公开(公告)号：CN118983368A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411068336.1

申请日：2024-08-06

申请人： 山东东仪光电仪器有限公司 ,  烟台东仪光电产业技术研究院有限公司

发明人： 赵玉新 ,  赵珍阳 ,  赵英勃

IPC分类号： H01L31/115 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/02

摘要： 本发明涉及探测器制造技术领域，公开一种硅漂移探测器，包括：N型硅片、P型光接收阴极、N型阳极、至少两个P型漂移电极环、环间分压电阻线、氧化层薄膜和金属电极；其中，P型光接收阴极设置在N型硅片的底端；N型阳极嵌套设置在N型硅片的顶端中心位置；至少两个P型漂移电极环以N型阳极为圆心，逐层围绕在N型阳极的外侧，离N型阳极最近的一层P型漂移电极环为封闭圆环，剩余的P型漂移电极环为带有开口的圆环，且各圆环的开口在同一条直线上；环间分压电阻线设置在各P型漂移电极环的开口处，与各层P型漂移电极环相连；各个相邻的P型漂移电极环之间的电阻线长度、宽度以及电阻值均相等，最大程度提升内部电势均匀性。

公开(公告)号：CN118825133B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411287665.5

申请日：2024-09-14

申请人： 绵阳炘皓新能源科技有限公司

发明人： 刘冰 ,  刘大伟 ,  薛金山 ,  张兵 ,  陈李胜

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068

公开(公告)号：CN118538833B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202410987743.6

申请日：2024-07-23

申请人： 常州亿晶光电科技有限公司

发明人： 狄云飞 ,  张飞 ,  孙铁囤

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068

公开(公告)号：CN118969924A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410063695.1

申请日：2024-01-16

申请人： 苏州立琻半导体有限公司 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 孙秀建 ,  黄应南 ,  孙钱 ,  刘建勋 ,  冯美鑫 ,  杨辉 ,  许奇明 ,  沈雁伟 ,  魏永强

IPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/02 ,  H01L31/102 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0304

摘要： 本发明公开了一种紫外光电子器件的外延结构及其应用。该层叠结构包括层叠设置的n型半导体结构层、功能层和p型半导体结构层，p型半导体结构层包括沿选定方向层叠设置的电子阻挡层、空穴运输层和接触层；p型半导体结构层还包括黑线层，黑线层设置在空穴运输层和接触层之间，电子阻挡层、空穴运输层和黑线层均是由含Al的III族氮化物半导体材料形成的，接触层是由含Al或不含Al的III族氮化物半导体材料形成的，并且，黑线层的带隙高于接触层、空穴运输层中任一者的带隙。本发明提供的一种层叠结构可以有效地阻挡低温的接触层的杂质和空位等缺陷向功能层扩散，有效地改善器件可靠性和工作寿命。

公开(公告)号：CN118969899A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411010848.2

申请日：2024-07-25

申请人： 拉普拉斯新能源科技股份有限公司

发明人： 何艾华 ,  朱太荣 ,  庞爱锁 ,  林佳继

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06

摘要： 本申请实施例涉及光伏材料加工技术领域，并提供一种图案化处理装置及相关方法。该图案化处理装置包括接地电极、激励电极以及电源。接地电极用于接收样品。激励电极位于接地电极用于接收样品的一侧。激励电极包括用于接收气体的匀气腔体。匀气腔体包括多个开口。电源与激励电极电连接，以向激励电极施加电压来激发匀气腔体内的气体产生等离子体。激励电极被设置为与样品的待处理表面的距离小于等于1mm，使得等离子体在多个开口的位置处被选择性通过，进而在待处理表面上形成与多个开口的图案相对应的图案化等离子体，来实现对待处理表面的图案化处理。

公开(公告)号：CN118969891A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411433875.0

申请日：2024-10-15

申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司

发明人： 钱洪强 ,  周海龙 ,  张俊巍

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

摘要： 本申请涉及一种TOPCon太阳能电池制造方法，首先对原始基底进行清洗与制绒处理，随后进行背面抛光和扩散工艺，以优化基底的光吸收和电学性能。在多层薄膜沉积阶段，采用等离子体增强化学气相沉积技术，在同一设备及步骤中同步形成第一介质层、第二介质层、第一导电掺杂层和第二导电掺杂层，提高生产效率。此外，在沉积各层之前，于基底侧面先形成一层氧化物层，作为激光刻蚀的起点，确保正面钝化接触层的精确图案化。最后，在正面刻蚀完成后，沉积氧化铝钝化层，并在基底正反面同时沉积钝化减反层，以增强电池的光学性能、表面保护能力和长期稳定性。本申请的制造方法不仅简化工艺流程，还显著提升TOPCon太阳能电池的整体性能。

公开(公告)号：CN118522803B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410175657.5

申请日：2024-02-07

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 陈瑶 ,  童洪波 ,  赵学亮 ,  陈晨

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216

公开(公告)号：CN118946173A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411010513.0

申请日：2024-07-26

申请人： 江苏汇显显示技术有限公司

发明人： 王林松 ,  刘梓钰 ,  董圣之

IPC分类号： H10K30/80 ,  H10K30/88 ,  H10K30/50 ,  H10K39/10 ,  H10K71/00 ,  H10K71/60 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/048 ,  H01L31/18

摘要： 本申请公开了一种太阳能电池组件及其制备方法和太阳能电池，太阳能电池组件包括基板以及设置在基板上的至少一个电池单元，电池单元包括离子阻隔部以及层叠设置的第一电极、功能层和第二电极，其中，功能层包括朝向第一电极的第一表面、朝向第二电极的第二表面及连接第一表面和第二表面的侧表面，离子阻隔部覆盖至少部分侧表面。

公开(公告)号：CN118943217A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410990010.8

申请日：2024-07-23

申请人： 苏州赛伍应用技术股份有限公司

发明人： 陈泽富 ,  唐柯 ,  吴小平 ,  李新军 ,  李嘉祎

IPC分类号： H01L31/048 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  C09J7/29 ,  C09D163/00 ,  C09D5/03

摘要： 本发明提供一种光伏组件前板及其制备方法和应用，所述光伏组件前板包括层叠设置的封装膜和增强层，所述封装膜的材料包括主体树脂、紫外线阻隔剂和增透剂，所述增强层为纤维布和/或纤维布预浸料，通过选用上述两层结构进行搭配，使所述光伏组件前板具有优异的抗紫外特定性、抗老化性、抗冲击性、防火性和绝缘性，同时具有轻量化和制造成本低的优势，能有效替代传统封装结构的钢化玻璃前板，给光伏组件提供一定的刚性以保护光伏电池。

公开(公告)号：CN118943210A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410979378.4

申请日：2024-07-19

申请人： 江苏林洋太阳能有限公司

发明人： 杜哲仁 ,  沈东东 ,  季根华 ,  陆俊宇 ,  王熠恒 ,  张颖 ,  黄策

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及具有自限制膜层结构的钝化接触电池及制备方法，且包括步骤：选取单晶硅片进行表面预处理，使得正面和背面分别形成绒面；在硅片正面形成硼掺杂发射极，背面进行抛光处理以形成平面；在平面上覆盖形成隧穿氧化层及背面掺杂层；形成钝化减反射膜层；形成金属电极。本发明一方面碳掺杂得到均匀、致密、无空洞的背面金属电极，氢掺杂的多晶硅表面张力提高、水接触角增大，使得电镀液难以在氢/磷掺杂多晶硅层上附着，且多晶硅表面存在过量的氢泡滞留，降低了背面金属电极沉积地可能性；另一方面自限制膜层结构简化了电镀铜工艺，同时背面无需形成钝化减反射膜层，简化结构、节约成本。