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公开(公告)号：CN116387355A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211492962.4
申请日：2022-11-25
申请人： 恩智浦有限公司
IPC分类号： H01L29/72 , H01L29/417
摘要： 描述一种半导体装置和制造方法，以用于通过在衬底中形成包括下部集电极层、掺杂剂扩散势垒层和上部集电极层的硅集电极区来制造异质结双极晶体管，其中所述掺杂剂扩散势垒层的形成会减少掺杂剂在一个或多个后续制造步骤期间从所述下部集电极层扩散到所述上部集电极层中，所述一个或多个后续制造步骤用于在所述衬底中形成沟槽隔离区以及异质基极区和硅发射极区。
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公开(公告)号：CN110771022B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201880040072.5
申请日：2018-06-12
申请人： 星火工业有限公司
发明人： 大卫·N.·鲁左克 , 罗伯特·安德鲁·斯图伯斯 , 布莱恩·爱德华·尤尔兹克
摘要： 本文中描述电功率脉冲发生器系统和该系统的操作方法。主能量储存电容器供应负DC功率，突跳能量储存电容器供应正DC功率。主脉冲功率晶体管介于主能量储存电容器与输出脉冲轨之间并包括用于控制从主能量储存电容器到输出脉冲轨的功率传送的主功率传送控制输入。正突跳脉冲功率晶体管介于突跳能量储存电容器与输出脉冲轨之间并包括用于控制从突跳能量储存电容器到输出脉冲轨的功率传送的突跳功率传送控制输入。正突跳脉冲功率晶体管控制线连接到正突跳脉冲晶体管的突跳功率传送控制输入。
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公开(公告)号：CN113257745B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110437708.3
申请日：2021-04-22
申请人： 东莞市柏尔电子科技有限公司
发明人： 夏小明
IPC分类号： H01L23/10 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L29/72
摘要： 本发明公开了一种便于封装的三极管，包括第一外壳、弹片、第一卡槽、第一连接块、第一卡块、插槽、第一触点、第一引脚、限位圈、第二外壳、容纳槽、第一导热板、晶片、第一限位槽、第二引脚、第二限位槽、盖板、第一顶块、第二顶块、夹块、弹性垫块、第二连接块、通槽、第二导热板、第二卡块、第二卡槽、防尘板和限位块，本发明相较于现有的三极管，设计有便于封装的壳体，该结构工艺简单，拆装方便，封装过程中不会产生高温，不会对晶片的性能产生影响，本发明设计有可更换的引脚，避免因引脚损坏而导致三极管报废，本发明设计有高效的散热结构，能有效的提高晶片的散热效果，防止因高温造成晶片损坏。
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公开(公告)号：CN105932054B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201610443158.5
申请日：2016-06-20
申请人： 李思敏
发明人： 李思敏
IPC分类号： H01L29/72 , H01L29/772 , H01L29/08 , H01L29/739 , H01L21/331
摘要： 本发明提供一种平面型多晶硅发射极晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接着N型的掺杂多晶硅层，其特点是：所述P型浓基区为平面型，所述P型浓基区通过P型浓基区汇流条与基极金属层相连接，所述晶体管的管芯面积大于0.25mm2。本发明还提供了该平面型多晶硅发射极晶体管的制造方法。本发明提供的平面型多晶硅发射极晶体管比现有的槽型多晶硅发射极晶体管工艺更加简单，产品性能一致性好，抗冲击能力更强。
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公开(公告)号：CN106158930A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510208919.4
申请日：2015-04-28
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/72
CPC分类号： H01L29/41708 , H01L29/73
摘要： 本发明提出了一种高频晶体管，包括：多个并行的发射区窗口；多个并行的发射极金属，多个所述发射极金属中的每个所述发射极金属均覆盖在多个所述发射区窗口中的每个所述发射区窗口的上方，其中，多个所述发射极金属中的第一个发射极金属和最后一个发射极金属独立于其他发射极金属，且所述其他发射极金属均并行相连，其中，所述其他发射极金属为多个所述发射极金属中除所述第一个发射极金属和所述最后一个发射极金属之外的发射极金属。通过本发明的技术方案，可以确保线宽相同的相互平行的高频晶体管的发射区窗口在复制到晶圆后，多发射极高频晶体管内部不同位置的发射极可以产生一致的高频特性，以避免使多发射极高频晶体管产生较大噪音。
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公开(公告)号：CN104201197B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410425765.X
申请日：2014-08-26
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体的说是涉及一种碳化硅双极性晶体管。本发明的碳化硅双极性晶体管，其特征在于，在N+发射区205与P+掺杂区207之间的P‑基区204上表面设置有N+外延层210；所述N+外延层210上表面设置有N+外延层电极211；所述基极208与N+外延层210和N+外延层电极211之间、N+外延层210和N+外延层电极211与N+发射区205和发射极206之间通过SiO2介质层209隔离。本发明的有益效果为，既能有效地降低表面复合、提高电流增益，同时其结构简单，在工艺上较容易实现。本发明尤其适用于碳化硅双极性晶体管。
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公开(公告)号：CN104201197A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410425765.X
申请日：2014-08-26
申请人： 电子科技大学
CPC分类号： H01L29/72 , H01L21/0262 , H01L21/0425 , H01L29/1608
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体的说是涉及一种碳化硅双极性晶体管。本发明的碳化硅双极性晶体管，其特征在于，在N+发射区205与P+掺杂区207之间的P-基区204上表面设置有N+外延层210；所述N+外延层210上表面设置有N+外延层电极211；所述基极208与N+外延层210和N+外延层电极211之间、N+外延层210和N+外延层电极211与N+发射区205和发射极206之间通过SiO2介质层209隔离。本发明的有益效果为，既能有效地降低表面复合、提高电流增益，同时其结构简单，在工艺上较容易实现。本发明尤其适用于碳化硅双极性晶体管。
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公开(公告)号：CN103534793A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280019479.2
申请日：2012-03-28
申请人： 美光科技公司
发明人： D·V·尼马尔·拉马斯瓦米 , 古尔特杰·S·桑胡
IPC分类号： H01L21/328 , H01L29/72
CPC分类号： H01L29/872 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , H01L27/1021 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/285 , H01L29/885 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16
摘要： 本发明提供用于一种选择装置的方法、装置及系统，所述选择装置可包含形成于第一电极上的至少一个半导电材料的半导电堆叠，其中所述半导电堆叠可具有约700埃()或更小的厚度。所述至少一个半导电材料的每一者可具有约4电子伏特(eV)或更小的相关联带隙且第二电极可形成于所述半导电堆叠上。
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公开(公告)号：CN101752412B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200810203812.0
申请日：2008-12-01
IPC分类号： H01L29/72 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及双极晶体管及其制造方法。其中，双极晶体管的制造方法包括步骤：在半导体衬底上形成有源区；在所述有源区上形成覆盖或部分覆盖基区的基极；对有源区的暴露部分进行垂直轻掺杂；对有源区的暴露部分进行倾斜重掺杂。与现有技术相比，本发明对发射区和集电区先进行垂直轻掺杂再进行倾斜重掺杂，可以一次性形成与基区接触的重掺杂的发射区，以及在基区和重掺杂的集电区之间的轻掺杂的缓冲区，从而可以通过控制重掺杂角度来控制发射区和集电区之间的击穿电压。
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公开(公告)号：CN101719483B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200910179050.X
申请日：2009-10-09
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L23/00 , H01L21/203 , H01L29/72 , H01L29/861 , H01L33/00 , H01L31/0264
CPC分类号： C30B29/406 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/403
摘要： 本发明涉及用于生长纤锌矿型晶体的衬底及其制造方法，以及半导体器件。一种层叠结构包括：包括具有六重对称性的晶体的第一层，以及在第一层上形成的包括金属氧氮化物晶体的第二层，其中第二层包括选自由In、Ga、Si、Ge和Al构成的组中的至少一种元素、N、O和Zn作为主要元素，以及其中第二层具有面内取向。
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