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公开(公告)号:CN118771861A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202411036627.2
申请日:2024-07-31
申请人: 苏州芯合半导体材料有限公司
IPC分类号: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/632 , C04B41/80
摘要: 本发明公开了一种热稳定性氧化铝陶瓷及其制备方法,该热稳定性氧化铝陶瓷通过先将氧化铝粉末、Cr2O3和助剂混合均匀,再进行压坯、脱胶、烧结、离子注入、退火处理得到。本发明通过三次球磨搅拌利于改善氧化铝粉末的流动性,使压坯形成的素坯内部一致性较好;通过脱胶去除有机物,避免后期烧结质量降低;通过调控陶瓷素坯烧结温度及Cr2O3的用量能够降低氧化铝陶瓷的热膨胀系数;通过引入元素Mg并进行高温处理,使原有的高纯氧化铝的刚玉相变为镁铝尖晶石相,镁铝尖晶石相相较于刚玉相有较多供原子移动的空间,从而在反复的热处理中,受热振动的原子带来的位移会被孔隙吸收,使氧化铝陶瓷具有较好的热震稳定性,热膨胀系数进一步降低。
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公开(公告)号:CN118108510B
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202410521221.7
申请日:2024-04-28
申请人: 中南大学
IPC分类号: C04B35/56 , C04B41/80 , C04B35/622 , C04B35/65 , C04B41/00
摘要: 本发明公开了一种含表面氧化膜的复相陶瓷材料及其制备方法,将Zr粉、V粉、C粉混匀获得混合粉,将混合粉加入酚醛树脂溶液中混合然后压制成型获得压坯,将压坯采用硅粉包埋后进行反应烧结熔渗硅,获得基体碳化物,然后将基体碳化物进行预氧化处理,即得含表面氧化膜的复相陶瓷材料;本发明所提供的含表面氧化膜的复相陶瓷材料由基体碳化物层和表面氧化膜层组成,氧化膜层致密度高,坚硬、可以在微观层面上增强材料表面的抗氧化性,且本发明的制备方法简单,较易批量化成本控制,适合工业化生产。
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公开(公告)号:CN118145994A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202410243131.6
申请日:2024-03-04
申请人: 西南科技大学
IPC分类号: C04B35/491 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B41/80
摘要: 本发明公开了一种摇摆高压烧结细化铁电材料电畴来提升铁电性能的方法,包括:称量铁电陶瓷原料粉末,进行湿法球磨,预烧、二次研磨、压制、排胶得到铁电陶瓷坯体;对制备得到的铁电陶瓷坯体进行摇摆振荡烧结;对摇摆振荡烧结得到的陶瓷片进行极化,得到铁电性能增强的铁电陶瓷。本发明通过引入摇摆高压烧结方法,成功优化了传统PZT95/5型陶瓷制备中的技术难题,通过精准调控烧结参数,实现了致密化和抑制晶粒生长的协同控制,优化了陶瓷的微观结构,提高了致密度。不仅显著提高了铁电性能,剩余极化强度相对传统压力烧结提高了40%,而且在压电性能方面取得了约30%的提升,使PZT95/5型陶瓷在电学性能上表现更为出色。
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公开(公告)号:CN115159986B
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202210836853.3
申请日:2022-07-15
申请人: 湖北赛格瑞新能源科技有限公司
IPC分类号: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B41/80 , B21J5/00 , B21J5/02
摘要: 本发明属于碲化铋基热电材料技术领域,特别是一种自由锻工艺制备p型碲化铋基热电材料的方法。本方法利用锻压工艺来细化晶粒、提高晶粒取向、消除偏析、消除孔隙从而提高热电性能和力学性能,实现了脆性热电材料的自由锻造,该锻压工艺改善了材料内部的缺陷,使材料内部组织更加均匀并且消除了偏析,且热电性能更加稳定。
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公开(公告)号:CN117987212A
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202410105458.7
申请日:2024-01-25
申请人: 中国科学院金属研究所
IPC分类号: C11D1/29 , C11D1/75 , C11D3/20 , C11D3/37 , C11D3/60 , C04B35/00 , C04B35/622 , C04B41/80 , B33Y10/00 , B33Y70/00
摘要: 本发明是关于一种光固化3D打印陶瓷素坯用清洗剂及其使用方法。主要采用的技术方案为:所述清洗剂用于将光固化3D打印陶瓷素坯上残余的陶瓷浆料清洗掉,其中,所述清洗剂包括以下重量份组分:表面活性剂35~40重量份,稀释剂30~35重量份,解离剂1~5重量份,表面光洁剂20~30重量份;其中,所述解离剂选用高分子量共聚物的烷基铵盐BYK‑9076、含酸性基团的共聚物溶液BYK‑111、含酸性基团共聚物的烷羟基铵盐BYK‑180中的一种或几种。本发明主要用于对光固化3D打印复杂结构陶瓷素坯表面的残留浆料实现高效和稳定的清洗效果。
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公开(公告)号:CN117986037A
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202410138679.4
申请日:2024-02-01
申请人: 南平市建阳区福煜堂贸易有限公司
摘要: 本发明公开了建盏养彩方法,采用养彩装置进行建盏养彩;该方法包括以下步骤:将建盏放入所述建盏承载框内,将茶叶与水混合为茶水放入养彩容器内,所述加热器加热茶水;所述升降装置带动所述建盏承载框下降浸入茶水中,所述升降装置带动所述建盏承载框上升离开茶水,如此反复循环,直至设定时间,建盏用柔软的湿纱布擦拭,去除建盏表面茶垢;建盏静置,重复周期,得到养彩后的建盏。本发明采用养彩装置进行建盏的规律养彩,养彩过程步骤化,易于操作,养彩成功率高;同时可进行多只建盏的规模化养彩,养彩效率提高,养彩所得釉面彩光明净透亮、彩光四溢。
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公开(公告)号:CN117923892A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202410068054.5
申请日:2024-01-16
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/80
摘要: 一种抗还原X7R型超细陶瓷材料及其制备方法,属于电子材料技术领域,特别涉及陶瓷材料技术。本发明的抗还原X7R型超细陶瓷材料以所述介质材料由主料粒径为100~200nm的BaTiO3和二次添加剂组成;所述二次添加剂包括ZrO2、BaCO3、WO3、Mn3O4以及稀土元素Y、Dy、Ho、Er中一种或一种以上的氧化物;所述各材料质量配比为:[100‑(a+b+c+d+e)]BaTiO3+aBaCO3+bZrO2+cWO3+dMn3O4+eRe2O3,Re2O3代表稀土元素氧化物,其中,a、b、c、d、e是系数,以重量百分比计算,0.4%≤a≤4%、0.1%≤b≤0.4%、0.02%≤c≤0.08%、0.2%≤d≤0.8%、0.4%≤e≤1.6%。二次添加剂质量占整个抗还原X7R型超细陶瓷材料总质量的1.32~5.68%。本发明的抗还原X7R型超细陶瓷材料是在1~2%H2‑N2还原气氛中进行烧结,并且进行再氧化处理最后制得的,其具有高介电常数(2000~3000),较高的绝缘电阻率(ρ≥1.0*1012Ω·cm),良好的温度稳定性,重复性好,价格低廉,可用于制备高性能、低成本的Ni电极MLCC。
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公开(公告)号:CN116347734B
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202310026853.1
申请日:2023-01-09
申请人: 昆明理工大学
摘要: 本发明公开了一种介质阻挡放电等离子体快速去除石榴石型固态电解质表面碳酸锂的发生装置及其方法,涉及石榴石型固态电解质表面处理技术领域。底座设置有电机座,电机座上设置有电机,底座支撑有发生装置的自动翻料壳体,自动翻料壳体一侧设置有进气管,底部一侧设置有排料管,排料管上设置有排气阀,自动翻料壳体顶部有进料管,电机输出轴通过连接装置与搅拌装置连接,搅拌装置转动设置在自动翻料壳体内。采用介质阻挡放电等离子体改性处理所述石榴石型固态电解质粉末,去除表面碳酸锂,使用溶液浇铸法将其浇筑成膜,使得电解质膜的界面兼容性改善。通过电机驱动搅拌装置进行自动翻料,使得物料更加均匀,得到的石榴石型固
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公开(公告)号:CN117046386A
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202311026775.1
申请日:2023-08-15
申请人: 同位素(厦门)科技集团有限公司
IPC分类号: B01J2/22 , C04B35/10 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B41/80 , C04B41/84 , B01J2/28 , B01J19/30 , B01D3/32
摘要: 本发明公开了一种规整的重水精馏塔填料制备工艺,涉及重水精馏塔填料制备技术领域,该填料制备工艺旨在解决现有技术下没有对填料进行改性,填料对重水的精馏效果不佳,且填料的硬度和耐磨性不够高的技术问题,该填料制备工艺,其步骤如下:S1:陶瓷粉末原料加入氢氧化钠溶液中,然后加热使二者充分反应,烘干后的陶瓷粉末原料与粘结剂按比例倒入混合机内,S2:将泥状物放入挤出机的料仓中,S3:将颗粒物送入加热炉中,S4:脱脂后的颗粒放入烧结炉中进行烧结处理,S5:表面氧化,该填料制备工艺利用氢氧化钠溶液对陶瓷粉末原料进行改性处理,因此可以有效提高填料在重水精馏时的效果,最后通过对填料进行浸渍处理,从而减小了填料的消耗。
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公开(公告)号:CN116947324A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202210397586.4
申请日:2022-04-15
申请人: 康宁公司
摘要: 包括纹理化表面的基板包括多个凹坑。沿着所述纹理化表面的所述多个凹坑的均值最大尺寸在约50纳米至约3微米的范围内。直接入射在所述纹理化表面上的光穿过所述纹理化表面的雾度在约0.5至约5%的范围内。所述纹理化表面在400纳米至700纳米的光学波长内平均的反射率为约4%或更小。所述基板包含基于玻璃的材料或基于陶瓷的材料。形成纹理化表面的方法包括:使基板与包含无机聚磷酸盐的溶液接触第一时间段,同时使所述溶液维持在约330℃至约600℃范围内的第一温度,以形成所述纹理化表面。
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