公开(公告)号：CN119530777A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411783454.0

申请日：2024-12-05

Applicant: 拉普拉斯新能源科技股份有限公司

Inventor： 宋卓 ,  朱太荣 ,  张武

IPC: C23C16/50 ,  H01M4/04 ,  C23C16/458

Abstract: 本申请提供一种插片设备及方法，插片设备包括：插片装置，插片装置包括机架组件、第一驱动组件和两个第一压轮组，两个第一压轮组均设置在机架组件上，且在第一水平方向上相对设置；每一个第一压轮组包括多个第一压轮，至少部分第一压轮在竖直方向上间隔设置，至少部分第一压轮在第二水平方向上间隔设置；每一个第一压轮均用于与片状材料抵接，且两个第一压轮组用于配合夹持片状材料；第一驱动组件与至少部分第一压轮连接，第一驱动组件用于驱动第一压轮转动，以驱动片状材料在竖直方向上移动，使片状材料进入插槽；移动装置，移动装置与插片装置连接，移动装置用于驱动插片装置在多个直线方向上移动，使插片装置靠近或远离插槽。

公开(公告)号：CN119530773A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411699303.7

申请日：2024-11-26

Applicant: 重庆原石智能装备有限公司

Inventor： 李德旺 ,  郭九浩

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/32 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及旋转轴领域，尤其涉及一种SiC‑CVD旋转轴,包括有旋转中轴、排气导向筒、石墨保护套、旋转轴支撑环、石墨供气管道、石墨匀气盘、石墨托环、中轴排气外管、基底元件和托盘；旋转中轴外侧套有石墨保护套；旋转中轴上端安装有旋转轴支撑环；本发明提出了一种SiC‑CVD设备旋转轴通过将惰性保护气体通入旋转中轴、旋转轴支撑环与石墨保护套之间的缝隙中，保证在设备运行过程中上述空隙中始终为正压，既能利用通入的惰性气体对旋转中轴实现气冷降温，又能防止炉室内反应气体通过上述空隙进入接触金属材质的旋转中轴，从而起到防止腐蚀的作用，在使用本气冷、防腐蚀旋转轴结构后，可实现旋转中轴的免维护运行，提高设备生产效率与安全性。

公开(公告)号：CN119506846A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202311073184.X

申请日：2023-08-23

Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 ,  盛美半导体设备韩国有限公司 ,  清芯科技有限公司

Inventor： 张山 ,  金京俊 ,  王晖 ,  谢素兰 ,  陈宇

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种硅片托举环、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法。硅片托举环可装设于薄膜沉积腔室内，薄膜沉积腔室内设有用于承载硅片进行薄膜沉积的加热台，硅片托举环具有可伸缩内径；在薄膜沉积期间，硅片托举环被配置为：可伸缩内径扩张至大于硅片直径和加热台直径的第一内径，并不接触硅片和加热台；在托举硅片期间，硅片托举环被配置为：第一内径收缩至小于硅片直径的第二内径，并被移动至硅片的底部，以托举硅片。本发明通过硅片托举环使硅片在腔体内进行多次旋转、多次沉积，实现了硅片薄膜沉积厚度均匀、生产效率高的效果。

公开(公告)号：CN119506842A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411660410.9

申请日：2024-11-20

Applicant: 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 秦金鹏 ,  刘磊 ,  王雪楠 ,  邹君阳 ,  夏帅

IPC: C23C16/458 ,  H01L21/673 ,  H01L21/677 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明涉及太阳能电池制造领域、铜基材石墨烯产品生产领域，提供一种石英舟、搬运设备、缓存设备以及搬运方法，石英舟包括若干连接杆和一对承载板；石英舟具有第一方向和第二方向，若干连接杆沿第一方向连接一对承载板，承载板在第二方向的两侧分别设有一抓取部，搬运设备适于抓取石英舟在第二方向两侧的抓取部并抬起石英舟。搬运设备适于抓取石英舟的第二方向两端。本发明的石英舟的第二方向两侧设有抓取部，搬运设备适于抓取石英舟的第二方向两侧的抓取部，保证石英舟总长不变的情况下，增加了石英舟内部的承载空间；搬运设备抓取的短石英舟的数量可以更加灵活的布置，石英舟抓取部之间跨度的减小极大的降低了石英舟搬运过程中断裂的风险。

公开(公告)号：CN118684521B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411185544.X

申请日：2024-08-27

Applicant: 浙江晶诚新材料有限公司

Inventor： 傅霖兵 ,  请求不公布姓名 ,  门玉娟 ,  请求不公布姓名 ,  春伟博

IPC: C04B41/87 ,  C23C16/32 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C30B25/12 ,  C23C16/458 ,  C30B23/02 ,  C23C14/50

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法与应用，该碳化硅涂层石墨基座的制备方法，包括以下步骤：将含硅粉体以及石墨基座置于反应容器中，含硅粉体选自SiO粉体或Si粉中的一种；对反应容器进行抽真空处理，向反应容器中通入CO气体并加热，CO气体与含硅粉体挥发形成的含硅气体进行化学气相反应，在石墨基座表面形成碳化硅涂层，其中，向反应容器中通入CO气体并加热的步骤中，反应容器的温度大于1400℃，CO气体的流量小于800sccm。该碳化硅涂层石墨基座的制备方法能够很好的提高碳化硅涂层的致密性以及在石墨基座中的嵌入深度。

公开(公告)号：CN119495602A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411394191.4

申请日：2021-05-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 保罗·扎卡里·沃思 ,  基基什伊·尚 ,  米哈伊尔·塔拉布钦

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了一种用于控制基板支撑组件的温度的方法。向嵌入在该基板支撑组件的分区中的加热元件供应第一直流(DC)功率，该基板支撑组件被包括在处理腔室中。测量跨该加热元件的电压。类似地，测量流过该加热元件的电流。基于跨该加热元件的该电压和流过该加热元件的该电流来确定该基板支撑组件的该分区的温度。确定该分区的所确定的温度与该分区的目标温度之间的温度差异。至少部分地基于该温度差异来确定向该加热元件递送以实现该目标温度的第二DC功率。向该加热元件供应该第二DC功率以使得该分区的该温度被修改为该目标温度。

公开(公告)号：CN119465101A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411972977.X

申请日：2024-12-30

Applicant: 深圳市捷佳芯创科技有限责任公司

Inventor： 张向东 ,  籍龙占 ,  张海涛 ,  盛江 ,  沈晨鑫

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提出了一种腔室盖板及卧式HWCVD设备，腔室盖板设有热丝导电组件和布气装置，所述热丝导电组件上连接多根热丝，且多根所述热丝连续地排成多行，布气装置出气孔、热丝及基板的位置关系为出气孔‑热丝‑基板且安装顺序为朝下安装或朝上安装。本发明的热丝紧密拼接成间隔分布的多行，便于模块化安装于腔室盖板；将热丝行平行横穿至载板两侧的布气管嵌入腔室盖板内，同时每个行列化的热丝安装条也嵌入到了腔盖内，安装位置均平齐于腔盖表面。

公开(公告)号：CN119465097A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411490145.4

申请日：2019-11-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤里敏章 ,  望月隆 ,  鸟屋大辅 ,  铃木公贵 ,  鲁和俊

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明提供基板保持机构、成膜装置及成膜方法。该基板保持机构能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板，该成膜装置使用了该基板保持机构。基板保持机构包括：载物台，其由电介质构成，用于支承被处理基板；吸附电极，其设于载物台内；以及加热器，其加热载物台，利用约翰逊·拉别克力将被处理基板静电吸附于载物台的表面，载物台具有：密合区域，其呈环状，位于载物台的表面的与被处理基板的外周相对应的位置，与被处理基板密合，而具有阻止用于成膜导电性膜的原料气体迂回到所述被处理基板的背面侧的功能；以及槽部，其呈环状设于载物台的表面的比密合区域靠外侧的部分，能够累积由原料气体生成的导电性沉积膜。

公开(公告)号：CN119433513A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202310975933.1

申请日：2023-08-02

Applicant: 长鑫科技集团股份有限公司

Inventor： 肖超鹏 ,  周钜凯

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开实施例提供一种薄膜沉积设备及方法，该薄膜沉积设备包括：旋转盘，设置于反应腔内部；多个承载台，设置于旋转盘上，用于承载待沉积件并在旋转盘旋转时随旋转盘旋转；旋转机构，连接于旋转盘与承载台之间，用于带动承载台进行与旋转盘的旋转方向同向的自旋转；控制机构，与旋转盘和旋转机构连接，用于在薄膜沉积过程中控制旋转盘以第一预设速度旋转，并控制旋转机构带动承载台以第二预设速度自旋转。

公开(公告)号：CN119411099A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411642507.7

申请日：2024-11-15

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

Inventor： 何宝轲 ,  王永茂 ,  靳福江 ,  曾望明 ,  马超 ,  刘金彪 ,  吴虹见 ,  王嘉琪 ,  谢坤 ,  钟文杰

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/458

Abstract: 本公开提供一种气相沉积设备，包括静电吸盘、绝缘支撑部以及平行设置的第一电极板和第二电极板，所述第一电极板靠近所述第二电极板的第一表面上设置有第一凹槽，所述静电吸盘设置于所述第一凹槽内，所述绝缘支撑部设置于所述第一电极板且位于所述第一凹槽外侧，沉积工艺中待沉积基板设置于所述静电吸盘远离所述第一电极板的一侧，金属掩膜版通过所述绝缘支撑部支撑设置于所述待沉积基板远离所述第一电极板的一侧且与所述第一电极板绝缘。与相关技术相比，本公开气相沉积设备可以通过静电力实现金属掩膜版和待沉积基板的紧密贴合，有效降低金属掩膜版与待沉积基板之间的间隙，有利于实现显示面板的窄边框。