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公开(公告)号:CN101305280B
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN200680020405.5
申请日:2006-06-09
Applicant: 吉卢比有限公司
IPC: G01N33/543 , G01N21/55
CPC classification number: G01N33/54373 , B82Y5/00 , B82Y15/00 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , G01N21/554 , G01N21/6489 , G01N2021/258 , Y10S977/882 , Y10S977/891 , Y10S977/957 , Y10S977/958 , Y10S977/959
Abstract: 本发明一般涉及生物传感器技术,并且具体涉及基于金属纳米岛、半导体纳米岛和磁性纳米岛有序阵列的用于医学、生物学、生物化学、化学和环境学应用的新颖多功能生物传感器。
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公开(公告)号:CN101287986B
公开(公告)日:2012-01-18
申请号:CN200680028654.9
申请日:2006-06-13
IPC: G01N27/00 , G01N27/414 , H01L29/06 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0512 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , G01N27/4145 , G01N27/4146 , H01L51/0048 , H01L2924/0002 , H01L2924/19107 , Y10S977/746 , Y10S977/747 , Y10S977/904 , Y10S977/92 , Y10S977/924 , Y10S977/957 , Y10S977/958 , Y10S977/959 , H01L2924/00
Abstract: 本发明关于以碳纳米管等超细纤维体作为沟道的高灵敏度的场效应晶体管、以及使用此场效应晶体管的生物传感器。本发明的场效应晶体管包括:衬底;配置于上述衬底上的源电极以及漏电极;将上述源电极与漏电极电性连接的沟道;及使上述衬底产生因自由电子移动导致的极化的栅电极。例如,上述衬底包括:由半导体或金属构成的支持衬底、形成于上述支持衬底的第一面的第一绝缘膜,及形成于上述支持衬底的第二面的第二绝缘膜;将上述源电极、漏电极以及沟道配置于上述第一绝缘膜上;将上述栅极电极配置于上述第二绝缘膜上。
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公开(公告)号:CN101305280A
公开(公告)日:2008-11-12
申请号:CN200680020405.5
申请日:2006-06-09
Applicant: 吉卢比有限公司
IPC: G01N33/543 , G01N21/55
CPC classification number: G01N33/54373 , B82Y5/00 , B82Y15/00 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , G01N21/554 , G01N21/6489 , G01N2021/258 , Y10S977/882 , Y10S977/891 , Y10S977/957 , Y10S977/958 , Y10S977/959
Abstract: 本发明一般涉及生物传感器技术,并且具体涉及基于金属纳米岛、半导体纳米岛和磁性纳米岛有序阵列的用于医学、生物学、生物化学、化学和环境学应用的新颖多功能生物传感器。
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公开(公告)号:CN101287986A
公开(公告)日:2008-10-15
申请号:CN200680028654.9
申请日:2006-06-13
IPC: G01N27/00 , G01N27/414 , H01L29/06 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0512 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , G01N27/4145 , G01N27/4146 , H01L51/0048 , H01L2924/0002 , H01L2924/19107 , Y10S977/746 , Y10S977/747 , Y10S977/904 , Y10S977/92 , Y10S977/924 , Y10S977/957 , Y10S977/958 , Y10S977/959 , H01L2924/00
Abstract: 本发明关于以碳纳米管等超细纤维体作为沟道的高灵敏度的场效应晶体管、以及使用此场效应晶体管的生物传感器。本发明的场效应晶体管包括:衬底;配置于上述衬底上的源电极以及漏电极;将上述源电极与漏电极电性连接的沟道;及使上述衬底产生因自由电子移动导致的极化的栅电极。例如,上述衬底包括:由半导体或金属构成的支持衬底、形成于上述支持衬底的第一面的第一绝缘膜,及形成于上述支持衬底的第二面的第二绝缘膜;将上述源电极、漏电极以及沟道配置于上述第一绝缘膜上;将上述栅极电极配置于上述第二绝缘膜上。
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