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公开(公告)号：CN101034295B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200710005917.0
申请日：2007-02-15
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
CPC分类号： H03F3/45188 , H03F1/301 , H03F3/45636 , H03F2200/78 , H03F2203/45054 , H03F2203/45244 , H03F2203/45286 , H03F2203/45308 , H03F2203/45318 , H03F2203/45342 , H03F2203/45456
摘要： 一种用于使电路特性的温度依赖性无效的电路和方法。该电路包括多个晶体管，配置该多个晶体管使其产生包含门限电压作为分量的栅电压。将该栅电压施加到晶体管上，以便产生与工艺跨导参数成比例的电流。将该电流施加到具有一对差分晶体管的比较器上，其中每一个晶体管都具有工艺跨导参数。该电路获得与电流相关的工艺跨导参数与该差分对的每一个晶体管的工艺跨导参数的比值。通过获得工艺跨导参数的比值，使温度依赖性不起作用或者无效。这些比值能够用于设置比较器的滞后电压。
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公开(公告)号：CN103635157A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280031800.9
申请日：2012-07-30
申请人： 柯惠有限合伙公司
发明人： J·H·奥斯组拉克
CPC分类号： A61B18/1206 , A61B18/1233 , A61B18/1402 , A61B18/1445 , A61B18/1815 , A61B2018/00607 , A61B2018/00702 , A61B2018/00726 , A61B2018/00732 , A61B2018/00761 , A61B2018/00767 , A61B2018/00827 , A61B2018/00845 , A61B2018/00869 , A61B2018/128 , H03F1/30 , H03F3/24 , H03F2200/153 , H03F2203/45138 , H03F2203/45456 , H03F2203/45731
摘要： 公开了一种对任意信号源具有直接响应的射频（RF）放大器，以便在能量激活请求之内输出一个或多个电外科波形。该RF放大器包括耦合到RF任意源的相位补偿器，该相位补偿器配置为生成作为来自RF任意源的任意RF信号和相位控制信号的函数的参考信号；耦合到相位补偿器的至少一个误差校正放大器，该至少一个误差校正放大器配置为输出至少作为参考信号的函数的控制信号；及耦合到所述至少一个误差校正放大器并耦合到配置为向其供应高电压直流电流的高电压电源的至少一个功率部件，该至少一个功率部件配置为响应于控制信号而操作，以便生成所述至少一个电外科波形的至少一个成分。
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公开(公告)号：CN107210716A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580072655.2
申请日：2015-12-11
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H03F3/45 , H03K19/003 , H03K19/0185
CPC分类号： H03F1/30 , H03F3/45076 , H03F3/45183 , H03F3/45197 , H03F3/4565 , H03F3/45766 , H03F2200/447 , H03F2200/543 , H03F2203/45048 , H03F2203/45101 , H03F2203/45116 , H03F2203/45244 , H03F2203/45456 , H03G1/0029 , H03G3/3036 , H03K19/00384 , H03K19/018528
摘要： 提供了一种设备。设备包括被配置用于产生参考信号的校准电路，以及每个配置用于基于参考信号在随工艺或条件变化的经校准跨导下操作的至少一个差分电路。可以配置校准电路以独立于至少一个差分电路而产生参考信号。提供了一种用于操作至少一个差分电路的方法。方法包括产生参考信号并且基于参考信号在随工艺或条件变化的经校准跨导或增益下操作至少一个差分电路。可以独立于至少一个差分电路而产生参考信号。
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公开(公告)号：CN101034295A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710005917.0
申请日：2007-02-15
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
CPC分类号： H03F3/45188 , H03F1/301 , H03F3/45636 , H03F2200/78 , H03F2203/45054 , H03F2203/45244 , H03F2203/45286 , H03F2203/45308 , H03F2203/45318 , H03F2203/45342 , H03F2203/45456
摘要： 一种用于使电路特性的温度依赖性无效的电路和方法。该电路包括多个晶体管，配置该多个晶体管使其产生包含门限电压作为分量的栅电压。将该栅电压施加到晶体管上，以便产生与工艺跨导参数成比例的电流。将该电流施加到具有一对差分晶体管的比较器上，其中每一个晶体管都具有工艺跨导参数。该电路获得与电流相关的工艺跨导参数与该差分对的每一个晶体管的工艺跨导参数的比值。通过获得工艺跨导参数的比值，使温度依赖性不起作用或者无效。这些比值能够用于设置比较器的滞后电压。
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公开(公告)号：CN1599975A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02824067.7
申请日：2002-10-04
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H03F1/302 , H03F3/45085 , H03F2203/45362 , H03F2203/45456
摘要： 一种带温度补偿功能的差动放大器。包括具有反馈电阻并具有增益与温度成正比的特性的差动放大器1、及与该差动放大器1的后级连接而无反馈电阻并具有增益与温度成反比的特性的差动放大器2，利用差动放大器1对差动放大器2的增益及失真进行温度补偿。
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公开(公告)号：CN103635157B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280031800.9
申请日：2012-07-30
申请人： 柯惠有限合伙公司
发明人： J·H·奥斯组拉克
CPC分类号： A61B18/1206 , A61B18/1233 , A61B18/1402 , A61B18/1445 , A61B18/1815 , A61B2018/00607 , A61B2018/00702 , A61B2018/00726 , A61B2018/00732 , A61B2018/00761 , A61B2018/00767 , A61B2018/00827 , A61B2018/00845 , A61B2018/00869 , A61B2018/128 , H03F1/30 , H03F3/24 , H03F2200/153 , H03F2203/45138 , H03F2203/45456 , H03F2203/45731
摘要： 公开了一种对任意信号源具有直接响应的射频（RF）放大器，以便在能量激活请求之内输出一个或多个电外科波形。该RF放大器包括耦合到RF任意源的相位补偿器，该相位补偿器配置为生成作为来自RF任意源的任意RF信号和相位控制信号的函数的参考信号；耦合到相位补偿器的至少一个误差校正放大器，该至少一个误差校正放大器配置为输出至少作为参考信号的函数的控制信号；及耦合到所述至少一个误差校正放大器并耦合到配置为向其供应高电压直流电流的高电压电源的至少一个功率部件，该至少一个功率部件配置为响应于控制信号而操作，以便生成所述至少一个电外科波形的至少一个成分。
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公开(公告)号：CN101809863A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108593.6
申请日：2008-09-15
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 法比奥·塞巴斯蒂亚诺 , 吕西安·约翰内斯·布里门斯 , 拉夫·劳德威杰克·简·罗弗斯
CPC分类号： H03F1/304 , H03F3/4565 , H03F2203/45448 , H03F2203/45456 , H03F2203/45471 , H03F2203/45504
摘要： 本发明涉及一种用于在差分转换系统中进行自动共模抑制校准以及用于不平衡补偿的电路和方法，以便使信号路径中电路的操作点平衡并增强共模抑制。用于在差分转换系统中进行自动共模抑制校准的电路包括：针对模拟输入信号(101)的模拟输入级；用于将模拟信号(107)转换为其数字表示(108)的模数转换器(106)；数字块(105)，被布置为根据所述模拟输入信号(101)是否处于所述模数转换器(106)的预定输入范围内，来适配所述模拟输入信号(101)的DC偏移的一部分的所述数字表示(108)；以及数模转换器(103)，被布置在从所述数字块(105)至所述模拟输入级的减法装置(111)的反馈路径(102)中，用于将数字信号(104)转换为模拟输出信号(109)，其中，从所述模拟输入信号(101)减去所述模拟输出信号(109)得到所述模拟信号(107)。
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公开(公告)号：CN100508371C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200480032407.7
申请日：2004-10-26
申请人： 加拿大硅锗半导体公司
发明人： 爱德华·J·W·维特克 , 克里斯多佛·A·泽立
CPC分类号： H03F3/45085 , H03F2203/45456 , H03F2203/45466 , H03F2203/45638 , H03F2203/45682
摘要： 本发明公开了一个功率放大器电路，包含了一个第一放大级及第二放大级。所述第一放大级是利用一个提供可变性偏置电流的可控电流源而被偏倚。一个控制电路被提供以控制可变性偏置电流，依据电压供应和功率放大器电路的温度。所述控制信号依据介于第一和第二电位的电压供应变化而改变可变性偏置电流，而每一个电位供应足够的电位以操作功率放大器电路。
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公开(公告)号：CN1875541A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480032407.7
申请日：2004-10-26
申请人： 加拿大硅锗半导体公司
发明人： 爱德华·J·W·维特克 , 克里斯多佛·A·泽立
CPC分类号： H03F3/45085 , H03F2203/45456 , H03F2203/45466 , H03F2203/45638 , H03F2203/45682
摘要： 一个功率放大器电路被说明，并包含了一个第一放大阶段及第二放大阶段。所述第一放大阶段是利用一个提供可变性偏倚电流的可控制电流来源而被偏倚。一个控制电路被提供以控制可变性偏倚电流，依据电压供应和功率放大器电路的温度。所述控制信号依据介于第一和第二电位的电压供应变化而改变可变性偏倚电流，而每一个电位供应足够的电位以操作功率放大器电路。
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