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公开(公告)号:CN102239434B
公开(公告)日:2014-11-26
申请号:CN200980149170.3
申请日:2009-12-03
Applicant: IMRA美国公司
IPC: G02B6/00
CPC classification number: H01S3/175 , C03C13/046 , G02B6/02347 , G02B6/02366 , G02B6/02371 , G02B6/036 , G02B2006/12038 , G02B2006/1209 , H01S3/06716 , H01S3/1603 , H01S3/1616 , H01S3/1618 , H01S3/163 , H01S3/1691 , H01S3/1693 , H01S3/176 , H01S2301/03 , H04B10/2507
Abstract: 本文所述的不同实施例包括激光器和/或放大器系统,所述系统包括在磷硅玻璃中具有镱离子的掺杂增益光纤(1404)。本文所述的不同实施例将泵浦吸收增大到至少约1000dB/m-9000dB/m。所述增益光纤的使用提供了增大的峰值功率和/或脉冲能量。在磷硅玻璃中具有镱离子的掺杂增益光纤(1404)的不同实施例表现出与等量掺杂水平的镱掺杂石英光纤可获得的光暗化水平相比降低的光暗化水平。
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公开(公告)号:CN101762843B
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN200910224396.7
申请日:2009-12-02
Applicant: 德雷卡通信技术公司
CPC classification number: H01S3/06716 , H01S3/1603 , H01S3/169 , H01S3/1691 , H01S3/1695 , H01S3/176
Abstract: 一种放大光纤,包括:中央纤芯(10),适合于传输和放大光学信号;以及光学包层(11),围绕中央纤芯并且适合于将传输的光学信号局限于芯中,中央纤芯由主基质形成并且包含掺杂有稀土的纳米粒子(5)。稀土掺杂物在各纳米粒子中的重量比浓度介于重量比1%与20%(wt.%)之间,并且纳米粒子在中央纤芯的主基质中的浓度介于体积比0.05%与1%之间。这样的光纤并入高浓度稀土离子,而又在高功率避免光暗化现象。
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公开(公告)号:CN101762843A
公开(公告)日:2010-06-30
申请号:CN200910224396.7
申请日:2009-12-02
Applicant: 德雷卡通信技术公司
CPC classification number: H01S3/06716 , H01S3/1603 , H01S3/169 , H01S3/1691 , H01S3/1695 , H01S3/176
Abstract: 一种放大光纤,包括:中央纤芯(10),适合于传输和放大光学信号;以及光学包层(11),围绕中央纤芯并且适合于将传输的光学信号局限于芯中,中央纤芯由主基质形成并且包含掺杂有稀土的纳米粒子(5)。稀土掺杂物在各纳米粒子中的重量比浓度介于重量比1%与20%(wt.%)之间,并且纳米粒子在中央纤芯的主基质中的浓度介于体积比0.05%与1%之间。这样的光纤并入高浓度稀土离子,而又在高功率避免光暗化现象。
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公开(公告)号:CN1400957A
公开(公告)日:2003-03-05
申请号:CN01804914.1
申请日:2001-10-09
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: C03C3/097 , C03C13/046 , C03C2201/28 , C03C2201/3476 , H01S3/1608 , H01S3/175 , H01S3/176
Abstract: 一种光学有源硅酸磷玻璃,当抽运光直接激发铒离子时,提供在1565nm到1620nm范围内的增益,并且以重量百分比包括:SiO250到92%;Er2O30.01到2%;P2O5大于5%;以及Al2O3从0.0到0.3%。
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公开(公告)号:CN103563189A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201280024324.8
申请日:2012-05-25
IPC: H01S3/098
CPC classification number: H01S3/1115 , H01S3/0092 , H01S3/06712 , H01S3/06725 , H01S3/08059 , H01S3/10046 , H01S3/105 , H01S3/1053 , H01S3/1118 , H01S3/1616 , H01S3/176
Abstract: 本发明披露了紧凑的光学频率源。梳状源可包括腔内光学元件,所述腔内光学元件具有带电可控作用区的多材料集成结构。作用区可包括薄膜。举例来说,薄膜和绝缘电介质材料(设置在两个电极之间)可提供快速损耗调制。在一些实施例中,薄膜可包括石墨烯。在频率梳激光器的不同实施例中,CEO频率的快速调制可通过电调制额外光学元件(可以是可饱和吸收器本身)的透射或反射损耗来实施。在另一个实施例中,薄膜还可用作可饱和吸收器以便于被动锁模。在一些实施例中,光学元件可形成在光纤的切割或抛光端上。
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公开(公告)号:CN102239434A
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN200980149170.3
申请日:2009-12-03
Applicant: IMRA美国公司
IPC: G02B6/00
CPC classification number: H01S3/175 , C03C13/046 , G02B6/02347 , G02B6/02366 , G02B6/02371 , G02B6/036 , G02B2006/12038 , G02B2006/1209 , H01S3/06716 , H01S3/1603 , H01S3/1616 , H01S3/1618 , H01S3/163 , H01S3/1691 , H01S3/1693 , H01S3/176 , H01S2301/03 , H04B10/2507
Abstract: 本文所述的不同实施例包括激光器和/或放大器系统,所述系统包括在磷硅玻璃中具有镱离子的掺杂增益光纤(1404)。本文所述的不同实施例将泵浦吸收增大到至少约1000dB/m-9000dB/m。所述增益光纤的使用提供了增大的峰值功率和/或脉冲能量。在磷硅玻璃中具有镱离子的掺杂增益光纤(1404)的不同实施例表现出与等量掺杂水平的镱掺杂石英光纤可获得的光暗化水平相比降低的光暗化水平。
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公开(公告)号:CN100374951C
公开(公告)日:2008-03-12
申请号:CN200510056766.2
申请日:2005-03-25
Applicant: 清华大学
CPC classification number: H01S3/117 , H01S3/067 , H01S3/094007 , H01S3/176
Abstract: 本发明涉及一种用于双包层光纤激光器的声光调Q方法及其装置,该方法是将双包层光纤激光器的石英光纤直接作为声光介质,在其中形成声波驻波场或行波场,产生位相光栅,振荡激光在位相光栅的作用下发生衍射,使传输方向发生偏折,成为泄露波,阻止振荡激光的形成,则光纤激光器处于低Q值状态;声波场消失,光纤激光器处于高Q值状态。本发明的装置,包括射频激励超声换能器、声传播介质和声反射界面或声吸收体;声传播介质置于频激励超声换能器和声反射界面或声吸收体之间;被调Q激光器的双包层光纤置于声传播介质中。本发明的优点是,直接将声光Q开关在双包层光纤上实现,减小了传统技术带来的插入损耗。
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公开(公告)号:CN100342600C
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN200480001015.4
申请日:2004-07-27
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S3/067 , H01S3/0941
CPC classification number: H01S3/06716 , H01S3/005 , H01S3/094003 , H01S3/0941 , H01S3/1616 , H01S3/175 , H01S3/176 , H01S3/177
Abstract: 在光纤激光器、自发发射光源和光纤放大器中,虽然以前利用0.67μm或0.8μm的激发光来激发掺杂有铥(Tm)离子的光纤,但仍存在性能随着时间推移而退化的问题。采用1.2μm的光作为激发光,或者采用能够将铥自基态3H6到激发态3H5的激发光源。并且,作为优选的结构,明确了掺杂有Tm的基质玻璃,由此提高了2.3μm波带的发光效率。
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公开(公告)号:CN1896858A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200610093071.6
申请日:2002-02-01
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: H01S3/06754 , H01S3/06758 , H01S3/094003 , H01S3/094096 , H01S3/1608 , H01S3/176 , H01S3/177 , H01S3/302 , H01S2301/04 , H04B10/291 , H04B10/2935
Abstract: 本发明为了达到增益频谱的平坦化和宽频带化,涉及以下的四种结构。第一种结构涉及用二波长激励亚碲酸盐光纤而其激励光的波长仅是某一一定量的不同的拉曼放大器。第二种结构涉及使用亚碲酸盐光纤和二氧化硅光纤的拉曼放大器或光通信系统。第三种结构涉及使用低浓度的掺铒的亚碲酸盐光纤的光纤放大器。第四种结构涉及使用掺铒的光纤等掺稀土类金属的光纤和亚碲酸盐光纤的光纤放大器。
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公开(公告)号:CN1610650A
公开(公告)日:2005-04-27
申请号:CN02826445.2
申请日:2002-11-07
Applicant: 3M创新有限公司
IPC: C03C13/04 , C03B19/10 , C03B37/018 , C03B19/14 , H01S3/17
CPC classification number: C03C17/3618 , C03C3/06 , C03C13/046 , C03C17/3626 , C03C17/3644 , C03C17/3652 , C03C2201/12 , C03C2201/28 , C03C2201/31 , C03C2201/3405 , C03C2201/3411 , C03C2201/3417 , C03C2201/3458 , C03C2201/3476 , C03C2201/3482 , C03C2201/3494 , C03C2201/36 , H01S3/06716 , H01S3/1608 , H01S3/1616 , H01S3/1693 , H01S3/1695 , H01S3/176
Abstract: 光波导,包括含有二氧化硅、Al、非荧光稀土离子、Ge、Er和Tm的芯体。所述非荧光稀土离子可以是La。示例性组合物浓度如下:Er为15-3000ppm,Al为0.5-12摩尔%,La小于或等于2摩尔%,Tm是15-10000ppm,Ge小于或等于15摩尔%。所述芯体还包含F。F的示例性浓度小于或等于6阴离子摩尔%。
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