公开(公告)号：CN118969717A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411046404.4

申请日：2024-07-31

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 ,  华虹半导体(无锡)有限公司

发明人： 岳盛楠 ,  刘张李 ,  周琼 ,  陈志伟

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/311

摘要： 本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供绝缘体上硅，绝缘体上硅包括底层硅、埋氧层和顶层硅，埋氧层位于底层硅的表面，顶层硅位于埋氧层的表面，将绝缘体上硅分为第一区域和第二区域；在第二区域的顶层硅上形成第一硬掩膜层；氧化第一区域的部分厚度的顶层硅，以形成第一氧化层；去除第一硬掩膜层和第一氧化层，分别露出剩余的第一区域的顶层硅的表面和第二区域的顶层硅的表面，剩余的第一区域的顶层硅的厚度低于第二区域的顶层硅的厚度；形成第一浅沟槽隔离结构，以将第一区域的顶层硅和第二区域的顶层硅隔开。本发明在绝缘体上硅的不同区域形成了不同厚度的顶层硅，从而满足了不同器件的性能要求。

公开(公告)号：CN118969714A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411019155.X

申请日：2024-07-26

申请人： 上海华力集成电路制造有限公司

发明人： 吴彬斌 ,  贾丽丽 ,  刘钟元

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 本申请提供一种用于浅沟槽隔离工艺的回刻蚀方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底中形成有多个沟槽；步骤二，在沟槽内填充氧化物；步骤三，回刻蚀氧化物，以去除沟槽内的部分氧化物；步骤四，实施氟化氢吹扫，以缩减位于衬底不同区域的沟槽内的氧化物的高度差。在主刻蚀后增加氟化氢吹扫步骤，氟化氢吹扫过程中Dense区沟槽内氧化物的刻蚀速率高于ISO区，可以平衡前面主刻蚀带来的ISO区沟槽内氧化物的刻蚀速率更高的问题，减小回刻蚀结束后ISO区和Dense区的STI氧化物的高度差异。

公开(公告)号：CN118899316A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202310495131.0

申请日：2023-05-04

申请人： 无锡晶湛半导体有限公司

发明人： 程凯

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/762

摘要： 本申请提供了一种复合衬底，由依次层叠设置的支撑衬底、图形化埋层和生长衬底构成，图形化埋层远离支撑衬底的一侧存在多个凹槽，生长衬底位于图形化埋层之上、并填充凹槽，至少部分生长衬底位于凹槽内，沿着多个凹槽排列的方向，至少部分生长衬底与至少部分图形化埋层互相交错，提升复合衬底的机械强度，生长衬底用于后续外延制作半导体器件，进而改善所制作器件的特性。

公开(公告)号：CN113196461B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN201980082744.3

申请日：2019-12-19

申请人： 索泰克公司

发明人： K·扬·皮尔 ,  克里斯泰勒·维蒂佐

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322

摘要： 本发明涉及一种用于射频应用的绝缘体上半导体衬底(1)，其包括：‑硅载体衬底(2)，‑布置在所述载体衬底上的电绝缘层(3)，‑布置在所述电绝缘层上的单晶层(4)，所述衬底(1)的主要特征在于，其还包括布置在所述载体衬底(2)和所述电绝缘层(3)之间的碳化硅SiC层(5)，该层的厚度为1nm至5nm，所述碳化硅SiC层的在所述电绝缘层(3)一侧的表面(6)是粗糙的。

公开(公告)号：CN118866807A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411036306.2

申请日：2024-07-30

申请人： 上海积塔半导体有限公司

发明人： 张旭 ,  储郁冬 ,  陆琦 ,  赵天楚

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L29/06

摘要： 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，方法包括：提供衬底，衬底的顶面覆盖有介质层；形成间隔排布且沿靠近衬底的方向贯穿介质层并延伸至衬底内的多个沟槽经由所述多个沟槽横向去除部分介质层，得到暴露出部分衬底顶面的多个开口；形成覆盖介质层的裸露表面、衬底的裸露顶面及多个沟槽的内表面的衬垫氧化层；在臭氧氛围下将与照射面呈预设角度的紫外光处理衬垫氧化层的裸露表面，使得位于衬底内沟槽内表面的氢悬挂键数量沿背离所述衬底的方向逐渐减少。通过表面处理来改善高深宽比浅沟槽隔离区介电质填充能力，改善电性及良率。

公开(公告)号：CN112599470B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202011445232.X

申请日：2020-12-08

申请人： 上海新昇半导体科技有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 魏星 ,  高楠 ,  薛忠营

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L27/12

摘要： 本发明提供的一种绝缘体上硅结构的方法包括以下步骤：提供一键合结构，键合结构包括第一衬底、第二衬底和绝缘埋层，绝缘埋层位于第一衬底和第二衬底之间；从键合结构上剥离去除部分厚度的第一衬底，以得到第一薄膜；在第一温度下第一次刻蚀第一薄膜，以去除第一厚度的第一薄膜；在第二温度下第二次刻蚀第一薄膜，以平坦化处理第一薄膜，并去除第二厚度的第一薄膜，第一温度小于第二温度，第一厚度大于第二厚度，第一厚度和第二厚度为第一薄膜的总刻蚀厚度。本发明通过先在第一温度下刻蚀减薄第一薄膜，再在第二温度下平坦化处理所述第一薄膜，同时达到第一薄膜的目标厚度，使得在平坦化处理顶层硅的同时还可以提高顶层硅厚度均匀性。

公开(公告)号：CN113471136B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202010238850.0

申请日：2020-03-30

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 王成博 ,  苏波 ,  孙林林 ,  王海舟 ,  李强

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种半导体器件及形成方法，包括：提供基板，所述基板包括多个区域；提供掩膜层，位于所述基板上，所述掩膜层内形成多个图形结构，每一图形结构包括位于所述多个区域中的两个区域的通孔结构；所述多个图形结构两两重合形成重合区域，所述重合区域有一个重合的通孔结构。本发明的技术方案能够提高图形质量和图形化位置的准确性，进而改善半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN118800719A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410937922.9

申请日：2024-07-12

申请人： 粤芯半导体技术股份有限公司

发明人： 王宇 ,  郭祝

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/67 ,  H01L29/06

摘要： 本申请提供了一种深沟槽隔离结构的制备方法及半导体器件，其中，制备方法包括：获取目标衬底，所述目标衬底包括深沟槽结构；对所述目标衬底依次通过炉管工艺和化学气相沉积工艺来生成第一隔离结构之后，将所述目标衬底移动至刻蚀腔；按照预设沉积条件在所述第一隔离结构上沉积出第二隔离结构；按照预设刻蚀条件去除所述第一隔离结构和所述第二隔离结构中所述深沟槽结构的底部对应的隔离部分，以得到待清洗衬底；按照预设清洗条件清洗所述刻蚀腔和所述待清洗衬底，以制备出深沟槽隔离结构。

公开(公告)号：CN115151685B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202180016418.X

申请日：2021-03-04

申请人： 六号元素技术有限公司 ,  沃里克大学

发明人： J·J·图里 ,  S·J·柯比 ,  J·V·麦克弗森 ,  M·E·牛顿 ,  M·L·玛尔卡哈姆

IPC分类号： C30B29/04 ,  C30B33/06 ,  H01L21/762

摘要： 一种形成金刚石产品的方法。提供金刚石材料并且在该材料中形成包含sp2键合碳的损伤层。损伤层的存在限定了在损伤层上方并与损伤层接触的第一金刚石层以及在损伤层下方并与损伤层接触的第二金刚石层。电化学刻蚀所述损伤层以便将其与第一层分离，其中在含有离子的溶液中进行电化学刻蚀，该溶液的电导率为至少500μS cm‑1，并且其中所述离子能够在电解期间形成自由基。还描述了金刚石产品。

公开(公告)号：CN118748169A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410783027.6

申请日：2024-06-17

申请人： 上海新傲芯翼科技有限公司

发明人： 汪子文 ,  丁晶俊 ,  李名浩 ,  魏星 ,  李炜

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

摘要： 本发明提供了一种键合晶圆的制备方法，包括：提供器件晶圆和支撑晶圆，其中器件晶圆具有0.1度～0.6度的偏角；对器件晶圆和/或支撑晶圆执行氧化工艺，以在器件晶圆和/或支撑晶圆的表面形成氧化层；将器件晶圆和支撑晶圆键合形成键合晶圆，键合晶圆包括衬底层、顶层硅层及绝缘埋氧层，在键合后，支撑晶圆作为衬底层，器件晶圆作为顶层硅层，器件晶圆和支撑晶圆之间的氧化层作为绝缘埋氧层；对顶层硅层执行化学机械抛光工艺，抛光后顶层硅层的表面粗糙度小于设定阈值。本发明实现改善顶层硅层的表面均匀性。