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公开(公告)号：CN105388698A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510989742.6
申请日：2015-12-24
申请人： 天津美迪亚影像材料有限公司
IPC分类号： G03C5/00
CPC分类号： G03C5/00
摘要： 本发明公开了一种功能型工业射线胶片专用免水渍除盐剂。本发明以重量浓度计，包括C12-14脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸盐类阴离子型表面活性剂1～5‰、聚氧乙烯烷基酚醚类非离子型表面活性剂1～5‰、柠檬酸钠型促进剂0.2～1‰、硅酸钠型PH调节剂0.05～0.25‰和亚硫酸钠盐影像稳定剂0.01～0.05‰，余量为去离子水。使用本发明除盐剂浸润底片0.5分钟能有效抑制水渍，使底片残留硫代硫酸盐离子含量小于0.002g/cm2,满足底片档案保存要求。
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公开(公告)号：CN105101877A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201380071783.6
申请日：2013-11-07
申请人： 控制辐射系统有限公司
CPC分类号： A61B6/469 , A61B6/02 , A61B6/06 , A61B6/4225 , A61B6/461 , A61B6/467 , A61B6/5205 , A61B6/542 , A61B6/545 , A61B6/583 , G21K1/04 , G21K1/043
摘要： 公开了一种多帧X射线成像系统，该系统具有对图像增强器或其它X射线探测器的不同输入区域的差分X射线曝光的能力。准直仪被提供以控制图像的各区域的辐射量，并且图像处理被提供以提供不同质量的图像显示。
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公开(公告)号：CN102498543B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201080040495.0
申请日：2010-08-20
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： G03C5/00 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/32139 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
摘要： 一种图案化基底的方法，包括：提供抗蚀剂特征阵列，抗蚀剂特征阵列由相邻抗蚀剂特征之间的第一间距及第一间隙宽度界定。将粒子引入至抗蚀剂特征阵列中，其中抗蚀剂特征阵列变得硬化。引入粒子可引起抗蚀剂特征的关键尺寸减小。在硬化的抗蚀剂特征的侧部部分上提供侧壁。在形成侧壁之后，移除硬化的抗蚀剂特征，从而留下配置于基底上的分离的侧壁阵列。所述侧壁阵列提供遮罩，以对配置于侧壁下方的基底层中的特征进行双图案化，其中形成于基底中的特征阵列具有第二间距，第二间距等于第一间距的一半。
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公开(公告)号：CN102576187A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080046103.1
申请日：2010-10-12
申请人： 希乐克公司
发明人： M·梅多夫
CPC分类号： G06K5/02 , B32B29/002 , B32B2262/0276 , B32B2554/00 , C08B15/00 , C08J7/123 , C12M45/00 , C12M45/06 , C12P19/00 , D21H21/48 , D21H25/04 , G01N33/346 , G01N2223/1013 , G01N2223/102 , G03C11/02 , G06K5/00 , G21K5/00 , H01J3/02 , H01J3/04
摘要： 提供了标记纸产品的方法和标记纸产品。一些方法包括照射纸产品以改变纸的官能化。
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公开(公告)号：CN102362223A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080012879.1
申请日：2010-03-16
申请人： 派因布鲁克成像系统公司
IPC分类号： G03C5/00
CPC分类号： G03F7/70383 , G03F7/70275 , G03F7/70291 , G03F7/70508 , G03F7/70791
摘要： 本发明公开了一种在光刻制程中处理相邻成像区之间的影像数据的系统及方法。公开了一种在光刻制程中将光掩膜数据图案施用于基板的方法。在一种实施例中，该方法包括提供一平行成像写入系统，其中该平行成像写入系统包含复数个空间光调制器(SLM)成像单元，且该SLM成像单元排列成一或多个平行阵列；接收一待写入该基板的光掩膜数据图案；处理该光掩膜数据图案，以形成复数个对应于该基板不同区域的分区光掩膜数据图案；指派一或多个所述SLM成像单元负责处理各该分区光掩膜数据图案；控制该复数个SLM成像单元，以将该复数个分区光掩膜数据图案平行写入该基板；控制该复数个SLM成像单元的移动，使其涵盖该基板的不同区域；及控制该SLM成像单元的移动，使其与该复数个分区光掩膜数据图案的连续写入作业同步。
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公开(公告)号：CN101228527B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200680022286.7
申请日：2006-05-20
申请人： 凯登斯设计系统有限公司
CPC分类号： G06F17/5068 , G03F7/70091 , G03F7/70125 , G03F7/70425 , G05B2219/35028 , G06F17/5081 , G06F2217/12 , Y02P90/265
摘要： 本发明的一些实施例提供了用于设计集成电路(“IC”)版图的有制造意识的处理(1205)。该处理接收制造配置，该制造配置为用于基于IC版图制造IC的机器的集合指定制造设置的集合(1210)。处理基于指定的制造配置定义设计规则的集合(1215)。处理使用设计规则的集合来设计IC版图(1225)。本发明的一些实施例提供了用于制造集成电路(“IC”)的有设计意识的处理(1227)。该处理接收具有相关的设计性质集合的IC设计。处理指定制造配置，该制造配置为用于制造IC的机器的集合指定制造设置的集合，其中指定的制造设置的集合基于设计性质的集合。处理基于制造设置来制造IC(1230)。
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公开(公告)号：CN101443702A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200580047551.2
申请日：2005-12-01
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
发明人： T·J·阿托恩
摘要： 一种光刻修整掩模(10)包括透明区域(30)、衰减相移区域(32)和不透明区域(34)。所述透明区域基本透射所接收的光。所述衰减相移区域衰减并移动所接收光的相位。经相移的衰减光图案化晶片的粗线区域。所述不透明区域基本防止所接收的光对晶片的细线区域进行曝光。
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公开(公告)号：CN101432658A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200580029097.8
申请日：2005-08-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03C5/00
摘要： 在半导体处理中，控制形成在晶片上的结构的临界尺寸是通过以下方式实现的：首先利用显影工具对晶片上膜层顶部的光刻胶进行显影，光刻胶显影是包括显影的温度和时长在内的显影工具工艺变量的函数。在对光刻胶显影之后，利用刻蚀工具对晶片上的膜层执行一个或多个刻蚀步骤。在执行了一个或多个刻蚀步骤之后，利用光学度量工具测量晶片上的多个位置处的结构的临界尺寸。在测量了临界尺寸之后，基于在晶片上的多个位置处测得的结构的临界尺寸调节显影工具工艺变量中的一个或多个。
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公开(公告)号：CN100470381C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200480005996.X
申请日：2004-02-13
申请人： 飞思卡尔半导体公司
CPC分类号： G03F1/32
摘要： 一种衰减的相移掩模(10或20)包括基板(12或22)和覆盖在基板上的衰减叠层(11或21)。衰减叠层包括覆盖在基板上的铬层或钌层(14或24)、覆盖在铬层或钌层上的氧化硅钽层(16或26)和覆盖在氧化硅钽层上的氮化硅钽层(18或28)。衰减叠层还可包括在基板(22)和铬或钌层(24)之间的层(30)。在一个实施例中，该层是部分基板。使用衰减叠层来图案化半导体晶片上的光刻胶(50)。在一个实施例中，在曝光波长处，与衰减叠层相邻的部分基板具有大于90%的透射率，且衰减叠层具有5%至20%的透射率。在一个实施例中，基板和衰减叠层之间在检查波长处的检查对比度大于75%。
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公开(公告)号：CN1275091C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN02823702.1
申请日：2002-11-25
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： G03F7/70508 , G03F7/70558
摘要： 一种使用新母版以在晶片上制造半导体器件的方法，该方法涉及对母版进行测量(420)，并通过使用预定算法(450)来指定初始曝光剂量(470)。曝光控制系统(490)使用母版CD数据(430、440)，以自动计算母版曝光偏置值，即母版因子(510)。使用母版大小偏差(500)对所计算的母版因子(510)的相关来导出新母版的母版因子(510)。然后，所导出的母版因子(510)被用来预测(450)应用到光刻工具(410)的新母版的初始曝光条件，以达到晶片设计尺寸。
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