本发明公开了一种自供电异质结深紫外光电探测器及其制备方法。所述的探测器从下而上依次为基板、ε相Ga2O3薄膜、ZnO薄膜光敏层、顶电极和侧电极，其中，顶电极形成在光敏层上，侧电极形成在所述光敏层之外的ε相Ga2O3薄膜上，当侧电极形成在所述光敏层之外的ε相Ga2O3薄上时，光敏层与ε相Ga2O3薄膜之间形成异质结。该光电探测器的ε相Ga2O3薄膜与光敏层形成的异质结对深紫外光具有很高的选择性，并且在无电压施加的情况下，器件仍然有稳定的深紫外光探测能力。