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公开(公告)号：CN119560472A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202311138958.2
申请日：2023-09-04
Applicant: 华为数字能源技术有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L25/07 , H05K1/18 , H02M1/00
Abstract: 本申请实施例提供一种功率模块及功率变换装置。功率模块包括：第一覆金属层基板；芯片组，设于第一覆金属层基板上，芯片组包括至少两个芯片；连接片，连接片覆盖在芯片组背离第一覆金属层基板的一侧，每个连接单元与对应的一个芯片电连接，每相邻的两个连接单元在第一方向通过主体连接，每个连接臂对应芯片组的两个相邻的芯片设置，连接臂与第一覆金属层基板连接，连接臂与两个相邻的芯片中的一个的最短距离为第一最短距离，连接臂与两个相邻的芯片中的另一个的最短距离为第二最短距离，第一最短距离与第二最短距离之间的差值在预设阈值内，有利于均衡各芯片的电流路径，减小各芯片之间的寄生参数差异性，从而进一步提升并联芯片的动态均流特性。
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公开(公告)号：CN119547203A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380052684.7
申请日：2023-07-14
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 在将散热器接合于绝缘电路基板的情况等形成多层接合体的情况下，在低温下接合而抑制翘曲。一种多层接合体，具备：陶瓷基板；第一铝板，与陶瓷基板的一个面接合，且包含铝或铝合金；第一中间金属层，与第一铝板的与陶瓷基板相反的一侧的面接合，且包含铜、镍、银及金中的任一种；第一铜烧结层，与第一中间金属层的与第一铝板相反的一侧的面接合；及第一金属部件，与第一铜烧结层的与第一中间金属层相反的一侧的面接合，且包含铝、铝合金、铜及铜合金中的任一种。
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公开(公告)号：CN119542330A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311113054.4
申请日：2023-08-31
Applicant: 同欣电子工业股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/15 , H01L23/498 , H01L21/50
Abstract: 本申请公开一种芯片封装结构及其制作方法。芯片封装结构包括基板、第一芯片、绝缘层以及多个布线层。基板具有第一金属垫与第二金属垫。第一芯片设置于第一金属垫上。绝缘层设置于基板上，并部分覆盖第一金属垫、第二金属垫及第一芯片。多个布线层设置于基板上，并电性连接第一金属垫、第二金属垫及第一芯片。本申请利用绝缘材料作为陶瓷封装的缓冲结构来解决陶瓷基板经过高温制程而翘曲变形的问题，以及利用电镀铜形成导电线路的图形设计来消除现有的打线产生的应力，增加线路设计的弹性，以及使封装结构达到更好的可靠度。
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公开(公告)号：CN119517888A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411156348.X
申请日：2024-08-21
Applicant: 新光电气工业株式会社
Inventor： 村山启
IPC: H01L23/498 , H01L25/07 , H01L23/31
Abstract: 提供一种半导体装置，其能够降低使多个半导体元件同时进行开关动作时的定时偏差。该半导体装置具有：3个以上的半导体元件，相互并联连接；以及布线基板，布置在半导体元件上，各个半导体元件具有控制电极，并且是利用施加于控制电极的电压进行开关的元件，布线基板具有绝缘层；以及第一布线图案，隔着绝缘层布置在与半导体元件相反的一侧，并且将各个半导体元件的控制电极彼此连接，第一布线图案包括与半导体元件相同数量的等长布线、以及经由各个等长布线向各个半导体元件的控制电极输入电压的电压输入点，各个半导体元件的控制电极仅通过从电压输入点沿不同方向延伸的等长布线与电压输入点连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119517872A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410644594.3
申请日：2024-05-23
Applicant: LX半导体科技有限公司
Abstract: 提供了功率半导体模块及形成功率半导体模块的方法。功率半导体模块包括：第一基板；第二基板，该第二基板形成在第一基板上方；导电构件，该导电构件设置在第一基板与第二基板之间；第一功率半导体装置，该第一功率半导体装置设置在第一基板与导电构件之间；以及第二功率半导体装置，该第二功率半导体装置设置在导电构件与第二基板之间。导电构件电连接到第一功率半导体装置和第二功率半导体装置。
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公开(公告)号：CN119497906A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380051289.7
申请日：2023-07-04
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 一种基板层叠体的制造方法，其包括：工序A，准备第一层叠体和第二层叠体，所述第一层叠体按照第一树脂层、第一基板、第一无机材料层的顺序层叠，所述第一树脂层配置在一个表面，所述第一无机材料层配置在另一个表面，所述第二层叠体按照第二树脂层、第二基板、第二无机材料层的顺序层叠，所述第二树脂层配置在一个表面，所述第二无机材料层配置在另一个表面；工序B，使所述第一层叠体的所述第一树脂层与所述第二层叠体的所述第二无机材料层接触而层叠所述第一层叠体和所述第二层叠体；以及工序C，在所述工序B之后，在100℃以上对所述第一层叠体和所述第二层叠体进行加热。
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公开(公告)号：CN111463188B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202010369001.9
申请日：2020-05-03
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种适用于功率变换器的封装结构，其中，第一功率晶体管和控制和驱动电路集成于同一颗晶片，可以更好地实现第一功率晶体管的高频开关动作，提高第一功率晶体管的工作频率，降低开关损耗。第二功率晶体管集成于独立的第二晶片中，第一晶片和第二晶片分立于封装结构中，对第二功率晶体管的控制和驱动动作不会对第一晶片产生干扰或者其他负面影响，提高了可靠性。第一晶片和第二晶片之间可以通过大面积的连接结构进行连接，实现了较低的互连电阻，提升了大电流处理能力。
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公开(公告)号：CN110323210B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201910237882.6
申请日：2019-03-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种装置(100)。该装置包括：基础衬底(110)，具有在该基础衬底处布置的传感器组件(120)；在基础衬底(110)上的间隔层(130)，其中该间隔层被结构化，以提供空腔区域(140)，在该空腔区域中传感器组件(120)暴露地布置在基础衬底(110)处；和在堆叠元件处的DAF带元件(DAF＝芯片附着膜)(150)，其中DAF带元件(150)被构造用于将堆叠元件与布置在基础衬底(110)处的间隔层(130)机械牢固地固定连接并且获得该空腔区域。
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公开(公告)号：CN115458515B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202211300532.8
申请日：2022-10-24
Applicant: 成都赛力康电气有限公司
Inventor： 潘波
IPC: H01L25/07 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/15 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种功率MOSFET模块及生产方法，涉及半导体技术领域。其包括DBC板，DBC板上设置有若干铜衬底，若干铜衬底上均设置有晶圆；DBC板、铜衬底和晶圆均嵌设在塑封体中。本发明通过将晶圆固定在铜衬底的凹槽中后再与DBC板焊接固定，使得本功率MOSFET模块在生产时能够采用成本更低的设备进行生产，并且，铜衬底能够作为补充的额外热容，有效的增强了功率MOSFET模块的抗热冲击能力，使得本功率MOSFET模块的适用性更广。本发明通过将晶圆固定在铜衬底上，再进行测试分BIN，使昂贵的晶圆测试机替换为更便宜的普通芯片分选机，能够有效节省生产成本；同时，将晶圆固定在铜衬底上后，能够采用MOS单管生产用的SMT设备。
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