石墨烯的干法小接触面积的精确转移，实现了波导集成的范德华异质结器件制备方法光电探测器。

公开(公告)号：CN117393638B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202310977635.6

申请日：2023-08-04

申请人： 西安石油大学

发明人： 闫哲

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109

摘要： 本发明涉及传感器领域，提供一种光电探测器及其制备方法、系统，电子设备，光电探测器的制备方法包括：基于无水氯化亚锡和硒粉制备光活性材料，无水氯化亚锡和硒粉的摩尔比为1:1；基于光活性材料制备光电传感器。用以解决现有技术中二维锡硒化物材料难以实际应用的技术问题，提供一种简便有效的合成方法来制备锡硒化物异质结构材料，进而制备得到新型的光电传感器。