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公开(公告)号：CN118814260A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410112780.2
申请日：2024-01-25
Applicant: 湖南工商大学
Abstract: 本发明公开了一种二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的制备方法，利用单一分子束蒸发源直接加热SnS粉末，在超高真空环境中，直接将SnS分子沉积在Au衬底之上，利用SnS分子与Au衬底的相互作用，一步法直接制备二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结，本技术采用超高真空分子束外延法将SnS分子沉积在Au衬底上，SnS/SnS2异质结的生长环境干净且无杂质来源，所制备的SnS/SnS2异质结纯度高，且生长机理简单。本发明所公开的一种二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的制备方法，所制备的SnS/SnS2异质结为二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结，不同于一步溶剂热法及一步相控合成所制备的纳米晶构型的SnS/SnS2异质结，同时，超高真空分子束外延法还可以对二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的形貌、层数及厚度进行精确控制。
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