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公开(公告)号：CN118910737A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410840610.6
申请日：2024-06-26
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种高钙气化渣制备石膏晶须的方法，气化渣酸溶液由气化渣通过盐酸提取酸溶物而得。因钙含量高，在后续制备氯化铝絮凝剂时严重影响产品质量，本发明借助硫酸脱钙过程，以生产石膏晶须方式脱钙，在提升絮凝剂产品质量的同时，增加了脱钙产品附加值，对提升气化渣资源化利用整体经济性具有十分重要意义。本发明以气化渣酸溶液和一洗液为原料，通过调控硫酸浓度、滴加速度、温度、陈化时间等工艺参数，采用酸溶液制备的石膏晶须平均长径比为10‑80，利用气化渣一洗液制备的石膏晶须平均长径比为150‑200，可用于树脂、橡胶、涂料、造纸中作增强剂或功能型填料，也可用于摩擦材料、建筑材料、密封材料、保温及阻燃材料等，有极为广阔的发展前景。
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公开(公告)号：CN118910713A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410987844.3
申请日：2024-07-23
申请人： 江苏汉疆新材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种VTM法碲锌镉单晶的配料方法及生长工艺，配料方法包括如下步骤：1)将单晶籽晶和单质碲依次装入生长坩埚内，生长坩埚具有籽晶井；2)将单质锌、镉装入装料坩埚中，装料坩埚下端开有小孔；3)将步骤1)中生长坩埚放在石英安醅的下端；将步骤2)中的装料坩埚放在石英安醅的上端，生长坩埚与装料坩埚之间设置有焊接用的石英托承托装料坩埚的物料。其具有设计合理、配料方便等优点，避免了在发生化合反应时发生连锁反应，集中放热太大从而造成有裂管的风险，此外减少了碲锌镉化合完成后的降温、出炉、取出多晶料、再二次配料、装炉、升温等工艺步骤，极大的节约了生产成本，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN118835320A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410864366.7
申请日：2024-06-30
申请人： 广西大学
摘要： 本发明公开了一种亚碲硫酸盐非线性光学晶体及其制备方法和应用，属于无机化学材料技术领域，化学式为Ti(TeO3)(SO4)，属于单斜晶系，其晶体空间群为P21；Ti(TeO3)(SO4)的晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#α＝90°，β＝105.062(6)°，γ＝90°。所述亚碲硫酸盐非线性光学晶体具有宽的光学带隙，具有潜在的大激光损伤阈值，可作为非线性光学材料在光学领域应用。
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公开(公告)号：CN117867637B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410111971.7
申请日：2024-01-26
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 利用倾斜单温区合成炉一步制备单晶生长用高纯硒锗镓钡多晶料的方法，它涉及单晶生长用多晶料的制备方法。它是要解决现有合成BGGSe多晶料的方法制备的BGGSe多晶料纯度低，进而影响生长的单晶品质的技术问题。本方法：一、在惰性气氛的手套箱中按化学计量比称取的Ba源、Ga源、Ge源和Se源及过量的Ba源和Ge源；再称取提供压力气体氛围的物质；将原料分组放在圆筒状坩埚和石英管中，再将圆筒状坩埚放在石英管中，抽真空再注入惰性气体后密封；放在倾斜单温区管式炉中分步反应，得到高纯硒锗镓钡多晶料BaGa2GeSe6，其晶胞结构参数与相关理论值一致，各元素均符合化学计量比，纯度高，可用于单晶生长。
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公开(公告)号：CN118814260A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410112780.2
申请日：2024-01-25
申请人： 湖南工商大学
摘要： 本发明公开了一种二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的制备方法，利用单一分子束蒸发源直接加热SnS粉末，在超高真空环境中，直接将SnS分子沉积在Au衬底之上，利用SnS分子与Au衬底的相互作用，一步法直接制备二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结，本技术采用超高真空分子束外延法将SnS分子沉积在Au衬底上，SnS/SnS2异质结的生长环境干净且无杂质来源，所制备的SnS/SnS2异质结纯度高，且生长机理简单。本发明所公开的一种二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的制备方法，所制备的SnS/SnS2异质结为二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结，不同于一步溶剂热法及一步相控合成所制备的纳米晶构型的SnS/SnS2异质结，同时，超高真空分子束外延法还可以对二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的形貌、层数及厚度进行精确控制。
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公开(公告)号：CN118773744A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410883968.7
申请日：2024-07-03
申请人： 宜宾金通化工科技有限公司
发明人： 董金芳
摘要： 本申请涉及材料制备技术领域，公开了一种硫酸钙晶须制备工艺，包括以下步骤：S1.将含钙废渣溶解于水中形成硫酸钙溶液并加入分散剂；S2.对硫酸钙溶液进行浓缩，在浓缩过程中加入调节剂；S3.将浓缩后的溶液进行结晶处理；S4.通过过滤设备对硫酸钙晶须进行真空过滤以去除母液；S5.将硫酸钙晶须在干燥设备中进行干燥；S6.将硫酸钙晶须进行陈化处理；S7.陈化处理后，将硫酸钙晶须在煅烧设备中进行煅烧。通过在浓缩步骤中加入由有机酸和无机盐组成的调节剂，不仅优化了溶剂的活化指数和pH值，还有助于提高溶解效率和结晶质量，另外通过特定的陈化和高温煅烧处理，进一步确保了产品的高纯度和结晶完整性，使其在应用中表现出更优异的性能。
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公开(公告)号：CN118773743A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410763517.X
申请日：2024-06-13
申请人： 先导薄膜材料(广东)有限公司
摘要： 本发明属于热电材料技术领域，公开了一种废碲铋合金晶棒的回收制备方法及N型Bi2Te3基热电材料，该废碲铋合金晶棒的回收制备方法包括如下步骤：步骤1：将废碲铋合金晶棒经清洗烘干，得到干净的废碲铋合金棒；步骤2：对干净的废碲铋合金晶棒进行部分抽检，进行电性能检测，以电导率和塞贝克系数的具体数值，对比碲铋合金的标准数据，反向推导出该废碲铋合金晶棒的Se含量范围值；步骤3：以Se含量x＝0.5为基准，将Se含量在不同范围内的两根废碲铋合金棒理论计算成最优比例，组合后重新进行熔炼冷淬、粉碎筛分得到粉末，然后进行热压烧结成合金锭。本发明不需要额外对全部元素进行调整，有效减少了耗费的成本，并提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN118756330A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410736483.5
申请日：2024-06-07
申请人： 南京大学 , 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
摘要： 本发明公开了化学气相输运生长新型磁性拓扑绝缘体制备方法及装置。本发明的装置包括单温区管式炉、石英管高温原料端、石英管低温生长端、温度监测部件、温度控制部件；石英管高温原料端和石英管低温生长端处于单温区管式炉内，温度监测部件与所述温度控制部件分别于石英管低温生长端相接，用于控制石英管低温生长端的温度波动。本发明将原料单质锰、单质铋、单质碲和碘加入到真空状态下封闭石英管，匀速升温石英管低温生长端3的温度至所需要温度，运行程序在设定温度保持7天，得到相应的化学气相输运生长本征磁性拓扑绝缘体。本发明通过精确控制温度实现了本征磁性拓扑绝缘体的晶体生长以及磁性调控。
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公开(公告)号：CN118727119A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410984528.0
申请日：2024-07-22
申请人： 河南城建学院
摘要： 本发明公开了一种高长径比半水石膏晶须及其制备方法，涉及材料制备技术领域。该方法包括如下步骤：将醇与水混合形成醇溶液，并向醇溶液中加入调晶剂混合形成澄清透明溶液，其中，调晶剂包括K、Na、Mg、Zn、Al元素的盐酸盐中的至少两种；将二水石膏加入澄清透明溶液中，均匀分散并形成悬浊液；将悬浊液加入水浴中加热，在搅拌条件下反应后过滤，将所得固体干燥后即得高长径比半水石膏晶须。本发明高长径比半水石膏晶须的制备方法，可获得长径比大于600∶1的半水石膏晶须。
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公开(公告)号：CN116103746B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202211584868.1
申请日：2022-12-09
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
摘要： 本申请公开了一种二氧化碲单晶的生长方法及其生长装置。晶体在生长过程中匀速旋转和多根同时生长。克服了坩埚下降法生长二氧化碲晶体下降过程中单一降温导致的晶体中包裹、条纹等缺陷，还克服了之前只能单根生长、成本相对较高的缺点。得到的二氧化碲单晶质量高，缺陷少，成品率高，易于生产且成本降低，可生长出尺寸φ60mm*80mm的优质单晶。
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