电路系统和用于使电路模块与主总线耦合或去耦的方法

    公开(公告)号:CN100414525C

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200480024912.7

    申请日:2004-07-15

    发明人: M·库茨门卡

    IPC分类号: G06F13/40 H03K17/80

    摘要: 电路系统包括主总线(101)、与子总线(107)连接的电路模块(105)、连接在子总线(107)和主总线(101)之间的可饱和磁开关(109)、用于将磁开关(109)置于第一饱和状态由此使子总线(107)与主总线(111)耦合、或者用于将可饱和磁开关(109)置于第二饱和状态由此使子总线(107)与主总线(101)去耦的装置(111),其中可饱和磁开关(109)具有处于第一饱和状态的第一电感和处于第二饱和状态的第二电感,第一电感低于第二电感。

    高速进动切换磁性逻辑
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104737318B

    公开(公告)日:2017-08-22

    申请号:CN201380054209.X

    申请日:2013-10-22

    申请人: 英特尔公司

    IPC分类号: H01L43/00 H01L43/02 H01L43/12

    摘要: 本发明描述了高速进动开关磁性逻辑器件和架构。在第一示例中,磁性逻辑器件包括具有第一纳米磁体的输入电极和具有第二纳米磁体的输出电极。所述第二纳米磁体的自旋与所述第一纳米磁体的自旋非共线。沟道区和相对应的接地电极设置在所述输入电极与所述输出电极之间。在第二示例中,磁性逻辑器件包括具有平面内纳米磁体的输入电极和具有垂直磁各向异性(PMA)磁体的输出电极。沟道区和相对应的接地电极设置在所述输入电极与所述输出电极之间。

    高速进动切换磁性逻辑
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104737318A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201380054209.X

    申请日:2013-10-22

    申请人: 英特尔公司

    IPC分类号: H01L43/00 H01L43/02 H01L43/12

    摘要: 本发明描述了高速进动开关磁性逻辑器件和架构。在第一示例中,磁性逻辑器件包括具有第一纳米磁体的输入电极和具有第二纳米磁体的输出电极。所述第二纳米磁体的自旋与所述第一纳米磁体的自旋非共线。沟道区和相对应的接地电极设置在所述输入电极与所述输出电极之间。在第二示例中,磁性逻辑器件包括具有平面内纳米磁体的输入电极和具有垂直磁各向异性(PMA)磁体的输出电极。沟道区和相对应的接地电极设置在所述输入电极与所述输出电极之间。

    电路系统和用于使电路模块与主总线耦合或去耦的方法

    公开(公告)号:CN1846201A

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:CN200480024912.7

    申请日:2004-07-15

    发明人: M·库茨门卡

    IPC分类号: G06F13/40 H03K17/80

    摘要: 电路系统包括主总线(101)、与子总线(107)连接的电路模块(105)、连接在子总线(107)和主总线(101)之间的可饱和磁开关(109)、用于将磁开关(109)置于第一饱和状态由此使子总线(107)与主总线(111)耦合、或者用于将可饱和磁开关(109)置于第二饱和状态由此使子总线(107)与主总线(101)去耦的装置(111),其中可饱和磁开关(109)具有处于第一饱和状态的第一电感和处于第二饱和状态的第二电感,第一电感低于第二电感。