公开(公告)号：CN114822987A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210428405.X

申请日：2022-04-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  杨露 ,  张佳业 ,  石崛立

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  C30B29/22 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种紫外‑可见‑近红外透明的高导电性Ta掺杂SnO2薄膜的制备方法，其包括如下步骤：将SnO2和Ta2O5多晶粉末混合，使用固体烧结法，获得Ta掺杂SnO2多晶靶材；在少量氧气存在的条件下，以所述Ta掺杂SnO2为靶材，利用脉冲激光沉积法在Al2O3衬底上生长所述薄膜。本发明制得的Ta掺杂SnO2薄膜室温导电性可超过6000S/cm，迁移率为75cm2/Vs，最高载流子浓度可达8.1×1020cm‑3，且在可见光区(1.4‑3.3eV)透过率超过90％，在紫外‑可见‑近红外光范围(0.75‑4.2eV)总透过率超过80％。本发明可作为透明导电氧化物材料，可应用于触摸显示屏、太阳能电池、气体传感器等多种现代关键技术。

公开(公告)号：CN114822987B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210428405.X

申请日：2022-04-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  杨露 ,  张佳业 ,  石崛立

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  C30B29/22 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种紫外‑可见‑近红外透明的高导电性Ta掺杂SnO2薄膜的制备方法，其包括如下步骤：将SnO2和Ta2O5多晶粉末混合，使用固体烧结法，获得Ta掺杂SnO2多晶靶材；在少量氧气存在的条件下，以所述Ta掺杂SnO2为靶材，利用脉冲激光沉积法在Al2O3衬底上生长所述薄膜。本发明制得的Ta掺杂SnO2薄膜室温导电性可超过6000S/cm，迁移率为75cm2/Vs，最高载流子浓度可达8.1×1020cm‑3，且在可见光区(1.4‑3.3eV)透过率超过90％，在紫外‑可见‑近红外光范围(0.75‑4.2eV)总透过率超过80％。本发明可作为透明导电氧化物材料，可应用于触摸显示屏、太阳能电池、气体传感器等多种现代关键技术。

公开(公告)号：CN118507576A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410574025.6

申请日：2024-05-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  贺雅欣 ,  徐翔宇 ,  石崛立

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于n+‑Ga2O3/i‑Ga2O3/SnO异质结深紫外高速光电探测器，其外延结构由下至上包括衬底、n+‑Ga2O3层、i‑Ga2O3层和SnO层，外延结构通过台面蚀刻至裸露n+‑Ga2O3层，n型欧姆接触电极和p型欧姆接触电极分别设于n+‑Ga2O3层上和SnO层上。本发明采用高电子浓度的n+‑Ga2O3层和高空穴浓度的p‑型SnO层协同可为i‑Ga2O3层提供大的内建电场从而增强耗尽层区域厚度，不需要施加外部偏压，将光生载流子快速扫出结区，实现光生电荷的快速、高效收集。本发明还提供了其制备方法。本发明日盲紫外光电探测器具有自供电、探测灵敏度高、响应速度快的优异性能，有利于生产和应用推广。