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公开(公告)号:CN118891549A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202380027582.X
申请日:2023-03-03
申请人: 日亚化学工业株式会社
摘要: 本发明提供从端部的褪色得到抑制的波长转换构件。波长转换构件包含具备波长转换层和2个阻隔层的层叠体,所述波长转换层包含量子点,所述2个阻隔层分别层叠在波长转换层的一个主面上及另一个主面上。在波长转换构件中,阻隔层在其端面的至少一部分具有第1改性部,波长转换层在其端面的至少一部分具有第2改性部,第2改性部的至少一部分和阻隔层一起在层叠体的端面露出。
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公开(公告)号:CN118813242A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202410948388.1
申请日:2024-07-16
申请人: 南方科技大学
摘要: 本发明涉及一种量子点、制备方法及包括其的量子点组合物、发光器件。一种量子点,包括内核和ZnS壳层,内核包括发光材料,多个ZnS壳层在沿远离内核的方向上依次包覆于内核,而且至少ZnS壳层的材料为Na掺杂ZnS而形成Na:ZnS壳层包覆着内核。在本发明提供的一个制备Na掺杂ZnS壳层量子点的具体实施例中,包括先制备Se前驱体(TOP‑Se)和发光材料InP核心第一体系,然后进行壳层包覆,将ZnSe壳层以及Na掺杂的ZnS壳层依次包覆于InP核心,由此制备得到InP/ZnSe/Na:ZnS量子点。含InP/ZnSe/Na:ZnS量子点的光学器件例如QLED,由于壳层ZnS掺杂Na后的ZnS价带能级的提升,这将更有利于空穴的注入,提高光学器件的载流子动态平衡。
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公开(公告)号:CN118792050A
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202410783267.6
申请日:2024-06-18
申请人: 上海应用技术大学
IPC分类号: C09K11/70 , H01L33/50 , F21K9/64 , F21Y115/10
摘要: 本发明涉及荧光粉制备技术领域,尤其是涉及一种紫外、紫光或蓝光激发的青色荧光粉及其制备方法与应用。该青色荧光粉的化学式为LiHf2(PO4)3:xEu2+yMg2+,其中0
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公开(公告)号:CN118421299B
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410524833.1
申请日:2024-04-29
申请人: 上海交通大学内蒙古研究院
IPC分类号: C09K11/02 , C12Q1/6837 , C09K11/70 , B82Y30/00
摘要: 本发明属于材料技术领域,具体提供一种包覆银纳米壳层的荧光编码微球及荧光编码矩阵,该荧光编码微球的制备方法包括以下步骤:S1、将表面活性剂溶解在水相中形成连续相溶液;S2、将至少一种荧光材料按照至少一种浓度分别和聚合物溶解到油相溶剂中,形成至少一种分散相溶液;S3、各分散相溶液逐一和连续相溶液通过SPG膜乳化法制备出至少一种荧光编码微球。S4、将银纳米立方体颗粒和每种荧光编码微球分别超声分散,得到包覆银纳米壳层的荧光编码微球。本发明的制备方法简单有效、重复性好,并且省略了对主客体材料的修饰过程,即可构建得到基于颜色‑强度的贵金属壳层的二维编码库,为构建高灵敏液相芯片检测平台提供了强有力的工具。
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公开(公告)号:CN118667542A
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202310252559.2
申请日:2023-03-16
申请人: 合肥福纳科技有限公司
摘要: 一种量子点的制备方法,属于量子点材料领域。量子点的制备方法包括将阳离子前驱体与有机酸配体混合,形成第一体系;使阴离子前驱体在所述第一体系中反应,形成团簇;在非配位溶剂中,所述团簇发生反应,形成量子点;其中,所述阳离子前驱体与所述阴离子前驱体的摩尔比>1:1。该制备方法可以获得波长范围更广、纯度更高的量子点。
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公开(公告)号:CN118165730B
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN202410591588.6
申请日:2024-05-13
申请人: 北京北达聚邦科技有限公司 , 魏县聚邦新材料科技有限公司
摘要: 本发明涉及半导体材料技术领域,具体涉及一种磷化铟量子点及其制备方法。本发明提供的一种磷化铟量子点的制备方法,包括如下步骤,S1,将有机溶剂、脂肪胺、卤化锌、卤化铟与硒化锌纳米晶溶液混合,得到混合液,其中硒化锌纳米晶溶液中硒化锌纳米晶为提纯后的纳米晶;S2,在惰性气氛中,向步骤S1得到的混合液中加入膦源,在第一反应温度下反应,形成第一量子点反应液;S3,向第一量子点反应液中加入硒的前驱体,形成第二量子点反应液;S4,对第二量子点反应液中量子点进行壳层包覆、提纯得到磷化铟量子点。本发明能够制得粒径均一的磷化铟量子点核,得到的量子点半峰宽窄、量子效率高。
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公开(公告)号:CN111978947B
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202010446663.1
申请日:2020-05-25
申请人: 三星显示有限公司
IPC分类号: C09K11/02 , C09K11/70 , G02F1/1334
摘要: 公开了一种量子点‑聚合物复合物图案、制造方法和包括该量子点‑聚合物复合物图案的显示装置,该量子点‑聚合物复合物图案包括被构造为发射预定波长的光的至少一个重复部分。量子点‑聚合物复合物包括聚合物基质和分散在聚合物基质中的多个无镉量子点,聚合物基质包括包含含羧基的重复单元的线性聚合物,量子点‑聚合物复合物对大约450nm波长的光具有大于或等于大约85%的光吸收率,并且在傅里叶变换红外光谱中具有大于或等于大约2.6的羟基峰相对于丙烯酸酯峰的面积比。
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公开(公告)号:CN118360048A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410772958.6
申请日:2024-06-17
申请人: 镭昱光电科技(苏州)有限公司
IPC分类号: C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/62 , C09K11/70 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L33/50 , C01B33/18 , G03F7/004 , G03F7/027
摘要: 本发明提供一种介孔氧化物包覆量子点的制备方法、量子点光刻胶及其制备方法、发光器件,所述介孔氧化物包覆量子点的制备方法包括:步骤S1,制备介孔氧化物,所述介孔氧化物为介孔金属氧化物或介孔二氧化硅,所述介孔氧化物的平均孔径直径在50 nm以内,且所述介孔氧化物的粒径尺寸为100~300nm:步骤S2,制备介孔氧化物包覆量子点:将量子点与所述介孔氧化物混合,并对反应后得到的所述介孔氧化物包覆的量子点进行后处理,获得介孔氧化物包覆量子点。本发明能够提升量子点光刻胶的稳定性,进而提升量子点发光器件的稳定性和耐久性。
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