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公开(公告)号：CN119717360A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411944267.6
申请日：2024-12-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明所涉及金属微纳光学器件技术领域，尤其涉及一种集成电路光网络技术领域的一种基于表面等离激元的谐振环‑MIM波导的电光逻辑门器件。其中器件结构包括由二氧化硅狭缝形成的谐振环‑MIM波导组合结构，以及设置在MIM波导结构中通过电压信号控制光信号耦合传输的光路耦合结构。本发明通过采用时域有限差分法(FDTD)，利用表面等离激元可以突破衍射极限的特性，可以在纳米尺度上来实现对全光逻辑门的设计操作与集成。实现与门、或门、异或门，并且在同一结构先实现不同逻辑功能的快速高效转换。该发明在光信号处理、超紧凑光子集成器件、传感技术领域极具应用前景，助力光子集成器件小型化、多功能化，降低能耗，给集成光学调控赋予灵活调控信息处理的能力。
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公开(公告)号：CN114488580B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202011266224.9
申请日：2020-11-13
Applicant: 天津工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化硅/有机聚合物混合波导结构的高速电光调制器，包括1×2氮化硅波导MMI耦合器，氮化硅/有机聚合物纵向绝热模斑转换器，有机聚合物光波导相移器、GSG共面波导行波电极，其特征在于：器件中有机聚合物光波导相移器通过纵向绝热模斑转换器的波导间光传递和1×2氮化硅波导MMI耦合器的光分束/合束功能可实现光相位调制到光强度调制的转换；通过GSG共面波导行波电极上的电信号高速驱动可实现电信号到光信号的高速转换；本发明基于氮化硅/有机聚合物波导混合集成技术，不仅提供了一种高带宽、低插入损耗的硅基电光调制器解决方案，同时也为基于氮化硅波导的光电集成方案和硅基三维光电集成方案提供了可能。
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公开(公告)号：CN118050918A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311291218.2
申请日：2023-10-07
Applicant: 富士通光器件株式会社
Abstract: 本公开涉及光学集成电路模块和光学通信设备。一种光学集成电路模块包括：光学集成电路元件，光学集成电路元件包括通过使用有机电光材料制成的光学波导；以及盖，盖至少将设置在光学集成电路元件上的光学波导密封为真空密封。另外，光学集成电路模块包括氧气吸气剂，氧气吸气剂设置在盖的内部部分中，并且吸收盖的内部部分中所包含的氧气。
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公开(公告)号：CN110221458B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201910372189.X
申请日：2019-05-06
Applicant: 吉林师范大学
IPC: G02F1/065
Abstract: 本发明涉及一种具有波长转换特性的微环电光开关阵列器件，该阵列器件由N个分波单元构成，每个分波单元中含有两个相同半径Ri的微环，Ri＝R1+(i‑1)ΔR，R1为初始半径，ΔR为微环半径差。主信道的长度L＝2L1+(N‑1)L3，第i条竖直信道的输出端口与其邻近的耦合点间的距离L5i＝L1+(N‑i)L2‑(R+d+w)，第i条水平信道的输出端口与其邻近的耦合点间的距离L8i＝L1+(N‑i)L3+(R+d+w)，本发明无外加电压时，能实现波分复用功能；施加电压时，能实现一个相邻波长差的波长转换功能；由于谐振光波在阵列单元中谐振两次，相对于谐振一次，该阵列结构器件能获得更低的非谐振光与串扰。
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公开(公告)号：CN114236883A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111628328.4
申请日：2021-12-28
Applicant: 天津工业大学
Abstract: 一种硅/聚合物杂化狭缝波导马赫‑曾德尔电光调制器，包括衬底、二氧化硅层和马赫‑曾德尔结构的调制臂，调制臂的中部为狭缝波导结构并嵌入在二氧化硅层内，调制臂的两端分别连接输入端和输出端，输入端和输出端均采用多模干涉耦合器结构，调制臂在与输出端相连的部分采用不等臂结构，在狭缝波导结构的外侧分别设置有嵌入在二氧化硅层内的第一P+型掺杂硅体料区和第二P+型掺杂硅体料区，在狭缝波导结构的内侧设置有嵌入在二氧化硅层内的N+型掺杂硅体料区，在各掺杂硅体料区的上方分别设置共面电极，共面电极与各掺杂硅体料区通过钨通孔连接。本发明有效地降低调制器的半波电压，并有效地提高了聚合物与光场的相互作用，提高了调制效率。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN107179617A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710630998.7
申请日：2017-07-28
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G02F1/065
CPC classification number: G02F1/065
Abstract: 本发明公开了一种高速电光调制器，包括：微纳光纤耦合器，其采用两根单模光纤缠绕在一起，放入光纤拉制平台拉制而成；高分子电光材料层，其包覆在微纳光纤耦合器上；电极板，其抵近设置于所述高分子电光材料层的外部。采用本发明提供的新型高速电光调制器的制备方法，高效快速地制备出了调制速度快、光信号损耗小、信噪比高及成本低廉的电光调制器，当半导体激光器发出的激光从电光调制器的输入端注入该器件时，同时电极将电信号加在电极板两端，这将改变单元的表面折射率导致谐振波长发生变化，影响输出端光功率的变化，最终得到与电信号变化一致的光信号，能够用于光通信领域，解决了目前普通电光调制器成本高、调制速度慢、信噪比较低等问题。
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公开(公告)号：CN103676214A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310446100.2
申请日：2013-09-26
Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司
CPC classification number: G02F1/0115 , G02F1/225 , G02F1/3558 , H04B10/25137 , H04B10/505
Abstract: 本发明提供一种光调制器，能够对光纤的波长分散进行补偿，且在超过几十Gbps的高速传送中也能够适用。该光调制器具有：由具有电光学效果的材料构成的基板(1)；形成在该基板上的光波导(2)；用于调制在该光波导中传播的光波的调制电极(3)，所述光调制器的特征在于，利用光纤对从该光波导出射的出射光(L2)进行引导，以具有与该光纤的波长分散特性相反的特性的波形畸变的方式，沿着该光波导以规定的图案使该基板形成极化反转(10)，从而对该光纤的波长分散特性进行补偿，而且，在该调制电极的附近配置由电介质材料或金属材料构成的调整构件(未图示)，从而将所述波长分散特性的补偿调整成规定的等级。
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公开(公告)号：CN101276068A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810061435.1
申请日：2008-04-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于狭缝波导的马赫－曾德型硅光波导开关。在经过输入端实现功分功能的3dB耦合器分波后，由第一组两个模斑转换结构分别连接到两条狭缝波导结构的干涉臂，然后经第二组两个模斑转换结构，连接到输出端干涉耦合器。通过前后两组模斑转换结构的不同组合，形成任意结构的1×2和2×2光开关。本发明引入狭缝波导，并在狭缝中填充了低折射率的电光材料，扩大了调制手段，变传统的载流子注入的间接电光调制为直接电光调制；此外采用狭缝两侧自然电隔离的硅波导作为电极，缩短了电极与调制区的间距，以上两个特点均能提高开关的调制效率。整个结构尺寸紧凑，兼容于CMOS加工工艺，为单片集成高速电光开关的实现提供了一种新的途径。
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